【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种特殊布料的制造方法，尤其涉及一种镀膜布的制造方法。
技术介绍
1、随着各行各业技术的高速发展，工程师们对于所需开发的产品的预期效果也提出了更加精细化的要求和指标。同时，工程师们在寻求技术突破时，也更加的注重跨领域及团队的协作。传统用于装饰、保暖、遮挡等用的布料，在如技术高速发展的今天，也赋予了更多的功能；使这些传统的布料焕发出了异样的光彩。比如，具有导电功能的布料、具有防电磁辐射的布料、具有激光防护功能的布料及反光布料等等，这些具有特殊功能的布料有一个共同的特点，就是其在布料的表层喷涂有与之特殊功能对于的特殊涂层，从而使得布料具有特殊功能。现有这种通过喷涂的方式来形成的涂层，一方面是涂层附着能力差，经不起布料的卷折，很容易就裂开和脱落，从而造成特殊功能的丧失；另一方面，涂层厚度不均匀，导致功能性差异大，仅能用于基本的日常使用，无法用于对功能和稳定性具有一定要求的行业和产品。除此之外，许多新型材料例如硅、氧化锡、类金刚石镀膜(dlc)、氮化硅、氮化钛等新材料无法喷涂的方式形成在布料上，因此使得布料特殊化功能的开发受到限制。
2、因此，亟需提供一种镀膜层附着能力强且均匀性和一致性好的镀膜布制造方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种镀膜布制造方法，该镀膜布制造方法所制造出的镀膜布的镀膜层附着能力强且均匀性和一致性好。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种镀膜布制造方法，其包括如下步骤：
3、步骤s1：提供若干缠绕有
4、步骤s2：将纱线卷上的纱线呈等间距且并排的水平穿过第一镀膜装置的第一沉积腔，所述第一镀膜装置为pecvd镀膜装置，穿过第一镀膜装置的纱线在所述第一沉积腔内进行等离子体沉积镀膜形成一层镀膜层；
5、步骤s3：将具有镀膜层的纱线输入织布机中，所述织布机对输入的纱线进行经纬编织形成布胚；
6、步骤s4：将所述布胚呈水平的穿过第二镀膜装置，所述第二镀膜装置对穿过其内的布胚进行正反面的同时等离子体沉积镀膜形成镀膜布；所述第二镀膜装置包括连接件及两产生等离子体的pecvd机构，两所述pecvd机构借由所述连接件的连接形成一体式结构，两所述pecvd机构呈上下对称的设置在所述连接件的两侧；所述连接件呈中空结构，所述中空结构形成第二沉积腔，两所述pecvd机构的电离辉光区与所述第二沉积腔连通，所述连接件正对所述第二沉积腔贯穿开设有供布胚穿过第二沉积腔的通口，所述布胚于所述第二沉积腔内进行正反面的同时等离子体沉积镀膜而形成所述镀膜布；
7、步骤s5：收卷所述镀膜布呈捆状。
8、与现有技术相比，本专利技术通过第一镀膜装置对每根纱线都进行等离子体沉积镀膜，使得纱线的表面都形成一层镀膜层；由于第一镀膜装置采用的是pecvd镀膜装置，因此纱线表面的镀膜层的厚度在纳米级别，不会对纱线的尺寸造成实质性的影响，使得纱线在物理及化学特性保持原有机械特性的基础上增加新的功能，该增加的新的功能为镀膜层所对应具有的功能。本专利技术通过对镀膜后的纱线进行经纬编织而形成布料结构的布胚，随后通过第二镀膜装置对布胚的正反面同时进行等离子体的沉积镀膜，使得由具有镀膜层的纱线形成的布胚外再沉积镀膜一层镀膜层，进而形成所需的镀膜布。由于布胚穿过的第二镀膜装置的第二沉积腔的两侧是呈对称设置的相同的pecvd机构，因此第二沉积腔内形成了均匀的等离子体，因此第二镀膜装置能对布胚的正反面同时进行等离子体的沉积镀膜。第二镀膜装置同样采用的是pecvd镀膜方式，因此布胚上形成的镀膜层的厚度为纳米级别，不会对布的尺寸造成实质性的影响，使得按照本专利技术的方法制造出的镀膜布在物理及化学特性保持原有机械特性的基础上增加新的功能，该增加的新的功能为镀膜层所对应具有的功能。本专利技术由于采用两对称设置的pecvd机构具体对布胚的正反面同时进行沉积镀膜而形成镀膜布，既确保了镀膜层附着的稳定性，又进一步的确保了正反面镀膜层的均匀性和一致性，进而有效的确保了本专利技术所生产出的镀膜布的功能的稳定性和一致性。使得制造出的镀膜布的物理及化学特性在保持原有机械特性的同时，还增加了镀膜层材料所对应具有的特殊功能；本专利技术纱线上所形成的镀膜层与布胚上所形成的镀膜层可以相同也可以不同，相同使得本专利技术制造出的镀膜布所形成的新的特殊功能更加的稳定和可靠；不同使得本专利技术制造出的镀膜布具有对应两个镀膜层所具有的特色功能；当然不同也可以理解为，纱线上所形成的镀膜层是为了料胚上所形成的镀膜层能更好的附着于其上而设置的辅助层。
9、较佳地，本专利技术的镀膜布制造方法中，所述pecvd机构包括布气盒、电极件及支撑框，所述布气盒呈中空结构，所述中空结构形成气源腔，所述布气盒上设有与所述气源腔连通的供工艺气体通入的进气通道，所述布气盒的底部呈导电结构，所述布气盒的底部贯穿开设有若干通孔；所述支撑框呈绝缘结构，所述支撑框与所述布气盒的底部连接；所述电极件呈格栅结构，所述电极件连接于所述支撑框内，所述布气盒的底部借由所述支撑框与所述电极件呈正对的距离一定间距的平行设置，所述布气盒的底部借由所述支撑框与所述电极件呈绝缘设置，所述布气盒的底部与所述电极件之间的间距形成供工艺气体电离的所述电离辉光区；所述气源腔借由所述通孔与所述电离辉光区连通；两所述pecvd机构的支撑框正对对接连接形成所述连接件，两所述支撑框正对连接使两所述电极件之间距离一定间隙，所述间隙于所述连接件内形成所述第二沉积腔，所述电离辉光区借由格栅结构与所述第二沉积腔连通；所述连接件上贯穿开设有用于与外界抽气装置连通的抽气孔，所述抽气孔连通所述第二沉积腔；所述布气盒的底部及所述电极件分别对应与电源的两极电性连接。
10、较佳地，本专利技术的镀膜布制造方法中，所述支撑框上对应所述电极件的格栅结构开设有插孔，所述电极件可拆卸的插设于所述插孔内。
11、较佳地，本专利技术的镀膜布制造方法中，所述电极件包括导电条及电极条，所述电极条呈等间距且平行的连接于所述导电条上，所述电极条之间的等间距设置形成所述格栅结构，所述电极条的自由端呈可拆卸的插入所述插孔内。
12、较佳地，本专利技术的镀膜布制造方法中，所述第一镀膜装置包括：
13、电极板；
14、第一布气盒，所述第一布气盒呈导电的中空结构，所述第一布气盒与所述电极板平行且正对设置，所述电极板位于所述第一布气盒正上方，所述第一布气盒的底部贯穿开设有若干供等离子体通过的沉积口；
15、绝缘围挡，所述绝缘围挡环绕设置于所述电极板与所述第一布气盒的顶部之间的边界，所述电极板与所述第一布气盒的顶部之间的区域借由所述绝缘围挡围合形成一封闭的第一电离辉光区，所述第一电离辉光区的右侧开设有供工艺气体进入的进气口，所述第一电离辉光区的左侧开设有供等离子体进入第一布气盒内的出气口，所述第一布气盒借由所述出气口与所述第一电离辉光区连通；
16、沉积箱，所述沉积箱呈上长敞口的中空结构，所述中空结构形成第一沉积腔，所述沉积箱与所述第一布气盒连接并位于所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种镀膜布制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述PECVD机构包括布气盒、电极件及支撑框，所述布气盒呈中空结构，所述中空结构形成气源腔，所述布气盒上设有与所述气源腔连通的供工艺气体通入的进气通道，所述布气盒的底部呈导电结构，所述布气盒的底部贯穿开设有若干通孔；所述支撑框呈绝缘结构，所述支撑框与所述布气盒的底部连接；所述电极件呈格栅结构，所述电极件连接于所述支撑框内，所述布气盒的底部借由所述支撑框与所述电极件呈正对的距离一定间距的平行设置，所述布气盒的底部借由所述支撑框与所述电极件呈绝缘设置，所述布气盒的底部与所述电极件之间的间距形成供工艺气体电离的所述电离辉光区；所述气源腔借由所述通孔与所述电离辉光区连通；两所述PECVD机构的支撑框正对对接连接形成所述连接件，两所述支撑框正对连接使两所述电极件之间距离一定间隙，所述间隙于所述连接件内形成所述第二沉积腔，所述电离辉光区借由格栅结构与所述第二沉积腔连通；所述连接件上贯穿开设有用于与外界抽气装置连通的抽气孔，所述抽气孔连通所述第二沉积腔；所述布气盒的底部及所述电极件
3.如权利要求2所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述支撑框上对应所述电极件的格栅结构开设有插孔，所述电极件可拆卸的插设于所述插孔内。
4.如权利要求3所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述电极件包括导电条及电极条，所述电极条呈等间距且平行的连接于所述导电条上，所述电极条之间的等间距设置形成所述格栅结构，所述电极条的自由端呈可拆卸的插入所述插孔内。
5.如权利要求1所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述第一镀膜装置包括：电极板；
6.如权利要求5所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述沉积口呈孔状结构，所述沉积口呈阵列状设置，所述沉积口的孔径从左至右依次逐渐增加。
7.如权利要求5所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述沉积口呈条状的通槽结构，所述沉积口呈并排设置，所述沉积口的槽口宽度从左至右依次逐渐增加。
8.如权利要求5所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述沉积箱的两相对侧壁上设有纱线导向件，所述纱线导向件上对应纱线开设有供纱线穿过的导向孔，所述导向孔与所述第一沉积腔连通；所述导向孔等间距的排列于一条水平线上。
...【技术特征摘要】
1.一种镀膜布制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的镀膜布制造方法，其特征在于，所述pecvd机构包括布气盒、电极件及支撑框，所述布气盒呈中空结构，所述中空结构形成气源腔，所述布气盒上设有与所述气源腔连通的供工艺气体通入的进气通道，所述布气盒的底部呈导电结构，所述布气盒的底部贯穿开设有若干通孔；所述支撑框呈绝缘结构，所述支撑框与所述布气盒的底部连接；所述电极件呈格栅结构，所述电极件连接于所述支撑框内，所述布气盒的底部借由所述支撑框与所述电极件呈正对的距离一定间距的平行设置，所述布气盒的底部借由所述支撑框与所述电极件呈绝缘设置，所述布气盒的底部与所述电极件之间的间距形成供工艺气体电离的所述电离辉光区；所述气源腔借由所述通孔与所述电离辉光区连通；两所述pecvd机构的支撑框正对对接连接形成所述连接件，两所述支撑框正对连接使两所述电极件之间距离一定间隙，所述间隙于所述连接件内形成所述第二沉积腔，所述电离辉光区借由格栅结构与所述第二沉积腔连通；所述连接件上贯穿开设有用于与外界抽气装置连通的抽气孔，所述抽气孔连通所述第二沉积腔；所述布气盒的底部及所述电极件分别对应与电源的两...
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