【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅制造,具体涉及一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒。
技术介绍
1、直拉法生产单晶硅工艺过程中有大量的氧进入。氩气氛围下拉晶时,氩气中的氧会以不同形式溶入硅液中,使硅单晶氧浓度增高,进而影响后续单晶硅成品的转换效率,大量挥发物聚集在石墨件或者进入硅熔体内,会使单晶炉内高纯卫生变差,杂质进入硅液后会使单晶硅原子排列顺序改变,进而产生位错造成单晶硅棒断线。
2、现有单晶炉的保温筒具有上、中、下三个方位的保温筒,上保温筒位于中保温筒的上方位置,内径尺寸小于中保温筒,氩气流道较窄,不利于带走拉晶过程中产生的挥发物和产生的氧,影响后续单晶硅品质。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,中保温筒的内径和下保温筒的内径小于上保温筒的内径,第一平台由内至外依次设有中装配导热块的安装槽、保温块的第一容纳腔和真空槽,第二平台设有第二容纳腔,实现降氧和保温,解决了现有技术中存在的上述问题。
2、为解决上述技术问题,本技术采用了以下方案:
3、一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,从上至下依次包括上保温筒、中保温筒和下保温筒,所述中保温筒和下保温筒的内径分别小于上保温筒,所述中保温筒和下保温筒向圆心方向延伸形成第一平台和第二平台,所述第一平台和第二平台分别设有安装槽,所述安装槽内部装配有导热块。
4、优选地,所述安装槽的底面与坩埚垂直壁的底端相平齐。
5、优选地,所述第一平台内还设有第一容纳腔
6、优选地,所述第一容纳腔相邻的一侧设有多个真空槽,所述真空槽的顶部设有封堵盖。
7、优选地,所述真空槽以中保温筒的圆心进行圆形阵列。
8、优选地,所述上保温筒的底端设有第一装配槽,所述中保温筒的顶端设有第一装配块,所述第一装配块位于第一装配槽内。
9、优选地,所述中保温筒的底端设有第二装配槽,所述下保温筒的顶端设有第二装配块,所述第二装配块位于第二装配槽内。
10、优选地,所述第一平台和第二平台分别开设同轴的避让孔。
11、本技术具有的有益效果:本技术中保温筒和下保温筒中的第一平台和第二平台的设置降低坩埚底部的氧含量,避免拉晶过程中出现断线,提高单晶品质。设置的真空槽、填充有保温块的第一容纳腔和第二容纳腔、装配导热块的安装槽,实现对传输的热量进行保温,提高保温效果,节约能源。
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1.一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,从上至下依次包括上保温筒(10)、中保温筒(20)和下保温筒(30),所述中保温筒(20)和下保温筒(30)的内径分别小于上保温筒(10),所述中保温筒(20)和下保温筒(30)向圆心方向延伸形成第一平台(204)和第二平台(302),所述第一平台(204)和第二平台(302)分别设有安装槽(90),所述安装槽(90)内部装配有导热块(40)。
2.根据权利要求1所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述安装槽(90)的底面与坩埚(1)垂直壁的底端相平齐。
3.根据权利要求1所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述第一平台(204)内还设有第一容纳腔(50),所述第一容纳腔(50)与安装槽(90)相邻,所述第二平台(302)内设有第二容纳腔(51),所述第一容纳腔(50)和第二容纳腔(51)的内部分别填充保温块(60)。
4.根据权利要求3所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述第一容纳腔(50)相邻的一侧设有多个真空槽(80),所述
5.根据权利要求4所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述真空槽(80)以中保温筒(20)的圆心进行圆形阵列。
6.根据权利要求4所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述上保温筒(10)的底端设有第一装配槽(101),所述中保温筒(20)的顶端设有第一装配块(201),所述第一装配块(201)位于第一装配槽(101)内。
7.根据权利要求4所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述中保温筒(20)的底端设有第二装配槽(202),所述下保温筒(30)的顶端设有第二装配块(301),所述第二装配块(301)位于第二装配槽(202)内。
8.根据权利要求4所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述第一平台(204)和第二平台(302)分别开设同轴的避让孔(70)。
...【技术特征摘要】
1.一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,从上至下依次包括上保温筒(10)、中保温筒(20)和下保温筒(30),所述中保温筒(20)和下保温筒(30)的内径分别小于上保温筒(10),所述中保温筒(20)和下保温筒(30)向圆心方向延伸形成第一平台(204)和第二平台(302),所述第一平台(204)和第二平台(302)分别设有安装槽(90),所述安装槽(90)内部装配有导热块(40)。
2.根据权利要求1所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述安装槽(90)的底面与坩埚(1)垂直壁的底端相平齐。
3.根据权利要求1所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的保温筒,其特征在于,所述第一平台(204)内还设有第一容纳腔(50),所述第一容纳腔(50)与安装槽(90)相邻,所述第二平台(302)内设有第二容纳腔(51),所述第一容纳腔(50)和第二容纳腔(51)的内部分别填充保温块(60)。
4.根据权利要求3所述的一种用于降低单晶炉热场氧含量的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张晓虹,关树军,洪华,路建华,
申请(专利权)人:乐山市京运通半导体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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