【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体用存储容器，特别是涉及一种半导体用存储容器清洗方法及清洗腔。
技术介绍
1、在半导体晶圆制造过程中，基片（如晶圆、光罩等）会被储存在半导体用存储容器中，进行不同工艺设备之间的传递，常见的半导体用存储容器有foup（front openingunified pod前开式晶圆传送盒）、fosb（front opening shipping box）、光罩存储盒等。以foup为例，由于晶圆在经过不同工艺之后，特别是化学湿法工艺，会在晶圆表面产生各种污染物（如固体颗粒、有机物、气态分子污染物气态分子污染物），当晶圆储存在foup内部时，这些污染物能够附着在foup的表面，对foup造成污染，从而对下一批储存的晶圆产生污染。因此，foup会被定期送入专用设备进行清洗，来保证foup的洁净度。
2、在现有的半导体用存储容器的清洗方法中，以全自动晶圆盒清洗机为例，一般是通过将晶圆盒放置在固定架上，在半导体用存储容器的内外侧设置固定的喷头，通过固定架的带动晶圆盒转动，从而使喷头喷出的液/气能够覆盖到整个晶圆盒表面。由于晶圆盒的内腔内设置有多个用于放置晶圆的槽结构，槽结构为晶圆和晶圆盒接触最多的部位，因此晶圆盒内污染物也大多聚集在槽结构内，同时晶圆盒内壁的其他区域清洁的难度也小于槽结构所在区域的清洗难度。因此为了保证清洗效果，相对于半导体用存储容器的内壁的其他区域，槽结构所在区域需要花费更多的时间来清洗，而晶圆盒匀速转动时，槽结构所在区域的清洗时间占比远远小于晶圆盒其他区域的清洁时间占比，这种清洗方式不利于槽结构内污染
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体用存储容器清洗方法，所述半导体用存储容器包括盒体，所述盒体具有两组相对的内壁，一组相对的内壁为平面结构，另一组相对的内壁具有若干个平行排列的槽结构，相邻两个槽结构之间间距相等，其特征在于，包括以下步骤：
2、s2，所述盒体以倒扣的方式固定于驱动机构，使第一喷头位于所述盒体与所述驱动机构之间所形成的空间内，所述第一喷头为扇形喷头且所述第一喷头的喷射面同时垂直于所述盒体内壁的所在平面和所述盒体下表面所在平面；
3、s3，通过所述驱动机构带动所述盒体转动，第一喷头向盒体内壁喷扫清洗液，去除盒体内壁表面残留的污染物；
4、其中，在所述步骤s3中，所述驱动机构带动所述盒体以非匀速的方式转动，使所述第一喷头喷扫第一预设区域的时间大于所述第一喷头喷扫其他区域的时间，所述第一预设区域覆盖每一所述槽结构通过控制盒体的转速，合理分配清洗液对盒体各个部分的清洗时间，清洗液使喷扫第一预设区域的时间大于清洗液喷扫其他区域的时间，使第一预设区域得到充分清洗，能够提高清洗效率。
5、可选的，所述步骤s3中，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域时，所述盒体被驱动以第一平均转速转动，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域以外时，所述盒体被驱动以第二平均转速转动，所述第一平均转速小于所述第二平均转速。
6、可选的，所述步骤s3中，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域时，所述盒体呈周期性间歇转动，使第一喷头喷出液体所形成的喷射面在每一槽结构内停留第一预设时长，以充分清洗槽结构表面的污染物。
7、可选的，所述步骤s3还包括，所述驱动机构带动所述盒体往复转动，当第一喷头喷出液体所形成的喷射面靠近第一预设区域的边缘时，所述驱动机构的反向转动，使第一喷头喷出液体所形成的喷射面始终处于第一预设区域内。清洗液在盒体往复转动的过程中，其清洗区域为一个扇形区域，该扇形区域覆盖了第一预设区域，对第一预设区域进行多次清洗，保证清洗效果。
8、可选的，所述步骤s3还包括，当盒体旋转至第一预设位置时停止转动，通过所述第二喷头向第一预设区域喷扫清洗液，自上而下清洁槽结构内的污染物，所述第二喷头位于所述盒体与所述驱动机构之间所形成的空间内，所述第二喷头为扇形喷头且所述第二喷头的喷射面垂直于所述第一喷头的喷射面。
9、可选的，在所述步骤s3之后还包括步骤s4，第一喷头向盒体内壁喷扫洁净的压缩干燥气体，通过喷扫洁净的压缩干燥气体干燥所述盒体。
10、可选的，在所述步骤s2之前还包括步骤s1，第一喷头向盒体内壁喷扫洁净的压缩干燥气体，通过向盒体的内壁喷扫洁净的压缩干燥气体去除粘附盒体内壁的污染物。
11、可选的，所述步骤s2中，所述第一喷头设置有至少两组，每组所述第一喷头以所述驱动机构的旋转中心轴为阵列轴呈阵列分布。
12、本申请还公开一种清洗腔，采用上述清洁方法清洁半导体用存储容器，包括
13、腔体，用以提供清洁半导体用存储容器的空间；
14、驱动机构，用以固定所述盒体并驱动所述盒体转动；
15、喷头组件，用以向盒体喷扫清洁流体，所述喷头组件包括至少一个第一喷头，所述第一喷头位于所述盒体与所述驱动机构之间所形成的空间内，所述第一喷头与纵向管路连通，所述纵向管路固定于所述腔体的底部且与所述腔体的底部所在平面相垂直，所述纵向管路通过第一控制阀与外部清洁流体供应装置连通。
16、可选的，所述喷头组件还包括至少一个第二喷头，所述第二喷头与横向管路连通，当所述盒体以倒扣的方式固定于驱动机构，第二喷头位于所述盒体与所述驱动机构之间所形成的空间内，所述横向管路所在水平面平行于所述腔体底部所在平面，位于同一所述横向管路上的所述第二喷头的喷射面共面，所述横向管路的高度大于所述槽结构最高点的高度，所述横向管路通过第二控制阀与外部气源和/或清洗液供应装置连通。
17、本申请的有益效果在于：
18、本申请通过改变清洗时半导体用存储容器的转速，通过降低清洗液清洗第一预设区域时半导体用存储容器的转速，从而增加了清洗液清洗槽结构的时间，使清洗液能够充分的清洗槽结构内的污染物，同时通过加快清洗液清洗其他区域时半导体用存储容器的转速，保证其他区域清洗质量的情况下降低其所占的清洗时间，从而提升整体的清洗效率，同时能够节约氮气和清洗液的用量，降低清洗成本。
19、采用第二喷头清洁第一预设区域，多个第二喷头喷射出的清洗液同时清洁所有的槽结构，相对于第一喷头喷出的清洗液通过反射作用于部分槽结构表面的情况，第二喷头所喷出的清洗液能够直接作用于槽结构表面，能够能好的管控清洗液对槽结构表面的作用力。当所述盒体以倒扣的方式固定于驱动机构时，第二喷头喷出的清洗液作用于槽结构的顶部，自上而下清洗槽结构内的污染物。进一步的，第二喷头喷出的清洗液与槽结构所在平面之间形成有一定倾角，使清洁液作用于槽结构使具有向下的作用力，从而更好的清洁槽结构内的污染物。
20、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种半导体用存储容器清洗方法，所述半导体用存储容器包括盒体，所述盒体具有两组相对的内壁，一组相对的内壁为平面结构，另一组相对的内壁具有若干个平行排列的槽结构，相邻两个槽结构之间间距相等，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤S3中，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域时，所述盒体被驱动以第一平均转速转动，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域以外时，所述盒体被驱动以第二平均转速转动，所述第一平均转速小于所述第二平均转速。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤S3中，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域时，所述盒体呈周期性间歇转动，使第一喷头喷出液体所形成的喷射面在每一槽结构内停留第一预设时长，以充分清洗槽结构表面的污染物。
4.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤S3还包括，所述驱动机构带动所述盒体往复转动，当第一喷头喷出液体所形成的喷射面靠近第一预设区域的边缘时，所述驱动机构的反向转动，使第一喷头喷出液体所
5.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤S3还包括，当盒体旋转至第一预设位置时停止转动，通过所述第二喷头向第一预设区域喷扫清洗液，自上而下清洁槽结构内的污染物，所述第二喷头位于所述盒体与所述驱动机构之间所形成的空间内，所述第二喷头为扇形喷头且所述第二喷头的喷射面垂直于所述第一喷头的喷射面。
6.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：在所述步骤S3之后还包括步骤S4，第一喷头向盒体内壁喷扫洁净的压缩干燥气体，通过喷扫洁净的压缩干燥气体干燥所述盒体。
7.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：在所述步骤S2之前还包括步骤S1，第一喷头向盒体内壁喷扫洁净的压缩干燥气体，通过向盒体的内壁喷扫洁净的压缩干燥气体去除粘附盒体内壁的污染物。
8.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述第一喷头设置有至少两组，每组所述第一喷头以所述驱动机构的旋转中心轴为阵列轴呈阵列分布。
9.一种半导体用存储容器清洗腔，其特征在于：用以执行如权利要求1-8中任意一项所述的方法，包括
10.根据权利要求9所述的一种半导体用存储容器清洗腔，其特征在于，所述喷头组件还包括至少一个第二喷头，所述第二喷头与横向管路连通，当所述盒体以倒扣的方式固定于驱动机构，第二喷头位于所述盒体与所述驱动机构之间所形成的空间内，所述横向管路所在水平面平行于所述腔体底部所在平面，位于同一所述横向管路上的所述第二喷头的喷射面共面，所述横向管路的高度大于所述槽结构最高点的高度，所述横向管路通过第二控制阀与外部气源和/或清洗液供应装置连通。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体用存储容器清洗方法，所述半导体用存储容器包括盒体，所述盒体具有两组相对的内壁，一组相对的内壁为平面结构，另一组相对的内壁具有若干个平行排列的槽结构，相邻两个槽结构之间间距相等，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤s3中，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域时，所述盒体被驱动以第一平均转速转动，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域以外时，所述盒体被驱动以第二平均转速转动，所述第一平均转速小于所述第二平均转速。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤s3中，当第一喷头喷出液体作用于第一预设区域时，所述盒体呈周期性间歇转动，使第一喷头喷出液体所形成的喷射面在每一槽结构内停留第一预设时长，以充分清洗槽结构表面的污染物。
4.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤s3还包括，所述驱动机构带动所述盒体往复转动，当第一喷头喷出液体所形成的喷射面靠近第一预设区域的边缘时，所述驱动机构的反向转动，使第一喷头喷出液体所形成的喷射面始终处于第一预设区域内。
5.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器清洗方法，其特征在于：所述步骤s3还包括，当盒体旋转至第一预设位置时停止转动，通过所述第二喷头向第一预设区域喷扫清洗液，自上而下清洁槽结构内的污染物，所述第二喷头位于所述盒体...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：江苏芯梦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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