【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机光电材料制备，具体涉及一种覆盖层用化合物、具有该化合物的oled和有机发光装置。
技术介绍
1、有机电致发光二极管(oled)又称为有机电致发光器件，是通过对有机电致发光元件施加电压，将空穴从阳极、电子从阴极分别注入发光层中，注入的空穴与电子再结合而形成激子导致发光的技术，它能够将电能通过有机发光材料转化成光能。
2、近年来，行业内多采用将高功函数金属用于阳极且从上部发光的顶部发光结构的发光元件，通过从上部取出光，从而像素电路不会发生遮挡，能够扩大发光面。由于有机发光器件的组成元件和材料(例如，玻璃基板、有机材料和电极材料)的总折射率和取决于有机发光器件的发射波长的最佳折射率之间的偏差，导致发出的光以一定角度从有机层到阴极时有部分光会发生全反射，只有一部分光被利用。为了提高光的取出效率和改善色偏，通常在折射率低的半透明电极的外侧设置有折射率高的“覆盖层”的发光元件以提高oled器件的性能。但是目前覆盖层材料会存在例如蒸镀温度过高，光提取效率较低，器件发光效率提升不明显等问题；导致对制备工艺要求高，得到的器件产品质量差异大，良品率较低。
3、因此需要开发具有良好蒸镀稳定性及又能保持优异的膜质量的可蒸镀型的覆盖层材料，寻找合适的oled光电功能材料用于oled器件以解决上述问题。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种覆盖层用化合物、具有该化合物的oled及显示或照明装置。所提供的覆盖层用化合物以苯并五元含氮杂环与稠合芳香
2、本专利技术提供的一种覆盖层用化合物，是通过以下技术方案得以实现的：
3、一种覆盖层用化合物，所述覆盖层用化合物具有如下式1所示结构：
4、；
5、式1中， x1表示为o或s原子；l1-l3各自独立地选自单键、c6-c30亚芳基、c5-c36亚杂芳基；ar1、ar2各自独立地选自氰基、氰基取代或未取代的c6-c30芳基、c5-c36杂芳基；且所述l2、l3、ar1、ar2中至少有一者具有式2结构：；
6、式2中，x2选自o或s原子，x3-x6各自独立地选自cr或n原子，所述r独立地选自氢、氰基、c1-c20烷基、c3-c20环烷基、c6-c30芳基、c5-c36杂芳基，且当x3-x6中任意相邻两位均选自cr时，相邻的r可稠合成环c；
7、环b独立地选自不存在或为稠合于相邻接苯环的c6-c30芳基、c5-c36杂芳基；且式2结构不为二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
8、优选的，所述式1中，l1选自单键或苯基。
9、优选的，所述式1中，l2、l3各自独立地选自单键、苯基或结构；ar1、ar2各自独立地选自氰基、氰基取代或未取代的苯基、吡啶基或结构。
10、优选的，所述式2中，当x3-x6均选自cr时，式2结构可由下式2-1至式2-2任一结构表示：，环b独立地选自不存在或为稠合于相邻接芳环的苯基、萘基、吡啶基、喹啉基；
11、当x3-x6中任一者选自n原子，其余为cr时，式2结构可由下式2-3至式2-4任一结构表示：，其中，所述r可独立地选自氢、氰基、c1-c20烷基、c3-c20环烷基、c6-c30芳基、c5-c36杂芳基；当x3-x6中任意相邻两位均选自cr时，相邻的r可稠合成环c，所述环c独立地选自稠合于相邻接芳环的苯基、萘基、吡啶基、喹啉基；所述环b独立地选自不存在或为稠合于相邻接芳环的苯基、萘基、吡啶基、喹啉基。
12、更优选的，所述式2-1、式2-2中，环b各自独立地选自为萘基、吡啶基、喹啉基；所述式2-3、式2-4中，环b各自独立地选自为苯基、萘基，当存在环c时，环c独立地选自苯基、萘基。
13、根据一个或多个实施方案，本专利技术提供一种覆盖层用化合物，选自如下所示化学结构中的任意一种：
14、。
15、优选的，所述化合物满足以下条件：在460nm-620nm波长下的折射率n值介于1.80-2.30之间，且消光系数k值介于0.005-0.030之间。
16、本专利技术还提供了一种如上所述的覆盖层用化合物在有机电致发光器件中的应用。
17、本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，所述的有机电致发光器件包括：
18、基板层；
19、第一电极，该第一电极在所述基板之上；
20、有机发光功能层，该有机发光功能层在所述第一电极之上；
21、第二电极，该第二电极在所述有机发光功能层之上；
22、覆盖层，所述覆盖层在所述第二电极之上；所述的覆盖层包含有如上所述的覆盖层用化合物。
23、本专利技术还提供了一种组合物，所述组合物包含有如式1所述的覆盖层用化合物。
24、本专利技术还提供了一种制剂，所述制剂包含有如上式1所示结构的覆盖层用化合物或如上所述的组合物和至少一种溶剂。所述的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂，四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂，苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。
25、本专利技术的有机电致发光器件可用于oled照明或显示装置中。
26、本专利技术还提供了一种显示或照明装置，所述装置包含有如上所述有机电致发光器件中的一种或多种。
27、综上所述，相比现有技术来说，本专利技术具有以下有益效果：
28、本专利技术的覆盖层用化合物，通过限定含有苯并五元含氮杂环，以稠合的芳香基、稠合的杂芳基作为核心取代基团进行搭配，从而使化合物具有优异的发光效率以及较好的蒸镀稳定性；同时本专利技术所提供的覆盖层用化合物用于器件中，便于器件的蒸镀工艺的顺利进行，并有效提高有机发光器件的发光效率。
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1.一种覆盖层用化合物，其特征在于，所述化合物具有如下式1所示结构：
2.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式1中，L1选自单键或苯基。
3.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式1中， L2、L3各自独立地选自单键、苯基或结构；Ar1、Ar2各自独立地选自氰基、氰基取代或未取代的苯基、吡啶基或结构。
4.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式2中，当X3-X6均选自CR时，式2结构可由下式2-1至式2-2任一结构表示：，环B独立地选自不存在或为稠合于相邻接芳环的苯基、萘基、吡啶基、喹啉基；
5.根据权利要求4所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式2-1、式2-2中，环B各自独立地选自为萘基、吡啶基、喹啉基；所述式2-3、式2-4中，环B各自独立地选自为苯基、萘基，当存在环C时，环C独立地选自苯基、萘基。
6.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述的覆盖层用化合物选自如下所示化学结构中的任意一种：
7.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征
8.根据权利要求1-7任一项所述的覆盖层用化合物在制备有机电致发光器件中的应用。
9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述的有机电致发光器件包括：
10.一种组合物，其特征在于，所述组合物包含有如权利要求1-7任一项所述的覆盖层用化合物。
11.一种制剂，其特征在于，所述制剂包含有如权利要求1-7任一项所述的覆盖层用化合物和至少一种溶剂。
12.根据权利要求9所述的有机电致发光器件在显示或照明装置中的应用。
13.一种显示或照明装置，其特征在于，所述装置包含有如权利要求9所述的有机电致发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种覆盖层用化合物，其特征在于，所述化合物具有如下式1所示结构：
2.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式1中，l1选自单键或苯基。
3.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式1中， l2、l3各自独立地选自单键、苯基或结构；ar1、ar2各自独立地选自氰基、氰基取代或未取代的苯基、吡啶基或结构。
4.根据权利要求1所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式2中，当x3-x6均选自cr时，式2结构可由下式2-1至式2-2任一结构表示：，环b独立地选自不存在或为稠合于相邻接芳环的苯基、萘基、吡啶基、喹啉基；
5.根据权利要求4所述的覆盖层用化合物，其特征在于，所述式2-1、式2-2中，环b各自独立地选自为萘基、吡啶基、喹啉基；所述式2-3、式2-4中，环b各自独立地选自为苯基、萘基，当存在环c时，环c独立地选自苯基、萘基。
6.根据权利要求1所述的覆盖层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，孔祥贞，刘运起，叶绪兵，吴空物，章华星，赵晓宇，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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