【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电子设备，更具体而言，涉及一种包括体声波谐振器的电子设备。
技术介绍
1、体声波谐振器具有尺寸小、性能好、可集成等优势，在无线收发器中可实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能。
2、请参考图1，图1示出现有薄膜体声波谐振器的结构示意图。如图1所示，薄膜体声波谐振器通常包括衬底1、形成在衬底1中的空腔2、下电极3、上电极5以及夹在上下电极之间的压电层4。其中上电极5、下电极3和压电层4形成“三明治”结构。
3、对于衬底1而言，现有技术中常采用硅衬底或soi衬底。采用soi衬底制备薄膜体身波谐振器时，可以基于soi衬底中埋氧层的刻蚀自停止特性，从而能更加确保器件的可靠性。以及基于衬底损耗等方面的考量，soi衬底比起硅衬底在制备薄膜体身波谐振器中更具有优势。然而采用soi衬底制备薄膜体身波谐振器时，在sio2-si界面会由于寄生表面电导(psc)效应，导致硅表面等效电阻率下降一个数量级以上，因此产生额外的射频损耗将导致薄膜体身波谐振器的q值大幅降低。
技术实现思路
1、本技术针对上述技术问题，设计出了一种新颖的薄膜体声波谐振器，其能很好解决上述技术问题。
2、在下文中将给出关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
3、根据
4、进一步的，富陷阱层为多晶硅层。
5、进一步的，所述声反射区域包括第一空腔构成的第一声反射区域，所述富陷阱层进一步包括在第一空腔的侧壁和底部形成的第二富陷阱子层；或者所述声反射区域由硅衬底的第一部分的上表面与结构功能层的下表面之间的距离构成。
6、进一步的，富陷阱层的厚度与二氧化硅层的厚度相同。
7、进一步的，所述二氧化硅层的厚度为谐振波长的四分之一。
8、进一步的，所述载体进一步包括在第一富陷阱子层和所述二氧化硅层之间形成的金属层。
9、进一步的，金属层的厚度为谐振波长的四分之一。
10、进一步的，所述结构功能层包括在载体上依次堆叠形成的下电极、压电层和上电极。
11、进一步的，所述下电极、所述二氧化硅层和所述金属层构成电容器，所述电容器能与所述体身波谐振器之间进行串并联连接。
12、根据本技术的另一方面提供一种电子设备，其特征在于：包括前述任一项所述的体声波谐振器。
13、本技术的方案至少能有助于实现如下效果之一：避免产生额外的射频损耗，提升器件q值，以及提高器件可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，其特征在于：
2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：富陷阱层为多晶硅层。
3.如权利要求1或2所述的体声波谐振器，其特征在于：所述声反射区域包括第一空腔构成的第一声反射区域，所述富陷阱层进一步包括在第一空腔的侧壁和底部形成的第二富陷阱子层；或者所述声反射区域由硅衬底的第一部分的上表面与结构功能层的下表面之间的距离构成。
4.如权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于：富陷阱层的厚度与二氧化硅层的厚度相同。
5.如权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于：所述二氧化硅层的厚度为谐振波长的四分之一。
6.如权利要求1或2所述的体声波谐振器，其特征在于：所述载体进一步包括在第一富陷阱子层和所述二氧化硅层之间形成的金属层。
7.如权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于：金属层的厚度为谐振波长的四分之一。
8.如权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于：所述结构功能层包括在载体上依次堆叠形成的下电极、压电层和上电极。
9.如权利要求8所述的体声波谐振器，其特征在
10.一种电子设备，其特征在于：包括权利要求1-9中任一项所述的体声波谐振器。
...【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于：
2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：富陷阱层为多晶硅层。
3.如权利要求1或2所述的体声波谐振器，其特征在于：所述声反射区域包括第一空腔构成的第一声反射区域，所述富陷阱层进一步包括在第一空腔的侧壁和底部形成的第二富陷阱子层；或者所述声反射区域由硅衬底的第一部分的上表面与结构功能层的下表面之间的距离构成。
4.如权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于：富陷阱层的厚度与二氧化硅层的厚度相同。
5.如权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于：所述二氧化硅层的厚度为谐振波长的四分之一。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡洵，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。