【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种研磨液臂装置与晶圆研磨方法。
技术介绍
1、在半导体制程中，接触孔(contact loop)的制作工艺对于集成电路的形成至关重要，直接影响器件的反应速度和整体性能，接触孔的制作工艺包括光刻、刻蚀、沉积、研磨等过程。因apf镀膜(advanced patterning film)与黄光洗边，会使得晶圆边缘区域的ild介电层高度比晶圆中部区域的ild介电层高度低，进而造成晶圆边缘区域的金属层高度比晶圆中部区域的金属层高度低，化学机械研磨后晶圆边缘区域的金属造成残留。
2、去除晶圆边缘区域金属残留的一种方法是在化学机械研磨时对晶圆的边缘区域进行加压多磨，以防止晶圆边缘区域金属残留，但是会造成靠近边缘区域的接触孔过磨；另一种方法是化学机械研磨后，采用干法刻蚀或湿法刻蚀去除晶圆边缘区域的残留金属，但是会增加工艺复杂性，增加制作成本。
3、因此，如何提供一种研磨液臂装置与晶圆研磨方法，以避免晶圆边缘区域金属残留，降低成本，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种研磨液臂装置与晶圆研磨方法，用于解决现有技术中化学机械研磨后晶圆边缘区域金属残留的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种研磨液臂装置，包括：
3、臂本体，所述臂本体的内部设有研磨液管；
4、三叉通道结构，所述三叉通道结构包括共用通道、第一出液通道和第二
5、控制件，用于控制研磨液通过所述研磨液管、所述共用通道后流入所述第一出液通道或所述第二出液通道；
6、夹板，位于所述第二出液通道远离所述三通阀的一端，所述夹板包括上夹板和下夹板，所述上夹板和所述下夹板能够夹持晶圆，其中，所述下夹板朝向所述上夹板的一侧设有打磨垫。
7、可选地，所述上夹板、所述下夹板和所述第二出液通道的端部组合呈“c”型结构。
8、可选地，所述控制件包括三通阀，所述三通阀位于所述共用通道、所述第一出液通道和所述第二出液通道的交叉区域，所述三通阀与控制设备连接，以控制所述研磨液从所述第一出液通道流出或从所述第二出液通道流出。
9、可选地，所述上夹板和所述下夹板之间的距离能够调节。
10、本专利技术还提供一种晶圆研磨方法，包括以下步骤：
11、提供化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置包括上述任一项所述的研磨液臂装置；
12、提供晶圆，所述晶圆包括中部区域和边缘区域，所述边缘区域位于所述中部区域的外围，所述中部区域的金属层顶部凸出于介质层的顶部，所述边缘区域的金属层顶部低于介质层的顶部；
13、由所述第一出液通道提供研磨液，对所述中部区域的所述金属层进行研磨；
14、由所述第二出液通道提供研磨液，对所述边缘区域的所述金属层进行研磨，其中，移动所述晶圆至预设位置，由所述上夹板和所述下夹板夹持所述边缘区域，所述边缘区域的所述金属层与位于所述下夹板上的所述打磨垫接触。
15、可选地，所述化学机械研磨装置还包括研磨头、研磨盘和研磨垫，其中，由所述研磨头带动所述晶圆移动，使得所述中部区域的所述金属层与位于所述研磨盘上的所述研磨垫接触，以对位于所述中部区域的所述金属层进行研磨。
16、可选地，对位于所述中部区域的所述金属层进行研磨时，由所述研磨头带动所述晶圆旋转，和/或由所述研磨盘带动所述研磨垫旋转。
17、可选地，所述中部区域的所述金属层完成研磨后，由所述研磨头带动所述晶圆脱离所述研磨垫，并使得所述边缘区域位于所述上夹板与所述下夹板之间。
18、可选地，对位于所述边缘区域的所述金属层进行研磨时，由所述研磨头带动所述晶圆旋转。
19、可选地，所述金属层的材质采用钨，所述研磨液采用钨研磨液。
20、如上所述，本专利技术的研磨液臂装置与晶圆研磨方法中，三叉通道结构包括第一出液通道和第二出液通道，第一出液通道用于对晶圆的中心区域研磨时提供研磨液，第二出液通道用于对晶圆的边缘区域研磨时提供研磨液，其中，第二出液通道远离第一出液通道的一端设有夹板，夹板能够夹持晶圆的边缘区域以对晶圆的边缘区域进行研磨，以避免晶圆边缘区域金属残留。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种研磨液臂装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨液臂装置，其特征在于：所述上夹板、所述下夹板和所述第二出液通道的端部组合呈“C”型结构。
3.根据权利要求1所述的研磨液臂装置，其特征在于：所述控制件包括三通阀，所述三通阀位于所述共用通道、所述第一出液通道和所述第二出液通道的交叉区域，所述三通阀与控制设备连接，以控制所述研磨液从所述第一出液通道流出或从所述第二出液通道流出。
4.根据权利要求1所述的研磨液臂装置，其特征在于：所述上夹板和所述下夹板之间的距离能够调节。
5.一种晶圆研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述化学机械研磨装置还包括研磨头、研磨盘和研磨垫，其中，由所述研磨头带动所述晶圆移动，使得所述中部区域的所述金属层与位于所述研磨盘上的所述研磨垫接触，以对位于所述中部区域的所述金属层进行研磨。
7.根据权利要求6所述的晶圆研磨方法，其特征在于：对位于所述中部区域的所述金属层进行研磨时，由所述研磨头带动所述晶圆旋转，和/或由所述研
8.根据权利要求6所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述中部区域的所述金属层完成研磨后，由所述研磨头带动所述晶圆脱离所述研磨垫，并使得所述边缘区域位于所述上夹板与所述下夹板之间。
9.根据权利要求8所述的晶圆研磨方法，其特征在于：对位于所述边缘区域的所述金属层进行研磨时，由所述研磨头带动所述晶圆旋转。
10.根据权利要求5所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述金属层的材质采用钨，所述研磨液采用钨研磨液。
...【技术特征摘要】
1.一种研磨液臂装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的研磨液臂装置，其特征在于：所述上夹板、所述下夹板和所述第二出液通道的端部组合呈“c”型结构。
3.根据权利要求1所述的研磨液臂装置，其特征在于：所述控制件包括三通阀，所述三通阀位于所述共用通道、所述第一出液通道和所述第二出液通道的交叉区域，所述三通阀与控制设备连接，以控制所述研磨液从所述第一出液通道流出或从所述第二出液通道流出。
4.根据权利要求1所述的研磨液臂装置，其特征在于：所述上夹板和所述下夹板之间的距离能够调节。
5.一种晶圆研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述化学机械研磨装置还包括研磨头、研磨盘和研磨垫，其中，由所述研磨头带动所述晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：李韦坤，李昱廷，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。