【技术实现步骤摘要】
本公开涉及传感器装置和使用该传感器装置的半导体处理设备。
技术介绍
1、在使用等离子体执行半导体工艺的半导体处理设备中，可能有必要精确地控制在诸如晶片的工艺目标上形成的等离子体的均匀性以改善良率。已经进行了各种尝试来改善等离子体的均匀性，并且已经提出了通过立即测量等离子体的均匀性来提高半导体工艺的效率的方法。在执行半导体工艺之前，可以在通过半导体处理设备的观察口观察等离子体的同时调整半导体处理设备的控制变量。然而，通过经由观察口简单地观察等离子体，可能难以精确地确定等离子体的均匀性，并且因此，在实际的半导体工艺期间可能无法精确地控制等离子体的均匀性。
技术实现思路
1、本公开的各方面涉及传感器装置和使用该传感器装置的半导体处理设备，该传感器装置可以用来在半导体工艺中形成具有期望的厚度和密度的等离子体，并且可以在执行半导体工艺之前通过收集表示形成在传感器装置上的等离子体的状态的原始数据来改善半导体工艺的良率，传感器装置能够被放入半导体处理设备中以基于原始数据确定包括等离子体的均匀性的各种性能。
2、根据本公开的一些方面，一种传感器装置包括：下衬底；上衬底，其设置在下衬底上并且包括至少一个光接收区域；光学构件，其设置在下衬底与上衬底之间的空间中，并且包括光接收光学系统和光导，光接收光学系统被构造为在与下衬底的上表面平行的方向上反射进入至少一个光接收区域的光，光导被构造为引导从光接收光学系统反射的光；选择元件，其设置在所述空间中，并且被构造为选择性地输出由至少一个光学构件引导
3、根据本公开的一些方面，一种传感器装置包括：下衬底；上衬底，其设置在下衬底上，由与下衬底的材料不同的材料形成，并且包括设置在不同的位置中的多个光接收区域；多个光学构件，其设置在下衬底与上衬底之间，并且被构造为提供在形成在上衬底上方的空间中的等离子体中生成并且进入多个光接收区域的光的行进路径；光谱传感器，其被构造为检测通过多个光学构件中的每一个接收的预定波段中的光的强度；控制器，其被构造为通过将原始数据与多个光接收区域中的每一个进行匹配来生成包括根据波段的光的强度的原始数据。
4、根据本公开的一些方面，一种半导体处理设备包括：腔室；第一偏置电极和第二偏置电极，第一偏置电极和第二偏置电极被安装为在腔室中的空间中彼此相对；静电卡盘，其设置在第一偏置电极上方；以及控制装置，其被构造为控制第一偏置电极和第二偏置电极，其中，控制装置被构造为通过在传感器装置被安置在静电卡盘上的状态下将rf电力供应到第一偏置电极和第二偏置电极中的每一个来在腔室中的空间中形成等离子体，并且控制装置被构造为使用包括由传感器装置从等离子体检测到的光的强度的特性数据来控制第一偏置电极和第二偏置电极，并且其中，传感器装置包括：上衬底，其被构造为提供多个光接收区域；多个光学构件，其连接到多个光接收区域；波长选择器，其被构造为传输由多个光学构件中的至少一个引导的预定波段中的光；以及光学检测器，其被构造为检测由波长选择器输出的光的强度。
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1.一种传感器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中，所述波长选择器包括所述等离子体激元滤波器，
3.根据权利要求2所述的传感器装置，其中，所述多个滤波器区域设置在所述光学检测器上方。
4.根据权利要求2所述的传感器装置，其中，所述光谱传感器包括反射镜，所述反射镜被构造为：
5.根据权利要求2所述的传感器装置，
6.根据权利要求1所述的传感器装置，其中，所述波长选择器包括所述栅格结构，
7.根据权利要求6所述的传感器装置，其中，所述第一镜被构造为准直镜，并且所述第二镜被构造为聚焦镜。
8.根据权利要求1所述的传感器装置，包括：
9.根据权利要求8所述的传感器装置，包括：
10.根据权利要求9所述的传感器装置，包括：
11.根据权利要求10所述的传感器装置，其中，所述光接收区域是所述上衬底中包括的多个光接收区域中的第一光接收区域，并且
12.根据权利要求8所述的传感器装置，其中，所述电力单元包括：
13.根据权利要求12所述
14.根据权利要求1所述的传感器装置，其中，所述波段在200nm至3um的范围内。
15.一种传感器装置，包括：
16.根据权利要求15所述的传感器装置，其中，所述控制器被构造为使用与所述多个光接收区域中的每一个对应的所述波段中的光的强度来生成表示所述上衬底上方的空间中的等离子体的均匀性的图像数据。
17.根据权利要求15所述的传感器装置，
18.根据权利要求15所述的传感器装置，包括：
19.一种传感器装置，包括：
20.根据权利要求19所述的传感器装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种传感器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中，所述波长选择器包括所述等离子体激元滤波器，
3.根据权利要求2所述的传感器装置，其中，所述多个滤波器区域设置在所述光学检测器上方。
4.根据权利要求2所述的传感器装置，其中，所述光谱传感器包括反射镜，所述反射镜被构造为：
5.根据权利要求2所述的传感器装置，
6.根据权利要求1所述的传感器装置，其中，所述波长选择器包括所述栅格结构，
7.根据权利要求6所述的传感器装置，其中，所述第一镜被构造为准直镜，并且所述第二镜被构造为聚焦镜。
8.根据权利要求1所述的传感器装置，包括：
9.根据权利要求8所述的传感器装置，包括：
10.根据权利要求9所述的传感器装置，包括：
11.根据权利要求10所述的传感器装置，其中，所述光接收区域是所述上衬底中...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑胤松，高慈远，李钟和，全兑祚，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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