【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种半导体元件结构及其制备方法。特别是有关于一种具有一熔丝与一电阻器的半导体元件结构及其制备方法。
技术介绍
1、对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体元件的规格小型化，实现不同功能的半导体元件的不同型态与尺寸规模，整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，许多制造步骤执行于各式不同型态的半导体装置的整合(integration)。
2、然而，该等半导体元件的制造与整合包含许多复杂步骤与操作。在该等半导体元件中的整合变得越加复杂。该等半导体元件的制造与整合的复杂度中的增加可造成许多问题。举例来说，采用传统制程形成的收缩电阻器可能会出现薄片电阻不足的情况。据此，不断需要改善半导体元件的制程以解决这些问题。
3、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括形成一隔离结构在一半导体基底中，以及凹陷该半导体基底以形成一第一开口以及一第二开口。该第一开口与该第二开口位在该隔离结构的相对两侧，且该第二开口的一宽度大于该第一开口的一宽度。该制备方法还包括形成一电极层在该半导体基底上，以及研磨该电极层以形成一熔丝在第
2、在一实施例中，一气隙封闭在该熔丝中。在一实施例中，该制备方法还包括在形成该第一开口与该第二开口之前，形成一井区在该半导体基底中，其中该第二开口的制作技术包括去除该井区的一上部。在一实施例中，该井区的一下表面高于该隔离结构的一下表面。在一实施例中，该隔离结构距离该第二开口较距离该第一开口更近。在一实施例中，在形成该电极层之前，借由该第二开口而暴露该隔离结构的一侧壁。在一实施例中，该制备方法还包括在形成该电极层之前，沉积一介电层在该半导体基底上，其中该介电层延伸到该第一开口与该第二开口内。在一实施例中，该介电层直接接触该隔离结构的该侧壁。在一实施例中，该制备方法还包括在研磨该电极层之前，在该电极层上执行一离子植入制程。
3、在一实施例中，在研磨该电极层之后，该熔丝的一上表面与该电阻器电极的一上表面大致呈共面。在一实施例中，该制备方法还包括形成一层间介电(ild)层在该半导体基底上，以及形成一互连结构在该ild层中，其中该s/d区经由该互连结构而电性连接到该电阻器电极。在一实施例中，形成该互连结构包括蚀刻该ild层以形成暴露该s/d区的一第三开口以及暴露该电阻器电极的一第四开口，形成一第一导电通孔在该第三开口中并且形成一第二导电通孔在该第四开口中，形成一导电层在该ild层上并将该第一导电通孔与该第二导电通孔电性连接。在一实施例中，该制备方法还包括在研磨该电极层之后，蚀刻该隔离结构的一上部以形成一第五开口，以及在形成该s/d区之前，形成一导电结构在该第五开口中，其中该导电结构用于电性连接该电阻器电极与该s/d区。
4、本公开提供一半导体元件结构的多个实施例。该半导体元件结构包括串联的一晶体管以及一电阻器，且其制作技术包括一集成制程。具体地，借由相同的制程步骤在一半导体基底中形成该晶体管的一栅极电极以及该电阻器的一电阻器电极。因此，该电阻器可以具有高度薄片电阻而不使用额外的遮罩或制程步骤。结果，可以降低相关成本，并且可以改善该半导体元件结构的效能。
5、此外，该半导体元件结构包括串联的一熔丝以及一电阻器，且其制作技术包括一集成制程。由于该熔丝与该电阻器的该电阻器电极借由相同的制程步骤而形成在该半导体基底中，所以可以降低相关成本，并且可以改善该半导体元件结构的效能。
6、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其中一气隙封闭在该熔丝中。
3.如权利要求1所述的制备方法，还包括：
4.如权利要求3所述的制备方法，其中该井区的一下表面高于该隔离结构的一下表面。
5.如权利要求1所述的制备方法，其中该隔离结构距离该第二开口较距离该第一开口更近。
6.如权利要求1所述的制备方法，其中在形成该电极层之前，该隔离结构的一侧壁借由该第二开口而暴露。
7.如权利要求6所述的制备方法，还包括：
8.如权利要求7所述的制备方法，其中该介电层直接接触该隔离结构的该侧壁。
9.如权利要求8所述的制备方法，还包括：
10.如权利要求9所述的制备方法，其中在研磨该电极层之后，该熔丝的一上表面与该电阻器电极的一上表面大致呈共面。
11.如权利要求1所述的制备方法，还包括：
12.如权利要求11所述的制备方法，其中形成该互连结构包括：
13.如权利要求1所述的制备方法，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其中一气隙封闭在该熔丝中。
3.如权利要求1所述的制备方法，还包括：
4.如权利要求3所述的制备方法，其中该井区的一下表面高于该隔离结构的一下表面。
5.如权利要求1所述的制备方法，其中该隔离结构距离该第二开口较距离该第一开口更近。
6.如权利要求1所述的制备方法，其中在形成该电极层之前，该隔离结构的一侧壁借由该第二开口而暴露。
7.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆玲，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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