【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法、半导体器件及存储芯片。
技术介绍
1、在制造动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)过程中，进行蓄积电荷的电容元件的制备时，存储单元区(cell区)与外围电路区(包括core区、peri区)之间的段差会较大，通过在电容元件上方制备介质层从而实现平坦化，但是介质层的制备过程中容易引发工艺不良，从而使得制备良率较低。
技术实现思路
1、本申请的目的是至少解决半导体器件的制备良率较低的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
2、本申请的第一方面提出了一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件包括第一区和第二区，所述制备方法包括：
3、提供半导体基板；
4、在所述半导体基板一侧形成位于所述第一区的电容元件；
5、在所述电容元件背离所述半导体基板的一侧形成介质层，所述介质层包括位于所述第一区的第一部分和位于所述第二区的第二部分，所述第一部分包括位于背离所述半导体基板一侧的第一表面，所述第二部分包括位于背离所述半导体基板一侧的第二表面，所述第一表面位于所述第二表面背离所述半导体基板一侧；
6、在所述介质层背离所述半导体基板一侧形成刻蚀阻挡层，并对所述刻蚀阻挡层图案化，以暴露所述第一部分；
7、对所述第一部分进行减薄处理，以使所述第一部分背离所述半导体基板的一侧表面与所述第二表面平齐；
8、去除所述刻蚀阻挡层。>
9、本申请提供的半导体器件的制备方法中，通过在介质层背离半导体基板的一侧表面形成刻蚀阻挡层，并去除刻蚀阻挡层中与第一表面接触的部分，以暴露介质层的第一部分并遮挡介质层的第二部分，从而在后续对第一部分进行减薄的过程中，可采用湿刻的工艺对第一部分进行减薄，刻蚀阻挡层可对湿刻药液进行阻挡，以避免对第二部分造成损伤。即本申请提供的制备方法中，通过制备刻蚀阻挡层为后续通过湿刻工艺对第一部分进行减薄处理提供了可能。通过湿刻工艺对第一部分进行减薄处理的良率较佳，使得对介质层的平坦化工艺只需进行湿刻步骤，无需再进行后续的化学机械抛光工艺，从而可降低对第一部分以及电容元件造成损伤的概率，以提升半导体器件的制备良率。在一种可行的实施方式中，刻蚀阻挡层通过化学气相沉积工艺形成。
10、本申请第二方面还提供了一种半导体器件，由本申请第一方面提供的半导体器件的制备方法制备形成，所述半导体器件包括第一区和第二区，所述半导体器件包括：
11、半导体基板；
12、电容元件，位于所述半导体基板一侧且位于所述第一区；
13、介质层，包括位于所述第一区的第一部分和位于所述第二区的第二部分，所述第一部分位于所述电容元件背离所述半导体基板的一侧，所述第一部分背离所述半导体基板的一侧表面与所述第二部分背离所述半导体基板的一侧表面平齐。
14、本申请第三方面还提供了一种存储芯片，包括本申请第二方面提供的半导体器件。
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1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括第一区和第二区，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述刻蚀阻挡层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述刻蚀阻挡层图案化的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述第一部分进行减薄处理包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质包括氮化硅。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述去除所述刻蚀阻挡层的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀药液包括磷酸溶液。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层包括氧化物绝缘层，通过化学气相沉积工艺形成所述氧化物绝缘层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体基板一侧形成位于所述第一区的电容
10.一种半导体器件，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的半导体器件的制备方法制备形成，所述半导体器件包括第一区和第二区，所述半导体器件包括：
11.一种存储芯片，其特征在于，包括如权利要求10所述的半导体器件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括第一区和第二区，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述刻蚀阻挡层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述刻蚀阻挡层图案化的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述第一部分进行减薄处理包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质包括氮化硅。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述去除所述刻蚀阻挡层的步骤包...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴俊植，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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