【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电探测器，并且更具体地，涉及一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。
技术介绍
1、太阳辐射谱中99％以上的能量集中在0.2-10μm波段范围内，小于400nm的紫外波段仅占总能量的5％。由于臭氧层的强烈吸收，太阳光中日盲紫外辐射(200-280nm)无法穿透大气层到达地表。因此，当日盲紫外探测系统进行目标探测时，避开了最强的自然光源，系统可在背景极其简单的条件下工作，降低了系统的信号处理难度，为系统高速采集紫外光信息提供了方便，同时提高了系统的抗干扰能力。
2、随着科技的发展以及人类对微观世界的不断探索，复杂三维微纳米结构在微光学、微系统分析、微机电系统、生物传感等领域获得越来越广泛的关注并发挥越来越重要的作用。目前常用的制备微纳结构的方法包括平面光刻技术、电子束刻蚀、纳米压印、聚焦离子束等微纳米加工技术。然而，这些传统加工方法通常只能加工二维或二维半结构，对于三维结构的制备较为困难。由于具有加工精度高，可加工材料广以及可制备复杂的三维结构等优势，飞秒激光3d微纳加工技术已经被广泛的应用于微电子、微光学、微流控等复杂三维微纳结构的制备中。
3、干法刻蚀工艺是一种常用的刻蚀技术，但需要使用掩模来实现形貌加工。掩模的质量决定了干法刻蚀的质量。目前常用的制作掩模的技术包括紫外光刻、全系光刻和光刻热熔等方法。然而，这些方法只能制作平面结构，即使能制作出准三维结构，也有结构限制，无法实现结构的多样性。因此，这大大限制了干法刻蚀工艺的发展。
技术实现思路<
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。
2、根据本专利技术的一个方面，提供了一种全角度光电探测器的制备方法，包括：
3、在sio2基板上旋涂光刻胶，形成光刻胶sio2板；
4、采用飞秒激光双光子3d打印技术在光刻胶sio2板上制造出圆柱体阵列，形成光刻胶阵列sio2板；
5、采用干法刻蚀机对光刻胶阵列sio2板进行图形转移，将光刻胶上的图形转移到sio2基板上，形成图形化光刻胶阵列sio2板；
6、去除图形化光刻胶阵列sio2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积，生成带有薄膜的图形化阵列sio2板；
7、使用飞秒激光双光子3d打印技术在带有薄膜的图形化阵列sio2板上制作电极掩膜，形成第一图形化电极阵列sio2板；
8、对第一图形化电极阵列sio2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列sio2板；
9、对第二图形化电极阵列sio2板进行杂质去除，生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。
10、可选地，圆柱体阵列中每个圆柱体内部有一个非垂直孔洞，朝外一端直径较大，呈由内至外逐渐扩张形态；圆柱体阵列包括四个2×2阵列单元，四个阵列单元的孔洞最大外直径分别为7、9、11、13微米；圆柱体顶面自外向内倾斜向下，倾斜角度1-5度。
11、可选地，去除图形化光刻胶阵列sio2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积，生成带有薄膜的图形化阵列sio2板，包括：
12、采用丙酮溶液图形化光刻胶阵列sio2板中的光刻胶，形成图形化阵列sio2板；
13、将图形化阵列sio2板放入磁控溅射腔，在图形化阵列sio2板上沉积geo2薄膜，生成带有薄膜的图形化阵列sio2板。
14、可选地，对第一图形化电极阵列sio2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列sio2板，包括：
15、将第一图形化电极阵列sio2板放入磁控溅射腔进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列sio2板。
16、根据本专利技术的另一个方面，提供了一种全角度光电探测器的制备装置，包括：
17、第一形成模块，用于在sio2基板上旋涂光刻胶，形成光刻胶sio2板；
18、第二形成模块，用于采用飞秒激光双光子3d打印技术在光刻胶sio2板上制造出圆柱体阵列，形成光刻胶阵列sio2板；
19、第三形成模块，用于采用干法刻蚀机对光刻胶阵列sio2板进行图形转移，将光刻胶上的图形转移到sio2基板上，形成图形化光刻胶阵列sio2板；
20、第一生成模块，用于去除图形化光刻胶阵列sio2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积，生成带有薄膜的图形化阵列sio2板；
21、第四形成模块，用于使用飞秒激光双光子3d打印技术在带有薄膜的图形化阵列sio2板上制作电极掩膜，形成第一图形化电极阵列sio2板；
22、第五形成模块，用于对第一图形化电极阵列sio2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列sio2板；
23、第二生成模块，用于对第二图形化电极阵列sio2板进行杂质去除，生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。
24、根据本专利技术的另一个方面，提供了一种全角度光电探测器，包括：图形化sio2基板；图形化sio2基板上的圆柱体阵列；图形化sio2基板以及圆柱体阵列上的geo2薄膜以及金属银薄膜；以及圆柱体阵列上的电极，其中，
25、圆柱体阵列中每个圆柱体内部有一个非垂直孔洞，朝外一端直径较大，呈由内至外逐渐扩张形态；圆柱体阵列包括四个2×2阵列单元，四个阵列单元的孔洞最大外直径分别为7、9、11、13微米；圆柱体顶面自外向内倾斜向下，倾斜角度1-5度。
26、本申请通过沉积geo2薄膜实现日盲探测器，并通过圆柱体顶面自外向内倾斜向下，倾斜角度1-5度，实现360°对光的全方位利用。传统方法可能存在角度依赖性能差异的问题，而基于双光子3d打印制备的全角度光电探测器能够实现对各个角度光照的高灵敏度响应。这为广泛的光电探测应用提供了更大的灵活性和可靠性。
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1.一种全角度光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述圆柱体阵列中每个圆柱体内部有一个非垂直孔洞，朝外一端直径较大，呈由内至外逐渐扩张形态；所述圆柱体阵列包括四个2×2阵列单元，四个所述阵列单元的孔洞最大外直径分别为7、9、11、13微米；所述圆柱体顶面自外向内倾斜向下，倾斜角度1-5度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积，生成带有薄膜的图形化阵列SiO2板，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板，包括：
5.一种全角度光电探测器的制备装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述圆柱体阵列中每个圆柱体内部有一个非垂直孔洞，朝外一端直径较大，呈由内至外逐渐扩张形态；所述圆柱体阵列包括四个2×2阵列单元，四个所述阵列单元的孔洞最大外直径分别为7、9、11、13微米；所述圆柱
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，第一生成模块，包括：
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，第五形成模块，包括：
9.一种通过权利要求1-4任意一项所述的方法制备得到的全角度光电探测器，其特征在于，包括：图形化SiO2基板；所述图形化SiO2基板上的圆柱体阵列；所述图形化SiO2基板以及所述圆柱体阵列上的GeO2薄膜以及金属银薄膜；以及所述圆柱体阵列上的电极，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种全角度光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述圆柱体阵列中每个圆柱体内部有一个非垂直孔洞，朝外一端直径较大，呈由内至外逐渐扩张形态；所述圆柱体阵列包括四个2×2阵列单元，四个所述阵列单元的孔洞最大外直径分别为7、9、11、13微米；所述圆柱体顶面自外向内倾斜向下，倾斜角度1-5度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述图形化光刻胶阵列sio2板中的光刻胶，并进行薄膜沉积，生成带有薄膜的图形化阵列sio2板，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一图形化电极阵列sio2板进行金属银沉积，形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列sio2板，包括：
5.一种全角度光电探测器的制备装置，其特征...
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