【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开涉及随机存取存储器(ram)，并且更具体地，涉及嵌入式磁阻ram。
2、磁阻ram(mram)是一种固态非易失性存储器，其使用隧穿磁阻来存储信息，并且可以并入到嵌入式非易失性存储器(envm)设备中。这样的envm设备还可以被称为嵌入式mram(emram)，其可以包括自旋转移矩mram(stt-mram)或自旋轨道矩mram(sot-mram)。然而，具有emram的晶片可以在实际半导体晶片的后段制程(beol)中制造emram。beol可以指代在前端线(feol)中形成晶体管之后完成的集成。
3、此外，由于beol中的布线的复杂性，stt-mram可以放置在远后端，这可以产生高电阻。背侧emram意味着嵌入式存储器在另一侧上具有晶体管。商用存储器装置通常在同一侧上具有晶体管和存储器。这种高电阻可能导致面积损失。此外，对于可以配置有三端子设计的sot-mram，面积损失可能甚至更大。另外，将stt-mram放置在远后端可能由于所得的集成复杂性而增加生产此类器件的成本。
技术实现思路
1、公开了一种系统的实施例。该系统包括半导体结构。半导体结构包括晶片、多个晶体管和设置在晶片背面上的磁阻随机存取存储器(mram)单元。晶体管设置在晶片的前端线(feol)上。mram单元通过设置在晶片背面上的触点连接到晶体管的源极-漏极。晶体管通过至少一个触点与mram单元直接电接触。有利地，这样的实施例减小了电阻，并且与在晶片的与晶体管相同的一侧上具有
2、另外公开了用于制造半导体结构的方法的实施例。该方法包括执行晶片的晶片后翻转，该晶片具有设置在晶片的前端制程(feol)上的多个晶体管。该方法还包括对晶片进行背面抛光。该方法还包括从晶片的背侧去除牺牲插塞。该方法还包括形成触点来代替牺牲插塞。此外，该方法包括通过在晶片的背侧上执行重金属she轨道沉积来产生自旋霍尔效应(she)轨道。此外，该方法包括通过在she轨道上执行磁隧道结(mtj)堆叠沉积来生成mtj堆叠。另外，该方法包括在mtj堆叠上执行mtj图案化。该方法还包括通过在图案化mtj堆叠上执行ibe柱形成来生成ibe柱。该方法进一步包括在she轨道和ibe柱上执行电介质封装。所述方法另外包含执行自对准囊封电介质反应离子蚀刻(rie)及she轨形成。此外，该方法包括在ibe柱和she轨道上执行层间电介质(ild)填充和化学机械抛光(cmp)。此外，该方法包括在ibe柱上执行mtj顶部接触着陆。有利地，这样的实施例减小了电阻，并且与在晶片的与晶体管相同的一侧上具有mram单元的晶片相比制造成本更低。
3、本专利技术的其他方面涉及具有与上面关于计算机实现的方法讨论的功能类似的功能的计算机程序产品。本
技术实现思路
并非旨在说明本专利技术的每个方面、每个实施方式和/或每个实施例。
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述MRAM单元包括磁性隧道结，所述磁性隧道结包括：
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与所述MRAM单元直接电接触。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与多个字位线直接电接触。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统包括附加MRAM单元，所述附加MRAM单元包括附加磁性隧道结。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述多个晶体管通过至少一个触点与所述附加MRAM单元直接电接触。
7.根据权利要求5所述的系统，其中所述MRAM单元包括自旋转移矩MRAM。
8.根据权利要求5所述的系统，其中所述MRAM单元包括压控MRAM。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述MRAM单元是第一MRAM单元，所述第一MRAM单元通过设置在所述晶片的背面上的第一触点连接到所述晶体管的源极-漏极，
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述第一MRAM单元
11.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与所述第一MRAM单元和所述第二MRAM单元直接电接触。
12.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与多个字位线直接电接触。
13.根据权利要求9所述的系统，其中所述第一MRAM单元和所述第二MRAM单元包括自旋转移矩MRAM。
14.根据权利要求9所述的系统，其中所述第一MRAM单元和所述第二MRAM单元包括压控MRAM。
15.根据权利要求1所述的系统，其中所述MRAM单元是通过设置在所述晶片的背侧上的第一触点连接到所述晶体管的源极-漏极的第一MRAM单元，并且所述系统包括设置在所述晶片的背侧上的第二MRAM单元，其中所述第二MRAM单元通过设置在所述晶片的背侧上的第二触点连接到所述晶体管的源极-漏极，并且其中所述多个晶体管与所述第二MRAM单元直接电接触，并且其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与所述第一MRAM单元和所述第二MRAM单元直接电接触。
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述第一MRAM单元和所述第二MRAM单元包括磁性隧道结(MTJ)，所述磁性隧道结包括：
17.根据权利要求16所述的系统，其中离子束蚀刻(IBE)柱包括所述MTJ。
18.根据权利要求15所述的系统，其中所述第一MRAM单元和所述第二MRAM单元包括自旋转移矩MRAM。
19.根据权利要求15所述的系统，其中所述第一MRAM单元和所述第二MRAM单元包括压控MRAM。
20.一种用于制造具有背侧MRAM的互补金属氧化物半导体(CMOS)的方法，包括：
21.根据权利要求20所述的方法，还包括：
22.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述多个触点代替所述牺牲插塞包括形成用于所述晶体管中的一个晶体管的多个触点，使得所形成的多个触点被配置为传导高驱动电流。
23.一种计算机程序产品，包括存储在计算机可读存储介质上的程序指令，所述程序指令可由处理器执行以使所述处理器执行根据权利要求20至22中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述mram单元包括磁性隧道结，所述磁性隧道结包括：
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与所述mram单元直接电接触。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与多个字位线直接电接触。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统包括附加mram单元，所述附加mram单元包括附加磁性隧道结。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述多个晶体管通过至少一个触点与所述附加mram单元直接电接触。
7.根据权利要求5所述的系统，其中所述mram单元包括自旋转移矩mram。
8.根据权利要求5所述的系统，其中所述mram单元包括压控mram。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述mram单元是第一mram单元，所述第一mram单元通过设置在所述晶片的背面上的第一触点连接到所述晶体管的源极-漏极，
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述第一mram单元和所述第二mram单元包括磁性隧道结，所述磁性隧道结包括：
11.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与所述第一mram单元和所述第二mram单元直接电接触。
12.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个晶体管通过用于高驱动电流的多个触点与多个字位线直接电接触。
13.根据权利要求9所述的系统，其中所述第一mram单元和所述第二mram单元包括自旋转移矩mram。
14.根据权利要求9所述的系统，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，谢瑞龙，J·弗洛吉尔，成敏圭，张辰，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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