【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波场强计量校准，具体涉及一种高功率微波脉冲场强标准装置及其溯源方法。
技术介绍
1、高功率微波电磁脉冲具有峰值场强高、脉宽窄、上升沿陡峭、可重频性等特点，辐射波长在厘米至毫米范围，即频率在1ghz~300ghz。电场强度作为高功率微波的关键参数，其测量的准确性十分重要。为保证高功率微波场强测试探头在研制和使用过程中对电场强度测量的准确性，需要将其置于高功率微波脉冲标准场强环境中进行校准，因此建立稳定的高功率微波脉冲场强标准装置十分重要。
2、目前用于建立稳定的高功率微波脉冲场强环境的高功率微波脉冲源一般基于电真空技术，其缺点是输出功率不稳定，随时间、环境而变化，实现超稳定的高功率微波脉冲标准源目前技术实现难度大且费用昂贵，同时现有的微波高场强产生装置体积大、成本高。需要突破基于小功率激励条件下低成本产生脉冲高场强的新方法，研建高效、低成本、小体积的高功率微波脉冲场强产生装置，模拟稳定的高功率微波脉冲高场强环境，用于校准高功率微波场强测试探头。
3、因此，目前的微波高场强产生装置存在体积大、成本高、输出的微波脉冲源不稳定的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种高功率微波脉冲场强标准装置及其溯源方法，以解决目前的微波高场强产生装置存在体积大、成本高、输出的微波脉冲源不稳定的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一方面，本说明书提供一种高功率微波脉冲场强标准装置，包括：
4、
5、另一方面，本说明书提供一种高功率微波脉冲场强标准装置的溯源方法，包括：
6、步骤102，通过s参数标准装置对矢量网络分析仪测量的参数值进行校准溯源，获得s参数；所述s参数包括定向耦合器的耦合度、微波稳幅稳相电缆的衰减值以及重入式同轴谐振腔的反射系数；
7、步骤104，通过同轴小功率标准装置对脉冲功率计测量的参数值进行校准溯源，获得定向耦合器耦合端功率；
8、步骤106，基于定向耦合器耦合端功率和s参数，计算获得重入式同轴谐振腔的注入净功率；
9、步骤108，基于重入式同轴谐振腔的注入净功率，计算获得高功率微波脉冲场强，完成高功率微波脉冲场强的量值溯源。
10、基于上述技术方案，本说明书能够获得如下技术效果：
11、本说明书提出一种高功率微波脉冲场强标准装置及其溯源方法，可在小功率激励下稳定产生高功率微波脉冲高场强环境，可用于高功率微波场强测试探头1校准，以实现高功率微波脉冲标准场的构建，该装置能在小功率激励条件下高效稳定产生高功率微波脉冲高场强，具有小体积、低成本等优点，同时可对高功率微波脉冲场强标准装置产生的场强进行溯源，以保证其量值准确可靠，从而解决目前的微波高场强产生装置存在体积大、成本高、输出的微波脉冲源不稳定的问题。
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1.一种高功率微波脉冲场强标准装置，其特征在于，包括：主控计算机、脉冲信号源、脉冲功率放大器模块、定向耦合器、重入式同轴谐振腔、耦合注入探针（13）和微波稳幅稳相电缆；主控计算机控制脉冲信号源生成小功率脉冲信号，并控制脉冲功率放大器模块对小功率脉冲信号进行功率放大；脉冲功率放大器模块对小功率脉冲信号进行功率放大后生成大功率脉冲信号并输出至定向耦合器，定向耦合器通过微波稳幅稳相电缆将大功率脉冲信号导入耦合注入探针（13），耦合注入探针（13）再将大功率脉冲信号注入到重入式同轴谐振腔中，产生高功率微波脉冲场强；
2.根据权利要求1所述的高功率微波脉冲场强标准装置，其特征在于，所述重入式同轴谐振腔包括耦合端（2）、外导体（4）和置于外导体（4）中心的内导体（3）；内导体（3）与外导体（4）共同形成谐振腔，内导体（3）的底部与外导体（4）的底部连接，内导体（3）的顶部与外导体（4）顶部留有间隙；耦合端（2）安装在外导体（4）上且与所述耦合注入探针（13）连接，将所述大功率脉冲信号注入谐振腔内。
3.根据权利要求2所述的高功率微波脉冲场强标准装置，其特征在于，所述重
4.根据权利要求1所述的高功率微波脉冲场强标准装置，其特征在于，所述谐振腔分为第一区域（5）和第二区域（6），所述第二区域（6）为以内导体（3）顶部与外导体（4）顶部的间隙为高度，内导体（3）直径为宽度形成的腔体；所述第一区域（5）为外导体（4）内除第二区域（6）和内导体（3）所占区域的其他区域；当所述大功率脉冲信号注入所述谐振腔后，在所述第二区域（6）内产生高功率微波脉冲场强。
5.根据权利要求1所述的高功率微波脉冲场强标准装置，其特征在于，所述小功率脉冲信号和所述大功率脉冲信号均为窄脉冲信号。
6.一种应用于权利要求1-5所述任一项高功率微波脉冲场强标准装置的溯源方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的溯源方法，其特征在于，所述基于重入式同轴谐振腔的注入净功率，完成高功率微波脉冲场强的量值溯源包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高功率微波脉冲场强标准装置，其特征在于，包括：主控计算机、脉冲信号源、脉冲功率放大器模块、定向耦合器、重入式同轴谐振腔、耦合注入探针（13）和微波稳幅稳相电缆；主控计算机控制脉冲信号源生成小功率脉冲信号，并控制脉冲功率放大器模块对小功率脉冲信号进行功率放大；脉冲功率放大器模块对小功率脉冲信号进行功率放大后生成大功率脉冲信号并输出至定向耦合器，定向耦合器通过微波稳幅稳相电缆将大功率脉冲信号导入耦合注入探针（13），耦合注入探针（13）再将大功率脉冲信号注入到重入式同轴谐振腔中，产生高功率微波脉冲场强；
2.根据权利要求1所述的高功率微波脉冲场强标准装置，其特征在于，所述重入式同轴谐振腔包括耦合端（2）、外导体（4）和置于外导体（4）中心的内导体（3）；内导体（3）与外导体（4）共同形成谐振腔，内导体（3）的底部与外导体（4）的底部连接，内导体（3）的顶部与外导体（4）顶部留有间隙；耦合端（2）安装在外导体（4）上且与所述耦合注入探针（13）连接，将所述大功率脉冲信号注入谐振腔内。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：金开礼，李金蓉，胡天涛，吴诗月，高勇，
申请(专利权)人：贵州航天计量测试技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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