【技术实现步骤摘要】
本公开涉及锑化铟晶体领域，更具体地涉及一种锑化铟晶体的生长方法。
技术介绍
1、锑化铟(insb)是一种窄禁带ⅲ-ⅴ族半导体材料，77k时禁带宽度为0.232ev，在3-5μm波段是本征吸收，拥有极高的电子迁移率，目前是中波红外探测器的最佳材料之一。锑化铟的熔点为525℃，与其他ⅲ-ⅴ族化合物相比，它易于提纯和生长单晶，因而它常是ⅲ-ⅴ族化合物固体理论研究时所选择的对象。
2、在众多insb缺陷中，亮点缺陷(镜检中insb衬底表面的不规则缺陷或损伤在明场中微微发亮，故称为亮点)是影响insb性能的主要缺陷之一，其本质上是晶片硬度不够，在晶体加工过程中容易损伤。这些损伤不仅会使insb探测器形成盲元，也会增加insb衬底在芯片制程中开裂的几率。《insb芯片表面抛光及腐蚀研究》(郭胜等，红外技术，第40卷第2期，第133-138页，2018年2月)提出了一种通过改变加工方式来减少insb衬底亮点的方法，但该方法改善效果有限，并不能有效地解决insb衬底的亮点问题。因此，有必要寻找一种方法来降低insb探测器的亮点缺陷。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种锑化铟晶体的生长方法，其能够有效地改善在锑化铟晶体制作锑化铟衬底的加工中产生损伤而形成亮点缺陷。
2、由此，一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：s1，装料，将掺杂剂颗粒铺在坩埚的底部，将insb多晶料铺在掺杂剂颗粒上，掺杂剂与insb多晶料的掺杂比例为(0.5-1)g/10kg
3、本公开的有益效果如下：在根据本公开的锑化铟晶体的生长方法中，通过步骤s1中的选自gan、gap、inp、gaas、inas、gasb中的一种或几种的掺杂剂以掺杂剂与insb多晶料的掺杂比例为(0.5-1)g/10kg进行掺杂，在步骤s5形成熔体后进行步骤s6的提拉法生长锑化铟晶体，使得掺杂剂在形成的锑化铟晶体的晶格中形成钉扎效应，从而提高锑化铟晶体的强度，有效地改善在锑化铟晶体制作锑化铟衬底的加工中产生损伤而形成亮点缺陷。
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1.一种锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
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8.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
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2.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：狄聚青，李镇宏，
申请(专利权)人：广东晶智光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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