【技术实现步骤摘要】
本技术涉及三氯氢硅处理的，特别是涉及一种三氯氢硅杂质去除装置。
技术介绍
1、三氯氢硅作为电子级多晶硅的主要生产原料，三氯氢硅的硼、磷杂质直接影响电子级多晶硅的产品定级，现有针对三氯氢硅中的硼、磷杂质主要采用物理吸附进行去除，在三氯氢硅的精馏系统前端分别增加除硼、除磷树脂，针对不同杂质选用不同规格型号的树脂，分别再装填至各自的吸附柱中，但现有吸附装置均为同一吸附柱内装填单一树脂，去除杂质单一；去除多种杂质时，仍需要多个吸附柱进行串联设计，设备投资成本过大，且占地面积较大，导致使用实用性较差。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种在外壳内部集成第一吸附腔与第二吸附腔，能够大幅度增加吸附时间，提高树脂本身的吸附效果，整个吸附装置的占地面积减少，减少土地投资，提高使用实用性的三氯氢硅杂质去除装置。
2、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，包括外壳、隔板、第一过滤器、第二过滤器和第三过滤器，所述外壳内部设置有处理腔，所述隔板固定安装在外壳内部，所述隔板将外壳处理腔分隔为第一吸附腔和第二吸附腔，所述第一过滤器与第一吸附腔输入端紧固连通，所述第二过滤器输入端与第一吸附腔输出端连通，所述第二过滤器输出端与第二吸附腔输入端连通，所述第二过滤器串联设置在第一吸附腔与第二吸附腔之间，所述第三过滤器与第二吸附腔输出端紧固连通；
3、所述第一吸附腔包括第一折流板和第一吸附树脂，所述第一吸附腔内交叉固定安装有两组第一折流板，其中一组第一折流板固定安装在外壳内部底端，另一
4、所述第二吸附腔包括第二折流板和第二吸附树脂，所述第二吸附腔内交叉固定安装有三组第二折流板，所述第二折流板端部与外壳内壁之间设置有间隙，所述第二吸附腔内填充设置有第二吸附树脂。
5、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，还包括第一截留网，所述第一折流板与外壳内壁间隙中固定安装有第一截留网。
6、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，还包括第二截留网，所述第二折流板与外壳内壁间隙中固定安装有第二截留网。
7、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，所述过滤器包括过滤器外壳、输入口、输出口、顶盖、吊杆、连接块和滤网，所述过滤器外壳内部设置有空腔，所述过滤器外壳两侧端相对连通设置有输入口与输出口，所述顶盖盖装在过滤器外壳顶端，所述顶盖底端固定安装有吊杆，所述吊杆底端固定安装有连接块，所述滤网固定安装在连接块上，所述滤网插装设置在过滤器外壳内部。
8、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，所述顶盖底端安装有密封圈。
9、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，所述顶盖上设置有吊环。
10、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，所述过滤器外壳侧壁上设置有观察窗。
11、本技术的一种三氯氢硅杂质去除装置，所述吊杆与连接块通过焊接固定连接。
12、与现有技术相比本技术的有益效果为：
13、将三氯氢硅输送至第一过滤器中，通过第一过滤器对三氯氢硅进行过滤，将三氯氢硅中带有的硅粉等固体小颗粒过滤掉，之后将三氯氢硅输送至第一吸附腔中，通过各组第一折流板对三氯氢硅进行导流，增加三氯氢硅在第一吸附腔内的行程，进而增加第一吸附树脂对三氯氢硅的吸附时间，去除三氯氢硅中的硼、磷杂质，然后将三氯氢硅输送至第二过滤器中，通过第二过滤器去除三氯氢硅在第一吸附腔内停留携带的固体物质，之后将三氯氢硅输送至第二吸附腔内，然后通过各组第二折流板对三氯氢硅进行导流，增加三氯氢硅在第二吸附腔内的行程，进而增加第二吸附树脂对三氯氢硅的吸附时间，去除三氯氢硅中的硼、磷杂质，之后使被去除杂质的三氯氢硅进入第三过滤器中，通过第三过滤器去除三氯氢硅在第二吸附腔内停留携带的固体物质，然后通过第三过滤器将三氯氢硅输送至后端精馏系统中即可，在外壳内部集成第一吸附腔与第二吸附腔，能够大幅度增加吸附时间，提高树脂本身的吸附效果，整个吸附装置的占地面积减少，减少土地投资，提高使用实用性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，包括外壳（1）、隔板（2）、第一过滤器（7）、第二过滤器（8）和第三过滤器（9），所述外壳（1）内部设置有处理腔，所述隔板（2）固定安装在外壳（1）内部，所述隔板（2）将外壳（1）处理腔分隔为第一吸附腔和第二吸附腔，所述第一过滤器（7）与第一吸附腔输入端紧固连通，所述第二过滤器（8）输入端与第一吸附腔输出端连通，所述第二过滤器（8）输出端与第二吸附腔输入端连通，所述第二过滤器（8）串联设置在第一吸附腔与第二吸附腔之间，所述第三过滤器（9）与第二吸附腔输出端紧固连通；
2.如权利要求1所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，还包括第一截留网（10），所述第一折流板（3）与外壳（1）内壁间隙中固定安装有第一截留网（10）。
3.如权利要求1所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，还包括第二截留网（11），所述第二折流板（5）与外壳（1）内壁间隙中固定安装有第二截留网（11）。
4.如权利要求1所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，所述过滤器包括过滤器外壳（12）、输入口（13）、输出口（14）
5.如权利要求4所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，所述顶盖（15）底端安装有密封圈（19）。
6.如权利要求4所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，所述顶盖（15）上设置有吊环。
7.如权利要求4所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，所述过滤器外壳（12）侧壁上设置有观察窗。
8.如权利要求4所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，所述吊杆（16）与连接块（17）通过焊接固定连接。
...【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，包括外壳（1）、隔板（2）、第一过滤器（7）、第二过滤器（8）和第三过滤器（9），所述外壳（1）内部设置有处理腔，所述隔板（2）固定安装在外壳（1）内部，所述隔板（2）将外壳（1）处理腔分隔为第一吸附腔和第二吸附腔，所述第一过滤器（7）与第一吸附腔输入端紧固连通，所述第二过滤器（8）输入端与第一吸附腔输出端连通，所述第二过滤器（8）输出端与第二吸附腔输入端连通，所述第二过滤器（8）串联设置在第一吸附腔与第二吸附腔之间，所述第三过滤器（9）与第二吸附腔输出端紧固连通；
2.如权利要求1所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，还包括第一截留网（10），所述第一折流板（3）与外壳（1）内壁间隙中固定安装有第一截留网（10）。
3.如权利要求1所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，还包括第二截留网（11），所述第二折流板（5）与外壳（1）内壁间隙中固定安装有第二截留网（11）。
4.如权利要求1所述的一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秀娟，李福中，孙彬，昝玉堂，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。