【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池组件缺陷检测方法及装置。
技术介绍
1、太阳能电池以太阳辐射为能源，能够逐渐替代传统的化石能源，具有环保可再生的特点。相比于煤炭、石油等化石能源，太阳能电池的发电过程没有排放污染物，对于保护环境具有非常好的作用。
2、图1是一种太阳能电池组件的结构示意图，参考图1，该太阳能电池组件包括多个串联连接的子电池单元。图1中的虚线箭头表示太阳能电池组件内部光生电流流向。其中，子电池单元包括底电极110、电池功能层120和顶电极130。太阳能电池组件生产过程通常需要四次激光加工，分别为p1,p2,p3,p4，其中进行三次平行激光划线(p1-p3)，使材料熔融蒸发并形成线槽，将整个膜层分割成一个个相互串联的一定宽度的子电池单元。其中p2是刻蚀电池功能层120，露出底电极110，制备顶电极130后在相邻子电池单元的前后电极之间形成一个导电通道。p3是刻蚀电池功能层120以及顶电极130，起到分割子电池单元的作用。
3、目前对太阳能电池组件进行检测可以找出存在缺陷的太阳能电池组件，但没有办法根据检测结果判断出缺陷形成的原因、缺陷程度及位置。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种太阳能电池组件缺陷检测方法及装置，可以检测出存在缺陷的待分析太阳能电池组件的缺陷类型及缺陷情形。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种太阳能电池组件缺陷检测方法，检测方法包括：
3、制作多种不同情形的模拟电池组件，其中，各所述
4、对各所述模拟电池组件和串联结构的待分析太阳能电池组件进行性能测试和缺陷测试；
5、根据模拟测试结果及实际测试结果确定所述待分析太阳能电池组件是否存在顶电极与底电极短接缺陷，并确定存在顶电极与底电极短接缺陷的待分析太阳能电池组件的缺陷情形，其中，所述模拟测试结果包括各所述模拟电池组件的性能测试结果和缺陷测试结果，所述实际测试结果包括所述待分析太阳能电池组件的性能测试结果和缺陷测试结果。
6、可选的，所述制作多种不同情形的模拟电池组件具体包括：
7、制作多个顶电极与底电极短接程度不同、顶电极与底电极短接数量不同以及顶电极与底电极短接程度和顶电极与底电极短接数量均不同的模拟电池组件。
8、可选的，制作所述模拟电池组件具体包括：
9、制作第一雏形电池组件，其中，所述第一雏形电池组件包括依次层叠设置的透明基底、底电极层和电池功能膜层，所述底电极层包括多个沿第一方向间隔分布的底电极；所述电池功能膜层覆盖相邻两个所述底电极之间的间隙；所述电池功能膜层包括多个沿所述第一方向间隔分布的电池功能层，所述电池功能层与所述底电极一一对应，相邻两个所述电池功能层之间包括第一线槽；所述第一方向所在的平面平行于所述透明基底承载所述底电极层的表面；
10、对所述第一雏形电池组件中的至少一个所述电池功能层进行刻蚀形成包括第二线槽的第二雏形电池组件，其中，所述第二线槽在第二方向上的长度与所述第一线槽在所述第二方向上的长度相等；所述第二方向为所述第一线槽的长度方向；
11、在所述第二雏形电池组件中的电池功能膜层远离所述底电极层的一侧制作顶电极层，形成第三雏形电池组件，其中，所述顶电极层覆盖各所述电池功能层、所述第一线槽和所述第二线槽；
12、对所述第三雏形电池组件中的电池功能层及顶电极层进行刻蚀形成包括第三线槽和第四线槽的第四雏形电池组件，其中，所述第三线槽在所述透明基底上的垂直投影位于所述第二线槽在所述透明基底上的垂直投影内，所述第三线槽在所述第一方向上的宽度小于所述第二线槽在所述第一方向上的宽度，所述第三线槽在所述第二方向上的长度与所述第二线槽在所述第二方向上的长度相等；一个所述第四线槽分离出两个所述模拟子电池单元；
13、对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件。
14、可选的，所述对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件具体包括：
15、将所述第四雏形电池组件固定于真空吸附平台上；
16、在激光发射单元的激光聚焦头以设定速度匀速到达所述第四雏形电池组件的第一设定边沿的上方时，控制所述激光发射单元向所述第四雏形电池组件发射激光以刻蚀部分覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层，同时控制所述激光发射单元以所述设定速度沿所述第二方向匀速移动；
17、在所述激光聚焦头以所述设定速度匀速到达所述第四雏形电池组件的设定位置的上方时控制所述激光发射单元停止出射激光，同时控制所述激光发射单元沿所述第二方向以所述设定速度匀速移动；
18、在设定时长后，控制所述激光发射单元出射激光并同时控制所述激光发射单元沿所述第二方向以所述设定速度匀速移动；
19、在所述激光聚焦头以所述设定速度匀速到达所述第四雏形电池组件的第二设定边沿的上方时控制所述激光发射单元停止出射激光，形成所述模拟电池组件，其中，所述第一设定边沿与所述第二设定边沿相对设置。
20、可选的，所述对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件具体包括：
21、将所述第四雏形电池组件固定于真空吸附平台上；
22、在所述第四雏形电池组件远离所述真空吸附平台的一侧放置掩模板，其中，所述掩模板在所述第二方向上包括至少两个通孔及位于相邻两个通孔之间的遮光区，且各所述通孔在所述透明基底上的垂直投影、所述遮光区在所述透明基底上的垂直投影均位于覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层在所述透明基底上的垂直投影内；
23、在激光发射单元的激光聚焦头以设定速度匀速到达所述第四雏形电池组件的第一设定边沿的上方时，控制所述激光发射单元向所述第四雏形电池组件发射激光以刻蚀部分覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层，同时控制所述激光发射单元以所述设定速度沿所述第二方向匀速移动，其中，所述激光发射单元发射的激光穿过所述掩模板中的通孔；
24、在所述激光聚焦头以设定速度匀速到达所述第四雏形电池组件的第二设定边沿的上方时控制所述激光发射单元停止出射激光，形成所述模拟电池组件，其中，所述第一设定边沿与所述第二设定边沿相对设置。
25、可选的，所述第四雏形电池组件中的底电极为透光底电极；
26、所述对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件具体包括：
27、对所述第四雏形电池组件中的透明基底进行预处理，形成具有局部遮光区域的透明基底；其中，所述局部遮光区域在所述底电极层上的垂直投影位于覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层在所述底电极层上的垂直投影内；
28、将处理后的第四雏形电池组件固定于真空吸附平台上，其中，所述透明基底位于所述顶电极层远离所述真空吸附平台的一侧；
29、在激光发射单元的激光本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述制作多种不同情形的模拟电池组件具体包括：
3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，制作所述模拟电池组件具体包括：
4.根据权利要求3所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件具体包括：
5.根据权利要求3所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件具体包括：
6.根据权利要求3所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述第四雏形电池组件中的底电极为透光底电极；
7.根据权利要求3所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，
8.根据权利要求1-7任一项所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述对各所述模拟电池组件和串联结构的待分析太阳能电池组件进行性能测试和缺陷测试；根据模拟测试结果及实际测试结果
9.一种太阳能电池组件缺陷检测装置，其特征在于，包括制作模块、测试模块以及分析模块；
10.根据权利要求9所述的太阳能电池组件缺陷检测装置，其特征在于，所述制作模块包括第一雏形电池制作单元、第二雏形电池制作单元、第三雏形电池制作单元、第四雏形电池制作单元、固定单元、激光控制单元、激光发射单元；
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述制作多种不同情形的模拟电池组件具体包括：
3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，制作所述模拟电池组件具体包括：
4.根据权利要求3所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件具体包括：
5.根据权利要求3所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述对覆盖所述第二线槽的剩余顶电极层进行激光刻蚀形成所述模拟电池组件具体包括：
6.根据权利要求3所述的太阳能电池组件缺陷检测方法，其特征在于，所述第四雏形电池组件中的底电极为透光底电极；
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：昆山协鑫光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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