System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 液晶介质制造技术_技高网

液晶介质制造技术

技术编号:43272438 阅读:14 留言:0更新日期:2024-11-12 15:59
本发明专利技术涉及液晶介质(尤其基于极性化合物的混合物),和涉及其用于有源矩阵显示器(尤其基于VA、SA‑VA、IPS、PS‑IPS、FFS、PS‑FFS、UB‑FFS或PS‑UB‑FFS效应)的用途。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶介质(尤其基于极性化合物的混合物),和涉及其用于有源矩阵显示器(尤其是基于va、sa-va、ips、ps-ips、ffs、ps-ffs、ub-ffs或ps-ub-ffs效应)的用途。


技术介绍

1、此类型介质可尤其用于基于ecb效应的具有有源矩阵寻址的电光显示器及ips(面内切换型)显示器或ffs(边缘场切换型)显示器。

2、电控双折射、ecb效应亦或dap(配向相畸变)效应的原理首次描述于1971年(m.f.schieckel和k.fahrenschon,“deformation of nematic liquid crystals withvertical orientation in electrical fields”,appl.phys.lett.19(1971),3912)。这随后描述于j.f.kahn(appl.phys.lett.20(1972),1193)及g.labrunie和j.robert(j.appl.phys.44(1973),4869)的论文中。

3、j.robert和f.clerc(sid 80digest techn.papers(1980),30)、j.duchene(displays 7(1986),3)以及h.schad(sid 82digest techn.papers(1982),244)的论文显示液晶相必须具有高数值的弹性常数比k3/k1、高数值的光学各向异性δn和δε≤-0.5的介电各向异性值以适用于基于ecb效应的高信息显示器元件。基于ecb效应的电光显示器元件具有垂面边缘配向(va技术=垂直配向)。介电负性液晶介质也可用于使用所谓ips或ffs效应的显示器。

4、除了ips(面内切换)显示器(例如:yeo,s.d.,论文15.3:“an lc display for thetv application”,sid 2004international symposium,digest of technical papers,xxxv,book ii,pp.758&759)和长久已知的tn(扭曲向列)显示器外,使用ecb效应的显示器,如例如在mva(多域垂面配向,例如:yoshide,h.等,论文3.1:“mva lcd for notebook ormobile pcs...”,sid 2004international symposium,digest of technical papers,xxxv,book i,pp.6至9,和liu,c.t.等,论文15.1:“a 46-inch tft-lcd hdtvtechnology...”,sid 2004international symposium,digest of technical papers,xxxv,book ii,pp.750至753)、pva(图案化垂直配向,例如:kim,sang soo,论文15.4:“super pva sets new state-of-the-art for lcd-tv”,sid 2004internationalsymposium,digest of technical papers,xxxv,book ii,pp.760至763)、asv(先进超视角,例如:shigeta,mitzuhiro和fukuoka,hirofumi,论文15.2:"development of highquality lcdtv",sid 2004international symposium,digest of technical papers,xxxv,book ii,pp.754至757)模式中的所谓的van(垂直配向向列)显示器,自身已确立为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一,特别是对于电视应用而言。该技术以一般形式进行比较,例如,在souk,jun,sid seminar 2004,seminar m-6:“recent advances in lcdtechnology”,seminar lecture notes,m-6/1至m-6/26,和miller,ian,sid seminar2004,seminar m-7:“lcd-television”,seminar lecture notes,m-7/1至m-7/32中。虽然现代ecb显示器的响应时间已通过在超速驱动下的寻址方法得以显著改进,例如:kim,hyeon kyeong等,论文9.1:“a 57-in.wide uxga tft-lcd for hdtv application”,sid2004international symposium,digest of technical papers,xxxv,book i,pp.106至109,但获得视频相容响应时间,特别是灰阶切换,仍为尚未得到满意解决的问题。

5、该效应在电光显示器元件中的工业应用需要lc相,其必须满足多种要求。此处尤为重要的是对水分的化学耐受性、空气和物理影响,例如热、红外线、可见光和紫外辐射以及直流和交流电场。

6、此外,工业可用lc相需要在适合的温度范围和低粘度下具有液晶介晶相。

7、迄今公开的具有液晶介晶相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化合物。因此,通常制备2-25种,优选3-18种化合物的混合物以获得可用作lc相的物质。然而,还没有可能以该方式容易地制备最优相,因为目前还没有可用的具有显著介电负性各向异性和适当长期稳定性的液晶材料。

8、已知矩阵液晶显示器(mlc显示器)。可用于单像素单切换的非线性元件为,例如,有源元件(即晶体管)。因而使用术语“有源矩阵”,其中可区分为以下两种类型:

9、1.位于硅晶片(作为基板)上的mos(金属氧化物半导体)晶体管

10、2.位于玻璃板(作为基板)上的薄膜晶体管(tft)。

11、在1型的情况下,使用的电光效应通常为动态散射或宾主效应。使用单晶硅作为基板材料限制了显示器尺寸,因为即使各种部件显示器的模块化组装也会在接合处产生问题。

12、在优选的更有希望的2型的情况下,所使用的电光效应通常为tn效应。

13、两种技术之间存在区别:包含化合物半导体(例如,cdse)的tft,或基于多晶或无定形硅的tft。后一技术正于全球范围内集中研发中。

14、tft矩阵应用于显示器的一个玻璃板的内侧,同时另一个玻璃板于其内侧携带透明反电极。与像素电极的尺寸相比,tft非常小并且几乎对影像无不利影响。该技术也可扩展至全色功能显示器,其中红、绿和蓝色滤光器的镶嵌块以如此方式设置以致滤光器元件相对于每个可切换像素。

15、此处术语mlc显示器覆盖了带有整体非线性元件的任意矩阵显示器,即除了有源矩阵外,也包括带有无源元件的显示器,如压敏电阻或二极管(mim=金属-绝缘体-金属)。

16、该类型mlc显示器特别适用于tv应用(例如袖珍tv)或用于汽车或飞机构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.液晶(LC)介质,其具有负的介电各向异性并且包含一种或多种选自式B和C的化合物以及一种或多种式G的化合物

2.根据权利要求1所述的LC介质,其特征在于,所述式B的化合物选自以下子式

3.根据权利要求1或2所述的LC介质,其特征在于,所述式C的化合物选自以下子式

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的LC介质,其特征在于,所述式G的化合物选自以下子式

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的LC介质,其特征在于,其另外包含一种或多种选自式CY和PY的化合物

6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的LC介质,其特征在于,其另外包含一种或多种选自式ZK和DK的化合物:

7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的LC介质,其特征在于,其另外包含一种或多种选自下式的化合物:

8.根据权利要求1至7中一项或多项所述的LC介质,其特征在于,其还包含一种或多种下式的化合物

9.LC显示器,其包含在权利要求1至8中一项或多项中所定义的LC介质。

10.根据权利要求9所述的LC显示器,其为VA、SA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS、UB-FFS或PS-UB-FFS显示器。

11.制备根据权利要求1至8中一项或多项所述的LC介质的方法,其包括将一种或多种权利要求1至3中任一项所定义的式B和/或C或其子式的化合物与一种或多种如权利要求1或4所定义的式G的化合物,以及任选地与另外的LC化合物和/或添加剂混合的步骤。

...

【技术特征摘要】

1.液晶(lc)介质,其具有负的介电各向异性并且包含一种或多种选自式b和c的化合物以及一种或多种式g的化合物

2.根据权利要求1所述的lc介质,其特征在于,所述式b的化合物选自以下子式

3.根据权利要求1或2所述的lc介质,其特征在于,所述式c的化合物选自以下子式

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的lc介质,其特征在于,所述式g的化合物选自以下子式

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的lc介质,其特征在于,其另外包含一种或多种选自式cy和py的化合物

6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的lc介质,其特征在于,其另外包含一种或多种选自式zk和dk的化合物:

7.根据权利要求1至6中一项...

【专利技术属性】
技术研发人员:H·希尔施曼E·瓦卡雷斯科
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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