【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种包含mct层的产品的返工方法。
技术介绍
1、半导体工艺集成中，mct(metal-capacitor，金属电容)产品例如金属/电介质/金属电容常被用来制造电容，如图1所示，铝al金属层上依次沉积氮化硅sin电介质层和氮化钛tin金属层，氮化钛tin金属层作为上电极，铝al金属层作为下电极，通过将上电极和下电极分别刻蚀，得到一个金属/电介质/金属电容。
2、请参照图1，现有技术的包含mct层的产品包括：层间介质层110，位于层间介质层110内的接触孔120，位于层间介质层110表面的金属电容下级板130，位于下级板130表面的金属层140，位于金属层140表面的金属电容上极板150，分别位于部分上极板150表面的第一氮化层160和第二氮化层170，第一氮化层160和第二氮化层170完全覆盖所有上极板150的表面，位于第一氮化层160表面的氮化钛层180，以及同时位于氮化钛层180和第二氮化层170表面的抗反射层190。其中，下级板130为ti和tin的组合，上级板为ti和tin的组合，第一氮化层160和第二氮化层170的材料为氮化硅，金属层140的材料为铝，接触孔的材料为钨金属。抗反射层190的厚度大约为200埃，氮化钛层180的厚度大约为1000埃，第一氮化层160的厚度大约为560埃，第二氮化层170的厚度大约为160埃，上极板150的厚度大约为590埃，其中ti的厚度为90埃，tin的厚度为500埃，金属层140的厚度为4400埃，下级板130的厚度为550埃，其中ti的厚度
3、然而，在包含mct层的产品的制备过程中，可能出现其中一个或多个膜层出现缺陷或者厚度不达标的情况。例如，案例一，第一氮化层160和第二氮化层170可能厚度不达标。案例二，案例三，在搬运时落地导致破片，造成多个膜层中一个膜层或多个膜层划伤或者破裂，并且无法得知损坏的具体膜层。所以需要对包含mct层的产品进行返工。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种包含mct层的产品的返工方法，可以对包含mct层的产品进行返工，去除划伤或者破裂的膜层，得到质量达标的包含mct层的产品。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种包含mct层的产品的返工方法，包括：
3、提供具有缺陷的包含mct层的产品，所述包含mct层的产品包括层间介质层，位于所述层间介质层内的接触孔以及位于所述层间介质层表面的多个膜层，多个所述膜层中至少一个膜层具有缺陷，其中多个所述膜层包括位于所述层间介质层表面的下级板，位于所述下级板表面的金属层，位于所述金属层表面的上极板，分别位于部分所述上极板表面的第一氮化层和第二氮化层，位于所述第一氮化层表面的氮化钛层，以及同时位于所述氮化钛层和第二氮化层表面的抗反射层；
4、依次去除研磨所述抗反射层；
5、依次研磨氮化钛层、第一氮化层、第二氮化层和上极板，以露出所述金属层的表面；
6、刻蚀所述金属层，以露出所述下级板的表面；
7、研磨所述下级板，以露出所述接触孔和层间介质层的表面。
8、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，所述缺陷包括膜层的厚度不达标或者膜层的质量不达标。
9、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，研磨所述下级板的表面，以露出所述接触孔和层间介质层之后，还包括：
10、判断膜层去除后的所述接触孔的表面平整度是否达标，如果达标，则在所述层间介质层的表面重新形成多个膜层，如果不达标，则舍弃所述包含mct层的产品。
11、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，在所述层间介质层的表面重新形成多个膜层的方法包括：
12、在所述层间介质层的表面依次形成下级板，位于所述下级板表面的金属层，位于所述金属层表面的上极板，分别位于部分所述上极板表面的第一氮化层和第二氮化层，位于所述第一氮化层表面的氮化钛层，以及同时位于所述氮化钛层和第二氮化层表面的抗反射层。
13、本专利技术还提供了一种包含mct层的产品的返工方法，包括：
14、提供具有缺陷的包含mct层的产品，所述包含mct层的产品包括层间介质层，位于所述层间介质层内的接触孔以及位于所述层间介质层表面的多个膜层，多个所述膜层中至少一个膜层具有缺陷，其中多个所述膜层包括位于所述层间介质层表面的下级板，位于所述下级板表面的金属层，位于所述金属层表面的上极板，分别位于部分所述上极板表面的第一氮化层和第二氮化层，位于所述第一氮化层表面的氮化钛层，以及同时位于所述氮化钛层和第二氮化层表面的抗反射层；
15、从所述抗反射层的表面开始，采用多次研磨的方法，依次研磨多个所述膜层，以露出所述接触孔和层间介质层，且，每次研磨的时间相同，其中，每研磨一次后，对所述研磨机台进行修正，以使得研磨参数能达标。
16、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，所述缺陷包括膜层的厚度不达标或者膜层的质量不达标。
17、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，从所述抗反射层的表面开始，采用多次研磨的方法，依次研磨多个所述膜层，以露出所述接触孔和层间介质层之后，还包括：
18、判断膜层去除后的所述接触孔的表面平整度是否达标，如果达标，则在所述层间介质层的表面重新形成多个膜层，如果不达标，则舍弃所述包含mct层的产品。
19、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，在所述层间介质层的表面重新形成多个膜层的方法包括：
20、在所述层间介质层的表面依次形成下级板，位于所述下级板表面的金属层，位于所述金属层表面的上极板，分别位于部分所述上极板表面的第一氮化层和第二氮化层，位于所述第一氮化层表面的氮化钛层，以及同时位于所述氮化钛层和第二氮化层表面的抗反射层。
21、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，从所述抗反射层的表面开始，采用钨化学机械研磨设备进行3次～5次研磨的方法，依次研磨多个所述膜层，以露出所述接触孔和层间介质层。
22、可选的，在所述的包含mct层的产品的返工方法中，每次研磨的时间为40s～100s。
23、在本专利技术提供的包含mct层的产品的返工方法中，去除了划伤或者破裂的膜层，对包含mct层的产品进行了返工。
24、进一步的，重新形成新的膜层形成了新的包含mct层的产品。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，所述缺陷包括膜层的厚度不达标或者膜层的质量不达标。
3.如权利要求1所述的包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，研磨所述下级板的表面，以露出所述接触孔和层间介质层之后，还包括：
4.如权利要求3所述的包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，在所述层间介质层的表面重新形成多个膜层的方法包括：
5.一种包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，所述缺陷包括膜层的厚度不达标或者膜层的质量不达标。
7.如权利要求5所述的包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，从所述抗反射层的表面开始，采用多次研磨的方法，依次研磨多个所述膜层，以露出所述接触孔和层间介质层之后，还包括：
8.如权利要求5所述的包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，在所述层间介质层的表面重新形成多个膜层的方法包括：
9.如权利要
10.如权利要求5所述的包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，每次研磨的时间为40s～100s。
...【技术特征摘要】
1.一种包含mct层的产品的返工方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的包含mct层的产品的返工方法，其特征在于，所述缺陷包括膜层的厚度不达标或者膜层的质量不达标。
3.如权利要求1所述的包含mct层的产品的返工方法，其特征在于，研磨所述下级板的表面，以露出所述接触孔和层间介质层之后，还包括：
4.如权利要求3所述的包含mct层的产品的返工方法，其特征在于，在所述层间介质层的表面重新形成多个膜层的方法包括：
5.一种包含mct层的产品的返工方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的包含mct层的产品的返工方法，其特征在于，所述缺陷包括膜层的厚度不达标或者膜层的质量不...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈滨，李儒兴，程君，陶仁峰，周广伟，王明，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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