【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别是涉及一种化学气相沉积设备的排气装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称cvd)是一种制造薄膜的半导体工艺。传统化学气相沉积装置通常包括有水平置放的载盘和位于载盘上方的供气头。供气头提供反应气体至承载于载盘上的一片或多片晶圆。反应气体与晶圆反应后，在晶圆上形成所需的薄膜。
2、化学气相沉积设备对反应腔体内真空度、薄膜沉积的均匀性具有较高的要求。现有技术中，化学气相沉积设备的排气装置的抽离作用可导致反应气体浓度下降，使得晶圆表面金属薄膜沉积厚度不均，降低了晶圆的良率。因此，存在待改进之处。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种化学气相沉积设备的排气装置及化学气相沉积设备，用于解决现有技术因排气装置的抽离作用导致的反应气体浓度下降，晶圆表面金属薄膜沉积厚度不均的技术问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种化学气相沉积设备的排气装置，包括：
3、排气壳体，开设有进气口和出气口，所述进气口和所述出气口连通以形成排气通道；以及
4、多个分隔板，所述分隔板开设有多个通气孔，多个所述分隔板连接于所述排气通道内；
5、其中，多个所述分隔板位于同一平面内。
6、在本技术一实施例中，所述排气壳体包括多个壳体分段，多个所述壳体分段依次连接，其中，每个所述分隔板连接于一个所述壳体分段内。
...【技术保护点】
1.一种化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述排气壳体包括多个壳体分段，多个所述壳体分段依次连接，其中，每个所述分隔板连接于一个所述壳体分段内。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述壳体分段为薄壁结构，所述壳体分段的横截面为圆角矩形形状。
4.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述进气口位于所述排气壳体一端的所述壳体分段上，所述进气口沿所述壳体分段的端面边缘开设。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述出气口与所述进气口位于同一所述壳体分段上，所述出气口开设于所述壳体分段的端面与底面的连接处。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，多个所述通气孔为矩形阵列分布。
7.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述通气孔为圆孔、椭圆孔或矩形孔。
8.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备的排气装
9.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，相邻所述通气孔之间的间距为0.2～0.6倍所述通气孔的最大孔径宽度。
10.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1至权利要求9任一项所述的化学气相沉积设备的排气装置。
...【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述排气壳体包括多个壳体分段，多个所述壳体分段依次连接，其中，每个所述分隔板连接于一个所述壳体分段内。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述壳体分段为薄壁结构，所述壳体分段的横截面为圆角矩形形状。
4.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述进气口位于所述排气壳体一端的所述壳体分段上，所述进气口沿所述壳体分段的端面边缘开设。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备的排气装置，其特征在于，所述出气口与所述进气口位于同一所述壳体分段上，所述出气口...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴东东，裴子文，邢志同，王洋，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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