【技术实现步骤摘要】
本技术涉及大单晶培育钻石领域，尤其涉及一种培育钻石的异形触媒组件。
技术介绍
1、从目前公开的本领域的资料来看，用于合成钻石的触媒合金均是圆形片状的，其石墨片也是圆形片状的，这种组装的触媒组件，在绝缘管内部的传压传热不均，使触媒合金与石墨片在熔融状态下混合不均匀，导致中心部分提供的生长空间比外缘部分少，从而引起中心晶体没有外缘部分晶体饱满，中心成核率低，不利于钻石的培育生长。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种培育钻石的异形触媒组件，能够提升绝缘管内传压传热的均匀性，使触媒合金与石墨片在熔融状态下混合均匀，保证合成后的整体钻石晶体粒度饱满，为钻石的培育生长提供有利空间。
2、本技术采用以下技术方案：
3、一种培育钻石的异形触媒组件，包括触媒合金及石墨片，所述触媒合金中部凸出形成有凸台，所述石墨片中部所述凸台对应的位置，设置有与所述凸台匹配的凹槽；所述触媒合金及所述石墨片通过所述凸台及所述凹槽连接；其中所述石墨片位于所述触媒合金的上方。
4、优选地，所述的触媒合金及所述石墨片均横截面均为圆形结构。
5、优选地，所述的凸台及所述凹槽横截面均为圆形结构。
6、优选地，所述的凸台与所述触媒合金连接处及所述凹槽与所述石墨片连接处均进行倒角处理。
7、优选地，所述的凸台与所述触媒合金连接处的倒角为0°-145°，所述凹槽与所述石墨片连接处的倒角为1°-144°。
8、优选地，所述的触媒合金与所述石墨片连接
9、优选地，所述的触媒合金与所述石墨片连接后总高度为8-12mm。
10、优选地，所述的触媒合金厚度小于所述石墨片的厚度。
11、优选地，所述的触媒合金的厚度小于所述石墨片厚度1-3mm。
12、与现有技术相比本技术的有益效果是：本技术通过触媒合金的凸台与石墨片的凹槽吻合，为钻石后续合成提供均匀的生长空间，使得中心与边缘部分所受温度和压力均匀，合成后晶体粒度饱满，整体产量提高，有效减少触媒合金的用量，节约成本。
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1.一种培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：包括触媒合金及石墨片，所述触媒合金中部凸出形成有凸台，所述石墨片中部所述凸台对应的位置，设置有与所述凸台匹配的凹槽；所述触媒合金及所述石墨片通过所述凸台及所述凹槽连接；其中所述石墨片位于所述触媒合金的上方。
2.根据权利要求1所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的触媒合金及所述石墨片均横截面均为圆形结构。
3.根据权利要求2所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的凸台及所述凹槽横截面均为圆形结构。
4.根据权利要求3所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的凸台与所述触媒合金连接处及所述凹槽与所述石墨片连接处均进行倒角处理。
5.根据权利要求4所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的凸台与所述触媒合金连接处的倒角为0°-145°，所述凹槽与所述石墨片连接处的倒角为1°-144°。
6.根据权利要求4所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的触媒合金与所述石墨片连接后的吻合角度不大于1°。
7.根据权利要求1所述的培育钻石的异形触
8.根据权利要求7所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的触媒合金厚度小于所述石墨片的厚度。
9.根据权利要求8所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的触媒合金的厚度小于所述石墨片厚度1-3mm。
...【技术特征摘要】
1.一种培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：包括触媒合金及石墨片，所述触媒合金中部凸出形成有凸台，所述石墨片中部所述凸台对应的位置，设置有与所述凸台匹配的凹槽；所述触媒合金及所述石墨片通过所述凸台及所述凹槽连接；其中所述石墨片位于所述触媒合金的上方。
2.根据权利要求1所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的触媒合金及所述石墨片均横截面均为圆形结构。
3.根据权利要求2所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的凸台及所述凹槽横截面均为圆形结构。
4.根据权利要求3所述的培育钻石的异形触媒组件，其特征在于：所述的凸台与所述触媒合金连接处及所述凹槽与所述石墨片连接处均进行倒角处理。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：娄会宾，马平安，孙磊，李长恩，任瑞歌，刘博，原亨馨，臧传义，
申请(专利权)人：郑州华晶金刚石股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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