【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件制造领域，特别涉及一种多层多圈线圈结构及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，线圈作为关键组件，广泛应用于各种工艺环节，如光刻、刻蚀、离子注入等，其性能直接影响到工艺精度和成品率。传统的半导体加工线圈设计主要局限于双层多圈或多层单圈结构。多层单圈结构：此类设计通过多层导电薄膜在绝缘膜两侧蚀刻制成单圈双层线圈，若干单圈双层线圈堆叠焊接而成多层单圈结构，如图1。双层多圈结构：如图2，多层薄膜在绝缘膜两侧分别蚀刻成多圈线圈，但是由于蚀刻的深宽比问题，双层多圈的线圈无法做到足够高。这种设计虽然在一定程度上满足了基本的工艺需求，但随着半导体技术的不断发展，对线圈的精度、稳定性和可靠性提出了更高要求。
2、若制造多层多圈线圈则在绝缘方面面临着严峻挑战。由于线圈层数增多且各层之间需要紧密排列以实现高效的电磁转换，层间绝缘成为了一个难以逾越的技术障碍。绝缘材料的选择、绝缘层的厚度、以及层间绝缘结构的优化设计，都是影响线圈性能的关键因素。若绝缘不足，易导致层间短路，引发设备故障甚至安全事故；若绝缘过厚，则会影响线圈的电磁性能和散热效率，降低整体工艺效果。
3、因此，亟需一种多层多圈线圈结构的制造方法，能够在保证高效电磁转换的同时，有效解决多层多圈绝缘问题，提高线圈的精度、稳定性和可靠性，以适应半导体制造技术的快速发展。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种多层多圈线圈结构及其制造方法，通过在线圈间隙设置绝缘层，解决多
2、本专利技术通过以下技术方案实现：
3、一种多层多圈线圈结构，包括至少两个子线圈、设置于相邻两子线圈之间的承接线圈、设置于所述子线圈与所述承接线圈之间的焊接层、以及设置于与焊接层相接触的线圈的线圈间隙的绝缘层；
4、子线圈及承接线圈均包括底面线圈、设置于所述底面线圈上的绝缘膜、设置于所述绝缘膜上的顶面线圈，所述绝缘膜上包括至少一个通孔，所述通孔内设置有触点，以使得位于该绝缘膜两侧的底面线圈与顶面线圈之间电接触；
5、位于同一焊接层两侧的线圈的圈数相同、且大于1。
6、进一步地，所述焊接层两侧的线圈的起始端及末端分别对齐。
7、进一步地，所述承接线圈的线宽小于所述子线圈的线宽。
8、进一步地，所述承接线圈的线圈高度小于所述子线圈的线圈高度。
9、一种多层多圈线圈结构的制造方法，包括如下步骤：
10、s1、制备若干第一整版线圈和第二整版线圈，第一整版线圈包括若干阵列排布的子线圈，第二整版线圈包括若干阵列排布的承接线圈，每一子线圈及承接线圈均为双面线圈，每一面线圈圈数＞1；
11、s2、对第二整版线圈的上下表面设置焊接层；对第一整版线圈的线圈间隙印刷环氧型助焊膏；
12、s3、将经过s2处理后的第一整版线圈和第二整版线圈交替重叠形成整版线圈组，相接触的子线圈与承接线圈圈数相同、且相互对齐；
13、s4、对重叠好的整版线圈组进行热压；
14、s5、切割，得到由若干子线圈与承接线圈交替层叠设置的单体线圈。
15、进一步地，对第二整版线圈的上下表面设置焊接层的方法包括：在第二整版线圈的上下表面电镀锡形成焊接层。
16、进一步地，制备若干第一整版线圈或者是第二整版线圈的方法包括：
17、s11、铺设第一导电金属膜；
18、s12、将第一导电金属膜蚀刻出若干个底面线圈图案，线圈圈数≥1；
19、s13、在第一导电金属膜上方铺设绝缘膜，绝缘膜上设置有通孔，通孔与底面线圈的末端一一对应；
20、s14、通孔内设置触点，触点的上端面凸出于绝缘膜的上表面；
21、s15、在绝缘膜上方铺设第二导电金属膜；
22、s16、将第二导电金属膜蚀刻出若干个顶面线圈图案，线圈圈数≥1，顶面线圈与触点相接触，形成双面多圈线圈结构，同一双面多圈线圈结构的顶面线圈与底面线圈的圈数相同或不同。
23、进一步地，制备若干第一整版线圈的方法还包括：s17、对双面多圈线圈结构进行电镀，以增加底面线圈和/或顶面线圈的高度至所需高度。
24、进一步地，所述第二整版线圈的线圈高度小于所述第一整版线圈的线圈高度。
25、进一步地，所述承接线圈的线宽小于所述子线圈的线宽。
26、与现有技术相比，本专利技术技术方案及其有益效果如下：
27、(1)本专利技术在第一整版线圈的线圈间隙印刷环氧型助焊膏，一方面便于后续热压时有润湿助焊作用，一方面高温后树脂可以固化形成绝缘层，从而解决线圈间隙空洞问题，从而满足多层多圈线圈的绝缘要求。第二整版线圈的线宽小于第一整版线圈的线宽，从而减少了子线圈与承接线圈的对位精度，降低了制造难度；第二整版线圈的高度小于第一整版线圈的高度，形成相同层数的线圈结构，本结构高度低于传统工艺将若干子线圈通过锡焊连接而形成多层线圈结构，从而利于产品小型化。
28、(2)本专利技术相邻子线圈的相对面线圈的圈数也可以不同，仅需位于相邻子线圈之间的承接线圈的圈数与子线圈相焊接的一面的圈数相同即可，通过采用更薄更窄的承接线圈来实现两个不同圈数的子线圈的连接，从而实现多层多圈线圈的多样化设计。
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1.一种多层多圈线圈结构，其特征在于，包括至少两个子线圈、设置于相邻两子线圈之间的承接线圈、设置于所述子线圈与所述承接线圈之间的焊接层、以及设置于与焊接层相接触的线圈的线圈间隙的绝缘层；
2.根据权利要求1所述的一种多层多圈线圈结构，其特征在于，所述焊接层两侧的线圈的起始端及末端分别对齐。
3.根据权利要求1所述的一种多层多圈线圈结构，其特征在于，所述承接线圈的线宽小于所述子线圈的线宽。
4.根据权利要求1所述的一种多层多圈线圈结构，其特征在于，所述承接线圈的线圈高度小于所述子线圈的线圈高度。
5.一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在于，对第二整版线圈的上下表面设置焊接层的方法包括：在第二整版线圈的上下表面电镀锡形成焊接层。
7.根据权利要求5所述的一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在于，制备若干第一整版线圈或者是第二整版线圈的方法包括：
8.根据权利要求7所述的一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在于，所述第二整版线圈的线圈高度小于所述第一整版线圈的线圈高度。
10.根据权利要求5所述的一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在于，所述承接线圈的线宽小于所述子线圈的线宽。
...【技术特征摘要】
1.一种多层多圈线圈结构，其特征在于，包括至少两个子线圈、设置于相邻两子线圈之间的承接线圈、设置于所述子线圈与所述承接线圈之间的焊接层、以及设置于与焊接层相接触的线圈的线圈间隙的绝缘层；
2.根据权利要求1所述的一种多层多圈线圈结构，其特征在于，所述焊接层两侧的线圈的起始端及末端分别对齐。
3.根据权利要求1所述的一种多层多圈线圈结构，其特征在于，所述承接线圈的线宽小于所述子线圈的线宽。
4.根据权利要求1所述的一种多层多圈线圈结构，其特征在于，所述承接线圈的线圈高度小于所述子线圈的线圈高度。
5.一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种多层多圈线圈结构的制造方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁富建，刘健华，
申请(专利权)人：英麦科磁集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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