【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路，具体涉及一种低压差稳压器及其修调方法、电子设备及可读存储介质。
技术介绍
1、芯片的研发流程包括电路设计、生产、封装、测试。在芯片生产完成后，需对大量生产的芯片进行测试检验功能，以保证芯片高质量、高可靠性。在生产过程中，由于工艺的偏差，同一种设计的芯片依旧在性能上依旧可能存在很大的差异，此需要经过测试和修正，这对提高产品的可靠性和良品率有很大的帮助。
2、传统的低压差稳压器的金属熔丝修调(ldo metal fuse trim)采用“cp1读-trim1-cp2读-trim2-cp3读”的方法，cp1(chip probing晶圆测试)读出带隙基准电压vbg，后通过单点校准法得到调节带隙输出电压vbg_out温漂的修调码trim code(trim1)。cp2读到trim1后的ldo输出电压，通过修调表trimming table得到调节ldo输出电压绝对值的trim code(trim2)。通过cp3读两次trim后的ldo输出电压，判断是否修调成功。
3、采用传统的低压差稳压器的金属熔丝修调缺点在于：1、电路设计复杂，需要较大布线面积；2、逻辑复杂，需要在特定时序下进行修调；3、需要较多cp pad(晶圆测试焊盘)，应力作用可能会影响芯片性能。
4、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、
2、为了实现上述目的，本专利技术一具体实施例提供的了一种低压差稳压器修调方法，所述方法基于低压差稳压器实现，所述低压差稳压器包括带隙基准电路、分压电路和ldo电路，所述带隙基准电路用于产生带隙基准电压并通过基准修调码对自身进行修调以调节带隙基准电压，所述分压电路与带隙基准电路相连以基于带隙基准电压产生带隙参考电压并通过分压修调码对自身进行修调以调节带隙参考电压，所述ldo电路与分压电路相连并基于带隙参考电压产生ldo输出电压，所述方法包括：
3、对所述低压差稳压器进行第一次测试，并获取第一带隙基准电压和第一ldo输出电压；
4、基于第一带隙基准电压和目标带隙基准电压获取修调值，并基于修调值获取修调值对应的基准修调码；
5、基于第一带隙基准电压和第一ldo输出电压获取失调电压，并基于失调电压、第一带隙基准电压以及修调值获取基准修调码对应的第二ldo输出电压；
6、基于失调电压、目标ldo输出电压以及第二ldo输出电压获取分压修调码，基准修调码和分压修调码用于对低压差稳压器进行修调。
7、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述“基于第一带隙基准电压和目标带隙基准电压获取修调值，并基于修调值获取修调值对应的基准修调码”包括：
8、获取目标带隙基准电压与第一带隙基准电压之间的差值，并基于所述差值获取修调值；
9、基于修调值获取修调值对应的基准修调码。
10、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述“基于第一带隙基准电压和第一ldo输出电压获取失调电压”包括：
11、所述失调电压vos＝vout-test-a×vbg-test；
12、式中，vout-test为第一ldo输出电压，vbg-test为第一带隙基准电压，a为第一ldo输出电压与第一带隙基准电压之间的比例系数。
13、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述ldo电路还包括片外电路，所述片外电路包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述第二反馈电阻的第一端与ldo电路输出端相连，所述第二反馈电阻的第二端与第一反馈电阻的第一端、带隙基准电路以及分压电路相连形成片外电路的浮地端口并产生浮地电压，所述第一反馈电阻的第二端与地电位相连；
14、所述“基于第一带隙基准电压和第一ldo输出电压获取失调电压”包括：
15、所述失调电压vos＝vout-test-a×vbg-test-vadj；
16、式中，vout-test为第一ldo输出电压，vbg-test为第一带隙基准电压，a为第一ldo输出电压与第一带隙基准电压之间的比例系数，vadj为浮地电压。
17、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述“基于失调电压、第一带隙基准电压以及修调值获取基准修调码对应的第二ldo输出电压”包括：
18、所述第二ldo输出电压vout_ch＝a×(vbg-test+vbg-trim)+vos；
19、式中，a为第一ldo输出电压与第一带隙基准电压之间的比例系数，vbg-test为第一带隙基准电压，vbg-trim为修调值，vos为失调电压。
20、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述ldo电路还包括片外电路，所述片外电路包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述第二反馈电阻的第一端与ldo电路输出端相连，所述第二反馈电阻的第二端与第一反馈电阻的第一端、带隙基准电路以及分压电路相连形成片外电路的浮地端口并产生浮地电压，所述第一反馈电阻的第二端与地电位相连；
21、所述“基于失调电压、第一带隙基准电压以及修调值获取基准修调码对应的第二ldo输出电压”包括：
22、所述第二ldo输出电压vout_ch＝a×(vbg-test+vbg-trim)+vos+vadj；
23、式中，a为第一ldo输出电压与第一带隙基准电压之间的比例系数，vbg-test为第一带隙基准电压，vbg-trim为修调值，vadj为浮地电压，vos为失调电压。
24、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述“基于失调电压、目标ldo输出电压以及第二ldo输出电压获取分压修调码”包括：
25、基于目标ldo输出电压、第二ldo输出电压以及失调电压获取修调精度系数，其中修调精度系数式中，vout_set为目标ldo输出电压，vout_ch为第二ldo输出电压，vos为失调电压；
26、基于修调精度系数获取对应的分压修调码。
27、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述方法还包括：对通过修调后的所述低压差稳压器进行第二次测试并获取对应的第三ldo输出电压，基于对应的第三ldo输出电压以及目标ldo输出电压筛选低压差稳压器。
28、本专利技术一实施例提供一种低压差稳压器，所述低压差稳压器用于基于如所述的低压差稳压器修调方法产生目标ldo输出电压。
29、本专利技术一实施例还提供一种电子设备，包括存储器、处理器、以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如任一项实施例所述的低压差稳压器修调方法。
30、本专利技术一实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中承载有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述方法基于低压差稳压器实现，所述低压差稳压器包括带隙基准电路、分压电路和LDO电路，所述带隙基准电路用于产生带隙基准电压并通过基准修调码对自身进行修调以调节带隙基准电压，所述分压电路与带隙基准电路相连以基于带隙基准电压产生带隙参考电压并通过分压修调码对自身进行修调以调节带隙参考电压，所述LDO电路与分压电路相连并基于带隙参考电压产生LDO输出电压，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述“基于第一带隙基准电压和目标带隙基准电压获取修调值，并基于修调值获取修调值对应的基准修调码”包括：
3.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述“基于第一带隙基准电压和第一LDO输出电压获取失调电压”包括：
4.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述LDO电路还包括片外电路，所述片外电路包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述第二反馈电阻的第一端与LDO电路输出端相连，所述第二反馈电阻的第二端与第一反馈电阻的第一端、带隙基准电路以及分压电路相连形成
5.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述“基于失调电压、第一带隙基准电压以及修调值获取基准修调码对应的第二LDO输出电压”包括：
6.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述LDO电路还包括片外电路，所述片外电路包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述第二反馈电阻的第一端与LDO电路输出端相连，所述第二反馈电阻的第二端与第一反馈电阻的第一端、带隙基准电路以及分压电路相连形成片外电路的浮地端口并产生浮地电压，所述第一反馈电阻的第二端与地电位相连；
7.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述“基于失调电压、目标LDO输出电压以及第二LDO输出电压获取分压修调码”包括：
8.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述方法还包括：对通过修调后的所述低压差稳压器进行第二次测试并获取对应的第三LDO输出电压，基于对应的第三LDO输出电压以及目标LDO输出电压筛选低压差稳压器。
9.一种低压差稳压器，其特征在于，所述低压差稳压器用于基于如权利要求1～8中任一项所述的低压差稳压器修调方法产生目标LDO输出电压。
10.一种电子设备，包括存储器、处理器、以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1～8中任一项所述的低压差稳压器修调方法。
11.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中承载有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现如权利要求1～8中任一项所述的低压差稳压器修调方法。
...【技术特征摘要】
1.一种低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述方法基于低压差稳压器实现，所述低压差稳压器包括带隙基准电路、分压电路和ldo电路，所述带隙基准电路用于产生带隙基准电压并通过基准修调码对自身进行修调以调节带隙基准电压，所述分压电路与带隙基准电路相连以基于带隙基准电压产生带隙参考电压并通过分压修调码对自身进行修调以调节带隙参考电压，所述ldo电路与分压电路相连并基于带隙参考电压产生ldo输出电压，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述“基于第一带隙基准电压和目标带隙基准电压获取修调值，并基于修调值获取修调值对应的基准修调码”包括：
3.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述“基于第一带隙基准电压和第一ldo输出电压获取失调电压”包括：
4.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述ldo电路还包括片外电路，所述片外电路包括第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述第二反馈电阻的第一端与ldo电路输出端相连，所述第二反馈电阻的第二端与第一反馈电阻的第一端、带隙基准电路以及分压电路相连形成片外电路的浮地端口并产生浮地电压，所述第一反馈电阻的第二端与地电位相连；
5.根据权利要求1所述的低压差稳压器修调方法，其特征在于，所述“基于失调电压、第一带隙基准电压以及修调值获取基准修调码对应的第二ldo输出电压”包括：
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：王聪，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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