【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及一种晶圆缓存装置和半导体设备。
技术介绍
1、在半导体全集成电路制造技术行业的涂胶显影制程工艺中，由于曝光设备的造价非常高，因此在曝光设备前设置缓存装置放置基板以避免曝光设备的闲置。
2、公开号为cn205608389u的中国专利公开了一种缓存装置及设有该缓存装置的涂胶显影机，缓存装置包括框架和设于所述框架内沿其高度方向依次设置的多层支撑板，所述支撑板用于放置待曝光的基板。该专利中用支撑板来承载放置基板，支撑板与基板之间具有较大的接触面积，而机械臂夹取基板快速离开支撑板时会产生破真空效应，破真空效应会引起振动而对基板造成损伤，其中，基板与支撑板之间的接触面越大，振动会越大，从而越容易对基板造成损伤，或对基板造成的损伤越大。
3、因此，有必要提供一种新型的晶圆缓存装置和半导体设备以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种晶圆缓存装置和半导体设备，以解决现有技术中晶圆与支撑件之间具有较大的接触面积，导致机械臂夹取晶圆快速离开支撑件时产生的破真空效应引起振动而对晶圆造成损伤的问题。
2、为实现上述目的，本技术的所述晶圆缓存装置，包括缓存组件,所述缓存组件包括若干组缓存单元，所述缓存单元包括n个用于承载晶圆的晶圆支撑件，所述n为大于等于3的正整数；所述晶圆支撑件包括支撑件本体和设置于所述支撑件本体的近端的晶圆接触部，每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的支撑件本体分别沿需承载的所述晶圆的不同半
3、本技术所述的半导体设备包括所述的晶圆缓存装置。
4、本技术的所述晶圆缓存装置和包括所述缓存装置的半导体设备的有益效果在于：通过所述缓存单元包括n个用于承载晶圆的晶圆支撑件，所述n为大于等于3的正整数，所述晶圆支撑件包括支撑件本体和设置于所述支撑件本体的近端的晶圆接触部，每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的支撑件本体分别沿需承载的所述晶圆的不同半径方向设置，且所述支撑件本体的近端相向设置，使得所述支撑件本体能为承载晶圆的晶圆接触部提供有效的稳定的支撑力；通过所述晶圆接触部的表面高于或低于所述支撑件本体的表面，使得晶圆放置于晶圆支撑件上时只有晶圆接触部与晶圆接触，能有效防止晶圆与支撑件本体接触，有利于减小晶圆与晶圆支撑件的接触面积，从而减少取片时晶圆快速离开接触面产生破真空效应而引起的振动，有利于减少或避免对晶圆造成损伤；通过每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的所述晶圆接触部均匀分布于同一圆周上以构成承载晶圆的晶圆缓存工位，有利于使晶圆的支撑稳定性更好。
5、优选的，所述晶圆支撑件还包括避让部，所述避让部的一端与所述支撑件本体的近端相接，所述避让部的另一端与所述晶圆接触部相接，所述晶圆接触部的表面低于所述支撑件本体的表面，所述避让部的表面低于所述支撑件本体的表面和所述晶圆接触部的表面。其有益效果在于：晶圆放置于晶圆支撑件上时只有晶圆接触部与晶圆接触，而因为避让部的设置，使得晶圆接触部与支撑件本体之间具有间隙，从而能有效防止晶圆与支撑件本体接触，有利于减小晶圆与晶圆支撑件的接触面积，从而减少取片时晶圆快速离开接触面产生破真空效应而引起的振动，有利于减少或避免对晶圆造成损伤；而且所述晶圆接触部的表面低于所述支撑件本体的表面，所述避让部的表面低于所述支撑件本体的表面和所述晶圆接触部的表面，能减小晶圆支撑件整体的厚度，即晶圆支撑件占用空间小，结构紧凑，从而可设置更多的缓存单元以存放大量晶片。
6、优选的，所述缓存组件设有至少2个，且至少2个所述缓存组件层叠设置。其有益效果在于：使得晶圆缓存装置的结构紧凑，占用空间小，缓存组件的数量具体根据半导体设备的结构和布局设置，且缓存组件设有至少2个更能合理利用半导体设备空间，而且对于相同总数量的缓存单元，相比设置一个大的缓存组件，分设为至少2个缓存组件的稳定性更好，而且更容易加工制备缓存组件，精确度也更高，有利于晶圆的准确取放。
7、优选的，所述晶圆接触部的表面的面积不大于一平方厘米。其有益效果在于：有利于减少取片时晶圆快速离开接触面产生破真空效应而引起的振动，有利于减少或避免对晶圆造成损伤。
8、优选的，所述缓存组件还包括n个定位贯穿杆，n个所述定位贯穿杆一一对应贯穿于每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的支撑件本体的远端设置，以使若干组所述缓存单元沿所述定位贯穿杆的高度方向顺次排列。其有益效果在于：不仅能使缓存单元之间结构紧凑，从而可沿所述定位贯穿杆的高度方向设置更多的缓存单元以存放大量晶片，而且通每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的支撑件本体均通过n个所述定位贯穿杆一一对应贯穿设置，有利于提高晶圆支撑件的支撑稳定性。
9、优选的，所述支撑件本体的近端与所述晶圆接触部之间沿所述支撑件本体的延伸方向的距离不大于10mm。其有益效果在于：以避免所述支撑件本体的近端与所述晶圆接触部之间的距离即避让部沿所述支撑件本体的延伸方向的长度过大而导致晶圆接触部承载晶圆时下沉。
10、优选的，所述缓存组件还包括若干层间定位块，所述层间定位块设置于所述支撑件本体的上表面且由所述定位贯穿杆贯穿设置。其有益效果在于：即通过层间定位块在所述晶圆支撑件的上表面预留出一定的空间，以便于机械臂取放晶圆，而且有利于提升晶圆支撑件的支撑稳定性，以及提高了缓存单元定位的精准性，从而提高了机械臂取放晶圆时的精确度。
11、优选的，所述缓存组件还包括底座和n个底层定位块，所述底座设有n个定位槽，n个所述底层定位块一一对应设置于n个所述定位槽，n个所述定位贯穿杆的底端一一对应设置于n个所述底层定位块。其有益效果在于：能使定位贯穿杆更精准地设置于所述底座的相应位置，使得提高了缓存单元定位的精准性，从而提高了机械臂取放晶圆时的精确度。
12、优选的，所述缓存组件还包括加强件，所述定位贯穿杆的顶端设置于所述加强件。其有益效果在于：能有效提高缓存单元的稳定性，而且有利于使定位贯穿杆定位更精准，使得提高了缓存单元定位的精准性，从而提高了机械臂取放晶圆时的精确度。
13、优选的，所述n等于4，每组所述缓存单元中的4个所述晶圆支撑件的所述支撑件本体的远端顺次连接形成的结构为矩形结构，所述支撑件本体朝所述矩形结构的对角线方向延伸，且所述支撑件本体的近端朝向所述矩形结构的中心设置。其有益效果在于：使得缓存组件的整体结构更为稳定，也更便于机械臂取放晶圆。
14、优选的，所述矩形结构的相邻边的边长相等或不相等，且所述矩形结构的至少一对称边的边长大于需承载的所述晶圆的直径。其有益效果在于：以方便机械臂取放晶圆，当所述矩形结构的只有一对称边的边长大于需承载的所述晶圆的直径时，机械臂只能单侧取放晶圆本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆缓存装置，其特征在于，包括缓存组件,所述缓存组件包括若干组缓存单元，所述缓存单元包括N个用于承载晶圆的晶圆支撑件，所述N为大于等于3的正整数；所述晶圆支撑件包括支撑件本体和设置于所述支撑件本体的近端的晶圆接触部，每组所述缓存单元中的N个所述晶圆支撑件的支撑件本体分别沿需承载的所述晶圆的不同半径方向设置，且所述支撑件本体的近端相向设置；所述晶圆接触部的表面高于或低于所述支撑件本体的表面，每组所述缓存单元中的N个所述晶圆支撑件的所述晶圆接触部均匀分布于同一圆周上以构成承载晶圆的晶圆缓存工位。
2.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述晶圆支撑件还包括避让部，所述避让部的一端与所述支撑件本体的近端相接，所述避让部的另一端与所述晶圆接触部相接，所述晶圆接触部的表面低于所述支撑件本体的表面，所述避让部的表面低于所述支撑件本体的表面和所述晶圆接触部的表面。
3.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存组件设有至少2个，且至少2个所述缓存组件层叠设置。
4.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述晶圆接触部的表
5.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存组件还包括N个定位贯穿杆，N个所述定位贯穿杆一一对应贯穿于每组所述缓存单元中的N个所述晶圆支撑件的支撑件本体的远端设置，以使若干组所述缓存单元沿所述定位贯穿杆的高度方向顺次排列。
6.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述支撑件本体的近端与所述晶圆接触部之间沿所述支撑件本体的延伸方向的距离不大于10mm。
7.根据权利要求5所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存组件还包括若干层间定位块，所述层间定位块设置于所述支撑件本体的上表面且由所述定位贯穿杆贯穿设置。
8.根据权利要求5所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存组件还包括底座和N个底层定位块，所述底座设有N个定位槽，N个所述底层定位块一一对应设置于N个所述定位槽，N个所述定位贯穿杆的底端一一对应设置于N个所述底层定位块。
9.根据权利要求5所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存组件还包括加强件，所述定位贯穿杆的顶端设置于所述加强件。
10.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述N等于4，每组所述缓存单元中的4个所述晶圆支撑件的所述支撑件本体的远端顺次连接形成的结构为矩形结构，所述支撑件本体朝所述矩形结构的对角线方向延伸，且所述支撑件本体的近端朝向所述矩形结构的中心设置。
11.根据权利要求10所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述矩形结构的相邻边的边长相等或不相等，且所述矩形结构的至少一对称边的边长大于需承载的所述晶圆的直径。
12.根据权利要求3所述的晶圆缓存装置，其特征在于，至少2个所述缓存组件中总的所述晶圆缓存工位的数量等于晶圆曝光前工艺处理模块中晶圆处理工位的数量和预留缓存工位的数量之和。
13.根据权利要求3所述的晶圆缓存装置，其特征在于，各所述缓存组件中的晶圆缓存工位的数量相同或不同。
14.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述晶圆支撑件为聚醚醚酮支撑件。
15.一种半导体设备，其特征在于：包括如权利要求1-14任一项所述的晶圆缓存装置。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆缓存装置，其特征在于，包括缓存组件,所述缓存组件包括若干组缓存单元，所述缓存单元包括n个用于承载晶圆的晶圆支撑件，所述n为大于等于3的正整数；所述晶圆支撑件包括支撑件本体和设置于所述支撑件本体的近端的晶圆接触部，每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的支撑件本体分别沿需承载的所述晶圆的不同半径方向设置，且所述支撑件本体的近端相向设置；所述晶圆接触部的表面高于或低于所述支撑件本体的表面，每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的所述晶圆接触部均匀分布于同一圆周上以构成承载晶圆的晶圆缓存工位。
2.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述晶圆支撑件还包括避让部，所述避让部的一端与所述支撑件本体的近端相接，所述避让部的另一端与所述晶圆接触部相接，所述晶圆接触部的表面低于所述支撑件本体的表面，所述避让部的表面低于所述支撑件本体的表面和所述晶圆接触部的表面。
3.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存组件设有至少2个，且至少2个所述缓存组件层叠设置。
4.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述晶圆接触部的表面的面积不大于一平方厘米。
5.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存组件还包括n个定位贯穿杆，n个所述定位贯穿杆一一对应贯穿于每组所述缓存单元中的n个所述晶圆支撑件的支撑件本体的远端设置，以使若干组所述缓存单元沿所述定位贯穿杆的高度方向顺次排列。
6.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述支撑件本体的近端与所述晶圆接触部之间沿所述支撑件本体的延伸方向的距离不大于10mm。
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔宇琦，李胜群，齐关宇，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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