【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶硅生产制造,尤其涉及一种晶硅还原炉。
技术介绍
1、在晶硅电池生产制造过程中,通常需要使用还原炉对sihcl3进行沉积,sihcl3的沉积温度在1100℃左右,要求还原炉筒体壁面的温度不高于575℃,这样能够避免筒体壁面温度过高而在筒体壁面上沉积sihcl3,从而提高实际收率。
2、为了控制筒体壁面的温度,通常在晶硅还原炉的筒体壁面上设置夹套来降低筒体壁面温度。现有技术中(例如:cn200820154685.5)的夹套均为直段结构,这样无法有效吸收内外筒体因温度差引起的热膨胀差,从而容易引起因温差应力导致的焊缝开裂等失效问题,降低晶硅还原炉的安全性能,在还原炉开停循环期间焊缝易开裂,增加成本。
3、因此,亟需设计一种晶硅还原炉,来解决以上技术问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提出一种晶硅还原炉,能够吸收内筒体和外筒体之间的温差应力,降低焊缝失效的风险,提高安全性能,节约成本。
2、为达此目的,本技术采用以下技术方案:
3、本技术提供一种晶硅还原炉,包括法兰、外筒体、内筒体和多个夹套导流板,其中,所述外筒体和所述内筒体均连接在所述法兰上,所述法兰用于与炉体连接;所述外筒体设置在所述内筒体的外周侧,所述内筒体的外壁与所述外筒体的内壁之间具有第一间隙,多个所述夹套导流板均设置在所述第一间隙内,且所述夹套导流板的一侧与所述外筒体的内壁焊接连接,另一侧与所述内筒体的外壁焊接连接;所述外筒体包括多个依次连接的夹套筒节,每一个所
4、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述夹套筒节的弧形部朝向远离所述内筒体的方向弯曲。
5、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,每一个所述夹套筒节设置在相邻两个所述夹套导流板之间,且所述夹套筒节的一端与其中一个所述夹套导流板焊接连接,另一端与另一个所述夹套导流板焊接连接。
6、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述夹套筒节的厚度设置在14mm~38mm之间。
7、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述晶硅还原炉还包括上封头和夹套封头,所述上封头焊接在所述内筒体的上端,所述夹套封头焊接在所述外筒体的上端,所述夹套封头设置在所述上封头的外周侧,所述夹套封头的内壁与所述上封头的外壁之间具有第二间隙,所述第一间隙和所述第二间隙连通。
8、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述第二间隙内还设置有封头导流板,所述封头导流板的一侧与所述夹套封头的内壁焊接连接,另一侧与所述上封头的外壁焊接连接。
9、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述夹套封头由多个封头节焊接而成,且每一个所述封头节均呈弧形结构。
10、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述封头节的弧形部朝向远离所述上封头的方向弯曲。
11、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述外筒体的上端焊接有第一直段,所述外筒体的下端焊接有第二直段,所述第一直段远离所述外筒体的一侧与所述夹套封头焊接连接,所述第二直段远离所述外筒体的一侧与所述法兰焊接连接。
12、作为一种晶硅还原炉的可选技术方案,所述夹套封头的顶部设置有第三直段,所述第三直段上设置有出水管,所述出水管与所述第二间隙连通;所述第二直段上设置有进水管,所述进水管与所述第一间隙连通。
13、本技术的有益效果至少包括:
14、本技术提供一种晶硅还原炉,该晶硅还原炉包括法兰、外筒体、内筒体和多个夹套导流板,其中,外筒体和内筒体均连接在法兰上,且外筒体设置在内筒体的外周侧,内筒体的外壁与外筒体的内壁之间具有第一间隙,多个夹套导流板均设置在第一间隙内,且夹套导流板的一侧与外筒体的内壁焊接连接,另一侧与内筒体的外壁焊接连接;外筒体包括多个依次连接的夹套筒节,每一个夹套筒节均呈弧形结构。通过将现有技术中的直段结构的外筒体改良为由多个具有弧形结构的夹套筒节依次连接而成的外筒体,从而利用弧形结构的夹套筒节的形变量来补偿内筒体与外筒体之间的温差应力,进而降低夹套导流板与外筒体之间的焊缝开裂等失效的风险,提升该晶硅还原炉的安全性能,达到节约成本的目的。
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1.晶硅还原炉,其特征在于,包括法兰(100)、外筒体(200)、内筒体(300)和多个夹套导流板(400),其中,所述外筒体(200)和所述内筒体(300)均连接在所述法兰(100)上,所述法兰(100)用于与炉体连接;所述外筒体(200)设置在所述内筒体(300)的外周侧,所述内筒体(300)的外壁与所述外筒体(200)的内壁之间具有第一间隙,多个所述夹套导流板(400)均设置在所述第一间隙内,且所述夹套导流板(400)的一侧与所述外筒体(200)的内壁焊接连接,另一侧与所述内筒体(300)的外壁焊接连接;所述外筒体(200)包括多个依次连接的夹套筒节(210),每一个所述夹套筒节(210)均呈弧形结构。
2.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述夹套筒节(210)的弧形部朝向远离所述内筒体(300)的方向弯曲。
3.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,每一个所述夹套筒节(210)设置在相邻两个所述夹套导流板(400)之间,且所述夹套筒节(210)的一端与其中一个所述夹套导流板(400)焊接连接,另一端与另一个所述夹套导流板(400)
4.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述夹套筒节(210)的厚度设置在14mm~38mm之间。
5.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述晶硅还原炉还包括上封头和夹套封头(500),所述上封头焊接在所述内筒体(300)的上端,所述夹套封头(500)焊接在所述外筒体(200)的上端,所述夹套封头(500)设置在所述上封头的外周侧,所述夹套封头(500)的内壁与所述上封头的外壁之间具有第二间隙,所述第一间隙和所述第二间隙连通。
6.根据权利要求5所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述第二间隙内还设置有封头导流板(600),所述封头导流板(600)的一侧与所述夹套封头(500)的内壁焊接连接,另一侧与所述上封头的外壁焊接连接,且所述夹套导流板(400)处的液体能够运动至所述封头导流板(600)处。
7.根据权利要求5所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述夹套封头(500)由多个封头节(510)焊接而成,且每一个所述封头节(510)均呈弧形结构。
8.根据权利要求7所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述封头节(510)的弧形部朝向远离所述上封头的方向弯曲。
9.根据权利要求5所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述外筒体(200)的上端焊接有第一直段(220),所述外筒体(200)的下端焊接有第二直段(230),所述第一直段(220)远离所述外筒体(200)的一侧与所述夹套封头(500)焊接连接,所述第二直段(230)远离所述外筒体(200)的一侧与所述法兰(100)焊接连接。
10.根据权利要求9所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述夹套封头(500)的顶部设置有第三直段(520),所述第三直段(520)上设置有出水管(800),所述出水管(800)与所述第二间隙连通;所述第二直段(230)上设置有进水管(700),所述进水管(700)与所述第一间隙连通。
...【技术特征摘要】
1.晶硅还原炉,其特征在于,包括法兰(100)、外筒体(200)、内筒体(300)和多个夹套导流板(400),其中,所述外筒体(200)和所述内筒体(300)均连接在所述法兰(100)上,所述法兰(100)用于与炉体连接;所述外筒体(200)设置在所述内筒体(300)的外周侧,所述内筒体(300)的外壁与所述外筒体(200)的内壁之间具有第一间隙,多个所述夹套导流板(400)均设置在所述第一间隙内,且所述夹套导流板(400)的一侧与所述外筒体(200)的内壁焊接连接,另一侧与所述内筒体(300)的外壁焊接连接;所述外筒体(200)包括多个依次连接的夹套筒节(210),每一个所述夹套筒节(210)均呈弧形结构。
2.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述夹套筒节(210)的弧形部朝向远离所述内筒体(300)的方向弯曲。
3.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,每一个所述夹套筒节(210)设置在相邻两个所述夹套导流板(400)之间,且所述夹套筒节(210)的一端与其中一个所述夹套导流板(400)焊接连接,另一端与另一个所述夹套导流板(400)焊接连接。
4.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述夹套筒节(210)的厚度设置在14mm~38mm之间。
5.根据权利要求1所述的晶硅还原炉,其特征在于,所述晶硅还原炉还包括上封头和夹套封头(500),所述上封头焊接在所述内筒体(300)的上端,所述夹套封头(500)焊接在所述外筒体(200)的上端,...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭建涛,茅陆荣,许晟,陈宏伟,柳义豪,吴君婷,
申请(专利权)人:森松江苏重工有限公司,
类型:新型
国别省市:
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