【技术实现步骤摘要】
本公开是关于一种集成电路结构，特别是关于一种集成电路结构的制造方法。
技术介绍
1、本公开一般是关于半导体元件，且特别地是关于三维(3-dimensional，3d)存储器元件及形成此类半导体元件的方法。
2、由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这允许更多的元件整合至给定面积中。
技术实现思路
1、本公开提供一种集成电路结构。集成电路结构包括衬底、第一存储器字串、源线以及第二存储器字串。第一存储器字串位于衬底上方，且包含在垂直方向上堆叠的多个第一存储单元。源线横向地延伸于第一存储器字串上方。第二存储器字串位于源线上方，且包含在垂直方向上堆叠的多个第二存储单元。
2、在一些实施方式中，第一存储器字串包含第一通道层。第一通道层延伸于垂直方向，且具有与源线的第一表面接触的一最内侧位置。
3、在一些实施方式中，第二存储器字串包含第二通道层。第二通道层延伸于垂直方向，且具有与源线的第二表面接触的一最内侧位置。第二表面与第一表面位于源线的相对侧。
4、在一些实施方式中，集成电路结构还包含第一位线以及第二位线。第一位线横向地延伸于衬底与第一存储器字串之间，且电性连接于第一存储器字串。第二位线横向地延伸于第二存储器字串上方，且电性连接于第二存储器字串。
5、在一些实施方式中，第一位线以及第二位线是由一相同材料所制成的
6、本公开提供一种集成电路结构的制造方法。制造方法包括：形成第一多层堆叠结构，第一多层堆叠结构包含有在垂直方向上堆叠且相互分离的多个第一绝缘层；形成第一存储层，第一存储层垂直地延伸穿过第一多层堆叠结构；在第一存储层上形成第一通道层；在第一多层堆叠结构上方形成横向延伸的源线；形成第二多层堆叠结构，第二多层堆叠结构包含有在垂直方向上堆叠且相互分离的多个第二绝缘层；形成第二存储层，第二存储层垂直地延伸穿过第二多层堆叠结构；在第二存储层上形成第二通道层；形成与多个第一绝缘层交替堆叠的多个第一栅极层从而形成第一存储器字串以及与多个第二绝缘层交替堆叠的多个第二栅极层从而形成第二存储器字串。
7、在一些实施方式中，制造方法还包括：自第二多层堆叠结构相对于源线的一侧，在第二多层堆叠结构上方形成第一互连结构。
8、在一些实施方式中，制造方法还包括：从第一多层堆叠结构相对于源线的一侧，在第一多层堆叠结构上方形成第二互连结构。
9、在一些实施方式中，制造方法还包括：将互补金属氧化物半导体晶圆接合至第一互连结构。
10、在一些实施方式中，制造方法还包括：形成深通孔，深通孔垂直地延伸穿过第一互连结构、第一多层堆叠结构、第二多层堆叠结构以及源线，且将第一存储器字串以及第二存储器字串电性连接至互补金属氧化物半导体晶圆。
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1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一存储器字串包含一第一通道层，该第一通道层延伸于该垂直方向，且具有与该源线的该第一表面接触的一最内侧位置。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中该第二存储器字串包含一第二通道层，该第二通道层延伸于该垂直方向，且具有与该源线的该第二表面接触的一最内侧位置，该第二表面与该第一表面位于该源线的相对侧。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包含：
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该衬底为一互补金属氧化物半导体晶圆，且该集成电路结构还包含：
6.一种集成电路结构的制造方法，包括：
7.根据权利要求6所述的制造方法，还包含：
8.根据权利要求7所述的制造方法，还包含：
9.根据权利要求7所述的制造方法，还包含：
10.根据权利要求9所述的制造方法，还包含：
【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一存储器字串包含一第一通道层，该第一通道层延伸于该垂直方向，且具有与该源线的该第一表面接触的一最内侧位置。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中该第二存储器字串包含一第二通道层，该第二通道层延伸于该垂直方向，且具有与该源线的该第二表面接触的一最内侧位置，该第二表面与该第一表面位于该源线的相对侧。
4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖二琨，李峯旻，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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