一种散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构制造技术

本技术适用于电子器件的封装外壳技术领域，提供了一种散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构。该陶瓷管壳结构包括：CPGA管壳瓷件、PIN针和热沉块，所述PIN针固定在所述CPGA管壳瓷件的底部两端，在所述CPGA管壳瓷件底部的两端之间的中心区域设置有安装槽，所述热沉块固定在所述安装槽内，将热量从所述CPGA管壳瓷件内部导向外面，该陶瓷管壳结构插拔方便，且在增加与外部结构间的电连接通道数目的基础上，提升了外壳的散热功能。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子器件的封装外壳，尤其涉及一种散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构。

技术介绍

1、陶瓷管壳由陶瓷材料、金属材料和导体材料组成，其中陶瓷材料是陶瓷外壳的核心结构。氧化铝陶瓷具有硬度高、耐磨损、绝缘性好、耐化学腐蚀等优点，但其导热性能相对较差，有时无法满足器件高功率的要求，因此需要提高散热以提高管壳电性能的可靠性。

2、主要应用于红外探测领域的cpga(陶瓷针栅阵列)管壳是一种专为更大的芯片设计的封装形式，其外部引脚以针的形式从封装体的底部伸出，在封装体内部形成的空洞内完成芯片贴装。蝶形管壳同样适用于较大的芯片封装，散热性能好，但体积较大，使用不方便。相比之下cpga封装形式的优势是插拔方便，增加了与外部结构间的电连接通道数目，但导热性不如蝶形管壳。

3、常规cpga管壳底部及四周均为陶瓷，芯片固定在陶瓷底部上，陶瓷背面焊接pin针。芯片内部由于微小漏电流的存在，始终存在欧姆定律发热，长此以往导致内部积热严重，热电阻效应明显，更甚者烧坏芯片，由此看来芯片的散热显得尤为重要。

4、通常通过在瓷件底部芯片焊接区域打孔、填孔的导体材料来提高管壳散热性能，但散热效果不太理想，因此，亟需寻求一种更好的方法来进一步提高管壳散热性能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术实施例提供了一种散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构，旨在解决现有的电子封装用陶瓷管壳散热性能差的问题。

2、本技术实施例第一方面提供了一种散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构，包括：cpga管壳瓷件、pin针和热沉块；

3、所述pin针固定在所述cpga管壳瓷件的底部两端；

4、在所述cpga管壳瓷件底部的两端之间的中心区域设置有安装槽，所述热沉块固定在所述安装槽内，将热量从所述cpga管壳瓷件内部导向外面。

5、作为本申请另一实施例，所述pin针的数量为至少两个；

6、所述至少两个pin针按照预设间隔距离均匀焊接在所述cpga管壳瓷件的底部两端。

7、作为本申请另一实施例，所述热沉块的外侧面与所述安装槽的内侧面焊接，所述热沉块的下表面凸出所述安装槽的底部。

8、作为本申请另一实施例，所述cpga管壳瓷件的内部为腔体结构；

9、所述cpga管壳瓷件的内侧壁和外表面均镀有镍金；

10、所述热沉块的下表面和所诉pin针的外表面分别镀有镍金。

11、作为本申请另一实施例，上述散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构，还包括：芯片；

12、所述芯片设置在所述cpga管壳瓷件的腔体内，且所述芯片的上表面置于所述热沉块的上表面；

13、在所述芯片的下表面的引脚焊接在所述cpga管壳瓷件的腔体内。

14、作为本申请另一实施例，所述cpga管壳瓷件的腔体内的预设位置设置焊接点，所述焊接点用于焊接所述芯片的引脚。

15、作为本申请另一实施例，上述散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构，还包括：锗窗；

16、所述锗窗与所述cpga管壳瓷件的顶部平面紧密连接，用于封闭所述cpga管壳瓷件的腔体的开口。

17、作为本申请另一实施例，上述散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构，还包括：可伐环；

18、所述可伐环焊接在所述cpga管壳瓷件的锗窗的上表面。

19、作为本申请另一实施例，所述cpga管壳瓷件的腔体内为真空。

20、作为本申请另一实施例，所述cpga管壳瓷件的腔体内填充有氮气。

21、本技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本技术实施例，在cpga管壳瓷件的底部两端焊接有pin针，并在cpga管壳瓷件的底部两端之间的中心区域设置安装槽，用于装入热沉块来将cpga管壳瓷件内产生的热量导向外面，该陶瓷管壳结构插拔方便，并且在增加与外部结构间的电连接通道数目的基础上提升了陶瓷管壳的散热功能。

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【技术保护点】

1.一种散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构，其特征在于，包括：CPGA管壳瓷件、PIN针、热沉块、和锗窗；

2.根据权利要求1所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述PIN针的数量为至少两个；

3.根据权利要求2所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述热沉块的外侧面与所述安装槽的内侧面焊接，所述热沉块的下表面凸出所述安装槽的底部。

4.根据权利要求3所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述CPGA管壳瓷件的内侧壁和外表面均镀有镍金；

5.根据权利要求4所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，还包括：芯片；

6.根据权利要求5所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述CPGA管壳瓷件的腔体内的预设位置设置焊接点，所述焊接点用于焊接所述芯片的引脚。

7.根据权利要求1所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，还包括：可伐环；

8.根据权利要求4-6任一项所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述CPGA管壳瓷件的腔体内为真空。

9.根据权利要求4-6任一项所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述CPGA管壳瓷件的腔体内填充有氮气。>...

【技术特征摘要】

1.一种散热性能好的高集成度陶瓷管壳结构，其特征在于，包括：cpga管壳瓷件、pin针、热沉块、和锗窗；

2.根据权利要求1所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述pin针的数量为至少两个；

3.根据权利要求2所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述热沉块的外侧面与所述安装槽的内侧面焊接，所述热沉块的下表面凸出所述安装槽的底部。

4.根据权利要求3所述的陶瓷管壳结构，其特征在于，所述cpga管壳瓷件的内侧壁和外表面均镀有镍金；

5.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蝉，李玮，何峰，孙静，高迪，曹紫辉，
申请(专利权)人：河北中瓷电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：