一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构制造技术

本技术涉及碳化硅单晶技术领域，尤其为一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构包括第一线圈筒，所述第一线圈筒上端固定连接有第一限位环，所述第一线圈筒下端固定连接有第四限位环，所述第一线圈筒表面缠绕有第一线圈。本技术中，通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器，加热时，可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节，可以根据不同区域进行单独调节，可调节性更强。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及碳化硅单晶，具体为一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构。

技术介绍

1、碳化硅单晶材料是一种半导体材料。专利号为cn201811303468.2，名为“一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构”的中国专利技术，公开了“所述热场结构包括：坩埚，放置用于生长碳化硅单晶的原料；加热装置，加热所述坩埚；所述坩埚外部至少套设一个可沿坩埚轴向移动的套环。”，在坩埚外侧增加螺纹及配套的石墨套环装置，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶的制造成本。随然可以实现热场的调节，但是石墨套环始终会位于坩埚的某一区域，则该区域的热场就会发生变化，通常情况下，碳化硅单晶再制备时，不仅需要均匀的热场环境，还要有一定的温差才能形成高质量晶体，坩埚底部和籽晶处存在一定温差才能形成高质量晶体，且现有的一体式线圈，长时间使用后容易损坏，维修不方便且更换成本高。

2、因此需要一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构对上述问题做出改善。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：

3、一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构包括第一线圈筒，所述第一线圈筒上端固定连接有第一限位环，所述第一线圈筒下端固定连接有第四限位环，所述第一线圈筒表面缠绕有第一线圈，通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器，加热时，可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节，可以根据不同区域进行单独调节，可调节性更强，同时通过第一石墨加热器和第二石墨加热器控制坩埚底部和顶部的温度，不仅能够使坩埚底部和顶部磁感线切不到的坩埚底部和顶部加热均匀，还能控制坩埚底部和顶部的温差，有助于生成高质量晶体。

4、作为本技术优选的方案，所述第二加热机构包括第二线圈筒，所述第二线圈筒上端固定连接有第三限位环，所述第二线圈筒下端固定连接有第二限位环，所述第二线圈筒表面缠绕有第二线圈。

5、作为本技术优选的方案，所述第一加热机构上侧设置有第二石墨加热器。

6、作为本技术优选的方案，所述第二加热机构下侧设置有第一石墨加热器。

7、作为本技术优选的方案，所述第四限位环下表面固定连接有连接环，所述连接环表面开设有对接孔。

8、作为本技术优选的方案，所述第三限位环上表面开设有插接槽，所述插接槽两侧槽壁上均开设有滑槽，所述滑槽内部一侧槽壁上固定连接有弹簧，所述弹簧一端固定连接有弧形卡块。

9、与现有技术相比，本技术的有益效果是：

10、本技术中，通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器，加热时，可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节，可以根据不同区域进行单独调节，可调节性更强，同时通过第一石墨加热器和第二石墨加热器控制坩埚底部和顶部的温度，不仅能够使坩埚底部和顶部磁感线切不到的坩埚底部和顶部加热均匀，还能控制坩埚底部和顶部的温差，有助于生成高质量晶体。

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【技术保护点】

1.一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构(1)和第二加热机构(2)，其特征在于：所述第一加热机构(1)包括第一线圈筒(6)，所述第一线圈筒(6)上端固定连接有第一限位环(5)，所述第一线圈筒(6)下端固定连接有第四限位环(13)，所述第一线圈筒(6)表面缠绕有第一线圈(7)。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第二加热机构(2)包括第二线圈筒(9)，所述第二线圈筒(9)上端固定连接有第三限位环(12)，所述第二线圈筒(9)下端固定连接有第二限位环(10)，所述第二线圈筒(9)表面缠绕有第二线圈(11)。

3.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第一加热机构(1)上侧设置有第二石墨加热器(4)。

4.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第二加热机构(2)下侧设置有第一石墨加热器(3)。

5.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第四限位环(13)下表面固定连接有连接环(8)，所述连接环(8)表面开设有对接孔(14)。

6.根据权利要求2所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第三限位环(12)上表面开设有插接槽(15)，所述插接槽(15)两侧槽壁上均开设有滑槽(18)，所述滑槽(18)内部一侧槽壁上固定连接有弹簧(17)，所述弹簧(17)一端固定连接有弧形卡块(16)。

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【技术特征摘要】

1.一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构(1)和第二加热机构(2)，其特征在于：所述第一加热机构(1)包括第一线圈筒(6)，所述第一线圈筒(6)上端固定连接有第一限位环(5)，所述第一线圈筒(6)下端固定连接有第四限位环(13)，所述第一线圈筒(6)表面缠绕有第一线圈(7)。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：所述第二加热机构(2)包括第二线圈筒(9)，所述第二线圈筒(9)上端固定连接有第三限位环(12)，所述第二线圈筒(9)下端固定连接有第二限位环(10)，所述第二线圈筒(9)表面缠绕有第二线圈(11)。

3.根据权利要求1所述的一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱艳丽，李天运，
申请(专利权)人：合肥世纪金芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：