【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于射频与微波电路领域，具体涉及一种提高变频sip射频端口隔离度的方法。
技术介绍
1、随着雷达技术的发展，变频模块的小型化是大势所趋。变频sip(system inpackage，系统级封装)是变频模块小型化的一个主要方向。但随着变频sip的集成度越高，各个射频端口距离就越近，相互之间的电磁干扰也愈发严重。特别对于变频模块，存在射频信号、本振信号等多种频率的射频信号，如其在链路中相互干扰、混频，则会产生各种各样的组合频率杂散，严重影响输出信号的质量。因此，在设计及装配过程中提高变频sip的端口隔离度非常重要。
技术实现思路
1、本专利技术提出了一种提高变频sip射频端口隔离度的方法，目前存在一些提高微波系统隔离度的方法，但其尺寸通常远大于sip，仅对解决sip射频端口隔离度问题有参考意义。本专利技术的提出的针对变频sip的提高端口隔离度的方法，泛用性、可操作性强，具体包括如下步骤：
2、(1)根据变频sip的指标要求和链路中各芯片性能尺寸，将sip链路划分为n段。
3、(2)将有高隔离度要求的端口排布的尽可能远。
4、(3)通过异形围框将sip链路的n段划分为n个腔体。
5、(4)使用金丝键合实现同个腔体内芯片的互联，在sip基板内设计垂直金属通孔及带状线实现各个封闭腔体之间射频互联，通过垂直通孔及bga焊球实现sip与外部互联。
6、(5)装配过程中在射频端口两侧键合地线。
7、(6)封盖前在盖板
8、进一步地，所述腔体数n大于等于2，有高隔离度要求的端口数小于等于n。
9、进一步地，所述sip基板包括且不限于氮化铝htcc基板、氧化铝htcc基板、ltcc基板。
10、进一步地，需保证垂直金属通孔阻抗及带状线阻抗接近50欧姆，对于x波段及以上使用频率的高频sip，还需仿真设计端口匹配。
11、进一步地，键合处理时，射频端口八字形键合双线，两侧就近键合两根地线。
12、进一步地，盖板上粘贴的吸波材料需根据芯片高度、金丝拱高及围框高度以及射频频率确定厚度。
13、本专利技术的有益效果在于
14、1、本专利技术从设计源头提高隔离度，效果显著且使用本专利技术的方法使得sip间隔离度差异较小。
15、2、本专利技术泛用性强，可应用于不同尺寸、不同基板材料、不同使用频率的变频sip，成本低，代价小；
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1.一种提高变频SIP射频端口隔离度的方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种提高变频SIP射频端口隔离度的方法，其特征在于：所述腔体数n大于等于2，有高隔离度要求的端口数小于等于n。
3.根据权利要求1所述的一种提高变频SIP射频端口隔离度的方法，其特征在于：所述SIP基板包括且不限于氮化铝HTCC基板、氧化铝HTCC基板、LTCC基板。
4.根据权利要求1所述的一种提高变频SIP射频端口隔离度的方法，其特征在于：需保证垂直金属通孔阻抗及带状线阻抗接近50欧姆，对于X波段及以上使用频率的高频SIP，还需仿真设计端口匹配。
5.根据权利要求1所述的一种提高变频SIP射频端口隔离度的方法，其特征在于：键合处理时，射频端口八字形键合双线，两侧就近键合两根地线。
6.根据权利要求1所述的一种提高变频SIP射频端口隔离度的方法，其特征在于：盖板上粘贴的吸波材料需根据芯片高度、金丝拱高及围框高度以及射频频率确定厚度。
【技术特征摘要】
1.一种提高变频sip射频端口隔离度的方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种提高变频sip射频端口隔离度的方法，其特征在于：所述腔体数n大于等于2，有高隔离度要求的端口数小于等于n。
3.根据权利要求1所述的一种提高变频sip射频端口隔离度的方法，其特征在于：所述sip基板包括且不限于氮化铝htcc基板、氧化铝htcc基板、ltcc基板。
4.根据权利要求1所述的一种提高变频sip射频端...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶宇骁，赵亮，宋晓军，闵应存，郑华溢，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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