【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种复合膜。
技术介绍
1、近年来，关于智能手机、医疗设备、汽车等电子设备，高集成化、高性能化不断进展，与此同时，抑制电子设备的电磁干扰（emi：electromagnetic interference）的emi对策的重要性增加。因此，为了防止来自电子设备的壳体内外的电磁波引起的该电子设备的误动作、通信数据质量的劣化等不良情况，在电子设备中使用噪声滤波器、电磁波吸收片等部件。
2、在这样的部件中，被称为emi对策膜的复合膜用于很多电子设备。emi对策膜是复合膜，该复合膜具有层叠有由金属等构成的电磁波屏蔽层和由导电性粘合剂或导电性粘接剂构成的导电层的结构。从高导电率、屏蔽性、工业生产率的观点出发，有时使用铜箔作为电磁波屏蔽层。
3、并且，emi对策膜非常多地用作柔性基板（fpc：flexible printed circuits，柔性印刷电路）、覆晶薄膜技术（cof：chip on film，覆晶薄膜）中的屏蔽膜、或电子设备的壳体内的接地强化用的导电带。
4、在电子设备安装emi对策膜时，通常，电磁波屏蔽层隔着导电层贴附于电子设备内的金属部分。并且，在emi对策膜的电磁波屏蔽层贴附于电子设备内的金属部分时，从电磁波屏蔽层到电子设备内的金属部分的连接电阻越低，抑制电磁干扰的性能越优异（以下，有时将emi对策膜所具有的抑制电磁干扰的性能也记为“emi耐性”）。该emi耐性能够通过上述连接电阻来评价，但有时也能够通过布线电阻模拟地评价。
5、现有技术文献
6、专利
7、专利文献1：日本专利公报 第6872449号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、如上所述，近年来，由于emi对策的重要性增加，所以要求连接电阻更低的复合膜。
3、本专利技术的技术问题在于提供一种连接电阻低的复合膜。
4、用于解决技术问题的技术方案
5、为了解决上述技术问题，本专利技术人认为，为了降低复合膜的连接电阻（布线电阻），使用接触电阻低的铜箔作为电磁波屏蔽层即铜箔是有效的，并且关注了铜箔的表面形状。然而，可知即使使用在原理上接触电阻最低的、表面清洁且平滑（表面粗糙度小）的铜箔来制作emi对策膜，emi对策膜的布线电阻也不会降低至预测的程度。另一方面，与平滑且表面粗糙度小的铜箔相比，使用表面粗糙度比较大的铜箔能够得到有时emi对策膜的布线电阻低的实验结果，本专利技术人对此进行了关注。
6、在“日本伸铜协会技术标准jcba t323：2011的表面接触电阻的测定方法”中，规定了测定被测定物与金（au）探针之间的接触电阻。在测定铜箔的接触电阻的情况下，由于成为金属刚体彼此之间的接触电阻，所以在接触界面自然产生与相互的表面形状对应的空隙，微观上的真实接触面积相应地变小。因此，可以理解存在如下倾向：如果铜箔的表面粗糙度大、与au探针的真实接触面积小，则接触电阻的测定值变大，如果铜箔的表面粗糙度小、与au探针的真实接触面积大，则接触电阻的测定值低。
7、另一方面，在用于emi对策膜的用途的复合膜的情况下，与铜箔接触的是导电性粘合剂或导电性粘接剂，在与铜箔贴合时，导电性粘合剂或导电性粘接剂追随铜箔的表面形状，因此在铜箔与导电性粘合剂或导电性粘接剂的接触界面基本上不易产生空隙。
8、由此可以认为，在使用复合膜作为emi对策膜的情况下，与表面粗糙度最小的铜箔相比、即与具有完全平滑的表面的铜箔相比，使用表面粗糙度比较大的铜箔时，铜箔的接触电阻变小。即，可以认为，即使铜箔的表面的表面粗糙度变大，由于导电层追随其形状，所以在铜箔与导电层的接触界面也不易产生空隙，与铜箔的表面的表面粗糙度大的量相应地真实接触面积变大，铜箔的接触电阻变小。
9、本专利技术人对上述的观点进行了验证，结果表明，与使用具有完全平滑的表面的铜箔的emi对策膜相比，使用表面粗糙度比较大的铜箔的emi对策膜的布线电阻低。
10、此外，以这些见解为基础，本专利技术人进行了深入研究，结果表明，为了得到布线电阻更低的emi对策膜，导电层中含有的导电性填料的数均粒径与铜箔的表面粗糙度的关系性是重要的。即，本专利技术人发现，不仅导电层与铜箔的表面形状对应而追随，而且导电性填料的分布也追随铜箔的表面形状，由此有必要增加导电性填料与铜箔的表面的接触点，因此导电性填料的数均粒径与铜箔的表面粗糙度的关系是重要的。
11、具体而言，发现了如果将导电性填料的数均粒径、铜箔的表面的展开面积比sdr、铜箔的表面的偏度ssk以及铜箔的接触电阻控制在规定的范围内，则与仅使用平滑且接触电阻低的铜箔相比，能够大幅降低emi对策膜的布线电阻。
12、即，本专利技术的一个方式所涉及的复合膜具有：铜箔；以及导电层，由含有导电性填料的导电性粘合剂或含有导电性填料的导电性粘接剂构成，并且层叠于铜箔所具有的两个表面中的至少一个表面。并且，本专利技术的一个方式所涉及的复合膜的主旨在于，导电性填料的数均粒径为0.12μm以上且7μm以下，铜箔所具有的两个表面中的层叠有导电层的表面的展开面积比sdr为0.01%以上且40%以下，偏度ssk为-1.0以上且1.0以下，接触电阻为2mω以上且30mω以下。
13、专利技术效果
14、本专利技术所涉及的复合膜的连接电阻低。
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1.一种复合膜，具有：铜箔；以及导电层，由含有导电性填料的导电性粘合剂或含有导电性填料的导电性粘接剂构成，并且层叠于所述铜箔所具有的两个表面中的至少一个表面，
2.根据权利要求1所述的复合膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的复合膜，其中，
4.根据权利要求1或2所述的复合膜，其中，
5.根据权利要求3所述的复合膜，其中，
6.根据权利要求1或2所述的复合膜，其中，
7.根据权利要求3所述的复合膜，其中，
8.根据权利要求6所述的复合膜，其中，
9.根据权利要求7所述的复合膜，其中，
10.根据权利要求1或2所述的复合膜，其中，
11.根据权利要求3所述的复合膜，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种复合膜，具有：铜箔；以及导电层，由含有导电性填料的导电性粘合剂或含有导电性填料的导电性粘接剂构成，并且层叠于所述铜箔所具有的两个表面中的至少一个表面，
2.根据权利要求1所述的复合膜，其中，
3.根据权利要求1或2所述的复合膜，其中，
4.根据权利要求1或2所述的复合膜，其中，
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：筱崎淳，佐野惇郎，中津川达也，片平周介，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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