【技术实现步骤摘要】
本专利技术属雷达，具体为一种瓦片式tr组件。
技术介绍
1、随着半导体工艺技术进步，军民用雷达体制已经普及有源相控阵雷达体制；有源相控阵雷达通过控制分布式固态tr组件的幅度和相位，从而配置每一路天线阵元的波束状态，使得有源相控阵雷达快速在空间形成所需的发射波束或者接收波束，实现整个阵面的波束在方位面和俯仰面的快速切换与扫描；
2、tr组件作为有源相控阵雷达的核心部件，其数量与天线阵元一致，往往一部有源相控阵雷达需要成百上千甚至上万个tr组件；
3、传统tr组件分为砖式和瓦片式，砖式tr组件一般功率较大，但其布置时受制于天线间距约束，同时其占据的阵面法向空间较多，不易与天线阵面共形，不利于机载、弹载及星载等小型化有源相控阵应用场合；
4、瓦片式tr组件因其自由的通道接口间距尺寸、易于和阵面共形以及极低的阵面法向空间占用成为机载、弹载和星载有源相控阵tr组件主流的设计方选用案；
5、传统瓦片式tr组件一般采用ltcc作为多层基板，采用mcm工艺对分立裸芯片进行焊接装配和信号互联；组件采用匹配的结构壳体承载ltcc基板、裸芯片器件、分立元器件、射频连接器以及电连接器等，并通过焊锡烧结到壳体内，最终采用激光封焊或者锡封焊进行盖帽。
6、传统瓦片式四通道一体式tr组件受制于组件信号馈电方式、组件尺寸及制备工艺一般单通道功率较小(≤0.5w)，同时由于芯片集成度不高导致组件(四通道)尺寸面积较大(大于20*20mm2)，阵面通道数量受限；同时小型化的瓦片式组件往往采用ltcc或者硅
技术实现思路
1、本部分的目的在于概述本专利技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本专利技术的范围。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种瓦片式tr组件，包括盖罩、射频混压多层板和bga信号扇出射频多层板；
3、所述射频混压多层板的表面开设有多个沉槽，所述射频混压多层板的尺寸小于bga信号扇出射频多层板的尺寸，所述盖罩的尺寸与bga信号扇出射频多层板的尺寸相同，多个所述沉槽中对应焊接有四片限幅低噪放芯片、四片功放开关芯片以及一片四通道幅相多功能芯片；
4、所述射频混压多层板的表面焊接有四片电源调制芯片；
5、所述bga信号扇出射频多层板的底部开设有多个接孔一。
6、作为一种瓦片式tr组件的优选技术方案，所述盖罩底面为焊接面一，所述焊接面一四条边的中心位置处均设置有用于定位的耳朵，所述耳朵为金属材质。
7、作为一种瓦片式tr组件的优选技术方案，所述射频混压多层板未将bga信号扇出射频多层板覆盖的位置为焊接面二，所述焊接面二四条边的中心位置均开设有卡槽，所述耳朵与卡槽为插接对接。
8、作为一种瓦片式tr组件的优选技术方案，所述bga信号扇出射频多层板底部的四个拐角处分别开设有射频孔一、射频孔二、射频孔三和射频孔四，所述射频孔一、射频孔二、射频孔三和射频孔四为射频输出接口。
9、作为一种瓦片式tr组件的优选技术方案，所述bga信号扇出射频多层板底部的中部还开设有射频孔五和接孔二。
10、作为一种瓦片式tr组件的优选技术方案，所述射频孔五为射频输入接口，所述接孔二为供电以及控制的接口。
11、作为一种瓦片式tr组件的优选技术方案，所述接孔一为接地以及散热用的接口。
12、本专利技术的有益效果：
13、1、集成芯片构成的空间错位紧凑的空间布局，在15mm*15mm*4mm的空间内实现瓦片式四通道tr组件不小于2w的输出功率；
14、2、pcb板沉槽设计形成独立的隔离屏蔽腔体提供组件通道隔离度，组件内部通过沉槽设计巧妙地实现小尺寸多通道tr组件的通道隔离度；
15、3、组件采用主流的bga引脚设计实现了小型化瓦片式组件与天线阵面的集成；
16、4、采用类fpga金属盖帽设计保证了组件良好的电磁兼容性和smt贴片便利性；
17、5、组件装配工艺简化，信号基板制造成本低适合批量化生产。
18、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
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1.一种瓦片式TR组件，其特征在于：包括盖罩(100)、射频混压多层板(200)和BGA信号扇出射频多层板(300)；
2.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件，其特征在于：所述盖罩(100)底面为焊接面一(101)，所述焊接面一(101)四条边的中心位置处均设置有用于定位的耳朵(102)，所述耳朵(102)为金属材质。
3.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件，其特征在于：所述射频混压多层板(200)未将BGA信号扇出射频多层板(300)覆盖的位置为焊接面二(301)，所述焊接面二(301)四条边的中心位置均开设有卡槽(302)，所述耳朵(102)与卡槽(302)为插接对接。
4.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件，其特征在于：所述BGA信号扇出射频多层板(300)底部的四个拐角处分别开设有射频孔一(304)、射频孔二(305)、射频孔三(306)和射频孔四(307)，所述射频孔一(304)、射频孔二(305)、射频孔三(306)和射频孔四(307)为射频输出接口。
5.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件，其特征在于：所述BGA信号扇
6.根据权利要求5所述的瓦片式TR组件，其特征在于：所述射频孔五(308)为射频输入接口，所述接孔二(309)为供电以及控制的接口。
7.根据权利要求1所述的瓦片式TR组件，其特征在于：所述接孔一(303)为接地以及散热用的接口。
...【技术特征摘要】
1.一种瓦片式tr组件，其特征在于：包括盖罩(100)、射频混压多层板(200)和bga信号扇出射频多层板(300)；
2.根据权利要求1所述的瓦片式tr组件，其特征在于：所述盖罩(100)底面为焊接面一(101)，所述焊接面一(101)四条边的中心位置处均设置有用于定位的耳朵(102)，所述耳朵(102)为金属材质。
3.根据权利要求1所述的瓦片式tr组件，其特征在于：所述射频混压多层板(200)未将bga信号扇出射频多层板(300)覆盖的位置为焊接面二(301)，所述焊接面二(301)四条边的中心位置均开设有卡槽(302)，所述耳朵(102)与卡槽(302)为插接对接。
4.根据权利要求1所述的瓦片式tr组件，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴庆斐，潘苏静，
申请(专利权)人：南京德睿智芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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