【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件，尤其涉及横向叠片电压倍增二极管封装结构。
技术介绍
1、随着电子技术的不断发展，需要大量的高压二极管广泛应用在医疗、工业等设备以及其他高可靠性设备上；因此，对二极管所需承受的电压及功率要求越来越高，但目前功率二极管的结构所能承受的高电压有限，而且散热性能不佳。
技术实现思路
1、本技术针对以上问题，提供了一种结构紧凑、增大产品的电压及功率的横向叠片电压倍增二极管封装结构。
2、本技术的技术方案是：
3、横向叠片电压倍增二极管封装结构，包括依次连接的引线a、钉头a、堆叠芯片、钉头b和引线b；
4、所述堆叠芯片包括至少两片通过焊片固定连接的芯片；
5、所述钉头a和钉头b分别呈圆台状，分别与所述堆叠芯片的焊接面积不小于70%；
6、所述钉头a、堆叠芯片和钉头b分别通过塑封体封装。
7、具体的，所述芯片为100mil的二极管芯片。
8、具体的，所述堆叠芯片包括依次通过焊片固定连接的芯片a、芯片b、芯片c和芯片d。
9、具体的，所述芯片a的阴极面与钉头a焊接，其阳极面与芯片b的阴极面焊接，
10、所述芯片b的阴极面与芯片a的阳极面焊接，其阳极面与芯片c的阴极面焊接；
11、所述芯片c的阴极面与芯片b的阳极面焊接，其阳极面与芯片d阴极面焊接；
12、所述芯片d的阳极面与钉头b焊接。
13、具体的，所述钉头a的长度和钉头b的长度分别
14、具体的，所述塑封体的截面呈圆形。
15、本技术有益效果：
16、1.用5个相同额定电压值的快恢复二极管芯片，采用串联方式的封装结构和制造方法，成倍提高了器件的工作电压（vrwm）以及功率；
17、2.采用圆台型钉头，封装效率高散热好，芯片与钉头有效接触面积达75%，钉头直径2mm，芯片边长100mil（2.54mm）；
18、3.该产品设计加工工艺简单，易于大批量生产，且总体投入成本低。
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1.横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，包括依次连接的引线A（100）、钉头A（200）、堆叠芯片（300）、钉头B（400）和引线B（500）；
2.根据权利要求1所述的横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，所述芯片为100mil的二极管芯片。
3.根据权利要求1所述的横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，所述堆叠芯片（300）包括依次通过焊片固定连接的芯片A、芯片B、芯片C和芯片D。
4.根据权利要求3所述的横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，所述芯片A的阴极面与钉头A（200）焊接，其阳极面与芯片B的阴极面焊接，
5.根据权利要求1所述的横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，所述钉头A（200）的长度和钉头B（400）的长度分别大于堆叠芯片（300）的厚度。
6.根据权利要求1所述的横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，所述塑封体（600）的截面呈圆形。
【技术特征摘要】
1.横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，包括依次连接的引线a（100）、钉头a（200）、堆叠芯片（300）、钉头b（400）和引线b（500）；
2.根据权利要求1所述的横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，所述芯片为100mil的二极管芯片。
3.根据权利要求1所述的横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，所述堆叠芯片（300）包括依次通过焊片固定连接的芯片a、芯片b、芯片c和芯片d。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊鹏程，刘辉，王永彬，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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