【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子装置，特别是涉及一种包括半导体单元的电子装置。
技术介绍
1、半导体单元可通过巨量转移技术而大量地转移到目标基板，进而达到量产化的效果。现有的巨量转移技术可包括流体转移制程，其中流体转移制程是通过在目标基板上滴入含有半导体单元的液体以达到大量转移半导体单元的效果。然而，在经由流体转移制程以转移半导体单元时，半导体单元无法有序地设置，并可能导致半导体单元的分布不均或半导体单元与其他元件的电连接不良。因此，如何改善经由流体转移制程转移的半导体单元的可靠性对于本领域来说仍是一项重要的议题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种电子装置。
2、在一些实施例中，本专利技术提供了一种电子装置，其包括一基板结构、一绝缘层、一半导体单元以及一第一电磁信号调整单元。绝缘层设置在基板结构上且具有一凹槽。半导体单元设置在凹槽内。第一电磁信号调整单元设置在绝缘层上且配置为用来调整一电磁信号，其中第一电磁信号调整单元重叠于半导体单元。在电子装置的一俯视图中，凹槽的一定义中心与半导体单元的一定义中心之间具有一第一距离，第一电磁信号调整单元的一定义中心与半导体单元的定义中心之间具有一第二距离，第一距离大于0，而第二距离小于或等于第一距离。
3、在一些实施例中，本专利技术提供了一种电子装置，其包括一基板结构、一绝缘层、一电磁信号反射器、一半导体单元以及一第一电磁信号调整单元。绝缘层设置在基板结构上且具有一凹槽。电磁信号反射器设置在凹槽内。半导体单元设置在凹槽
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1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一第二电磁信号调整单元，设置在所述第一电磁信号调整单元上并重叠于所述半导体单元，其中在所述电子装置的所述俯视图中，所述第二电磁信号调整单元的一定义中心与所述第一电磁信号调整单元的所述定义中心之间具有一第三距离，所述第三距离大于或等于0微米且小于或等于15微米。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第三距离大于或等于0微米且小于或等于7微米。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视图中，一第一参考线通过所述凹槽的所述定义中心与所述半导体单元的所述定义中心，一第二参考线通过所述第一电磁信号调整单元的所述定义中心与所述半导体单元的所述定义中心，所述第一参考线与所述第二参考线之间具有一锐角，所述锐角大于或等于0度且小于或等于45度。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述锐角大于或等于0度且小于或等于25度。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电磁信号调整单元的所
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视图中，所述凹槽部分重叠于所述第一电磁信号调整单元。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述半导体单元包括发光二极管。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述第一电磁信号调整单元包括量子点材料。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述半导体单元包括光电二极管。
11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述第一电磁信号调整单元包括彩色滤光材料。
12.一种电子装置，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述电磁信号反射器设置在所述凹槽的一侧表面上。
14.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述电磁信号反射器设置在所述凹槽的一底表面上。
15.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，还包括一第二电磁信号调整单元，设置在所述第一电磁信号调整单元上，其中在所述电子装置的所述俯视图中，所述第二电磁信号调整单元的一定义中心与所述第一电磁信号调整单元的所述定义中心之间具有一第三距离，所述第三距离大于或等于0微米且小于或等于15微米。
16.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，所述第三距离大于或等于0微米且小于或等于7微米。
17.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视图中，一第一参考线通过所述凹槽的所述定义中心与所述半导体单元的所述定义中心，一第二参考线通过所述凹槽的所述定义中心与所述第一电磁信号调整单元的所述定义中心，所述第一参考线与所述第二参考线之间具有一锐角，所述锐角大于或等于0度且小于或等于50度。
18.根据权利要求17所述的电子装置，其特征在于，所述锐角大于或等于0度且小于或等于30度。
19.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述半导体单元包括发光二极管。
20.根据权利要求19所述的电子装置，其特征在于，所述第一电磁信号调整单元包括量子点材料。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一第二电磁信号调整单元，设置在所述第一电磁信号调整单元上并重叠于所述半导体单元，其中在所述电子装置的所述俯视图中，所述第二电磁信号调整单元的一定义中心与所述第一电磁信号调整单元的所述定义中心之间具有一第三距离，所述第三距离大于或等于0微米且小于或等于15微米。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第三距离大于或等于0微米且小于或等于7微米。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视图中，一第一参考线通过所述凹槽的所述定义中心与所述半导体单元的所述定义中心，一第二参考线通过所述第一电磁信号调整单元的所述定义中心与所述半导体单元的所述定义中心，所述第一参考线与所述第二参考线之间具有一锐角，所述锐角大于或等于0度且小于或等于45度。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述锐角大于或等于0度且小于或等于25度。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电磁信号调整单元的所述定义中心与所述凹槽的所述定义中心之间具有一第四距离，所述第四距离大于0且小于或等于所述第一距离。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的所述俯视图中，所述凹槽部分重叠于所述第一电磁信号调整单元。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述半导体单元包括发光二极管。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述第一电磁信号调整单元包括量子点材料。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚煜洲，蔡宗翰，李冠锋，陈嘉源，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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