【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种温控元件、液态源箱及薄膜沉积设备。
技术介绍
1、在薄膜沉积技术中，如化学气相沉积和原子层沉积，液态源作为前驱体被广泛应用于制备高质量的薄膜材料。这些薄膜材料在半导体制造、光电显示、太阳能电池等领域有着重要应用。为了实现液态源的精确控制和稳定供应，通常采用液态源罐作为储存容器，并配备有加热装置以维持液态源的恒定温度，从而控制其蒸发速率和流量。液态源罐需要维持在一个固定温度，以确保液态源的蒸发率稳定，进而保证薄膜沉积过程中的均匀性和一致性。为此，通常会在液态源罐外包裹加热带，利用加热带内部的发热丝产生热量，将热量传递给液态源罐，使其内部温度保持在设定值。为了精确控制加热带的温度，通常采用pid(比例积分微分)控制器来调节加热带的电流，进而实现对加热带温度的精确控制。
2、然而，在现有的技术方案中，加热带结构的设计存在一定的局限性。具体而言，当加热带对液态源罐进行加热时，由于液态源罐的热惯性，即使加热带达到目标温度并停止加热，液态源罐的温度仍会继续上升一段时间，导致温度过冲。此外，目前的加热带结构主要依靠液态源罐自身的热传导将热量传递到加热带的保温层，再通过加热带外表面进行自然散热。这种散热方式效率较低，难以快速响应温度变化，因此难以满足薄膜沉积过程中对温度控制的高精度要求。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例提供了一种温控元件、液态源箱及薄膜沉积设备，旨在解决现有的液态源罐的散热慢，难以满足精准快速控温要求的问题。
2、第一
3、基体，具有温控表面和与所述温控表面上下邻接的上端面和下端面；
4、加热部，设于所述温控表面；
5、冷却部，设于所述温控表面，所述冷却部具有设于所述上端面的第一通气口和设于所述下端面的第二通气口，所述第一通气口到所述第二通气口贯通。
6、进一步地，所述加热部相对所述温控表面凸起，所述冷却部相对所述温控表面凹陷。
7、进一步地，所述加热部和所述冷却部的数量均设有多个，多个所述加热部和多个所述冷却部交替相邻布置。
8、进一步地，所述加热部和所述冷却部由所述上端面于所述温控表面上沿预定路径延伸至所述下端面，其中，所述预定路径包括以下至少任一种：直线路径、斜线路径、折线路径、曲线路径。
9、进一步地，所述加热部具有与所述温控表面平行的加热平面。
10、进一步地，所述加热部内置有加热单元。
11、进一步地，所述基体为筒体，所述筒体的内表面为所述温控表面；或者，
12、所述基体为盖体，所述盖体的下表面为所述温控表面；或者，
13、所述基体为盘体，所述盘体的上表面为所述温控表面。
14、第二方面，本专利技术还提供一种液态源箱，包括液态源罐、排风部件和温控元件，所述温控元件为上述第一方面的温控元件，所述温控元件设于所述液态源罐的外侧，所述排风部件设于所述液态源罐的上方或下方。
15、第三方面，本专利技术还提供一种薄膜沉积设备，包括上述第二方面的液态源箱。
16、本专利技术提供一种温控元件、液态源箱及薄膜沉积设备，该液态源箱包括液态源罐、排风部件和温控元件，该温控元件包括基体、加热部和冷却部，基体具有温控表面，温控表面设于液态源罐的外侧，加热部和冷却部设置在温控表面上，加热部用于对液态源罐进行加热，冷却部由基体的上端面贯通到基体的下端面，上端面形成有冷却部的第一通气口，下端面上形成有冷却部的第二通气口，排风部件可以往冷却部排气，气体从第一通气口进入到第二通气口排出，使得冷却部成为对液态源罐进行散热的冷却通道，直接对液态源罐的表面进行风冷散热，相对于自然散热的方式，提高了散热效率，避免温度过冲，降低了液态源罐的热惯性，能够精准快速响应控温要求，提高了控温精度。
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1.一种温控元件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部相对所述温控表面凸起，所述冷却部相对所述温控表面凹陷。
3.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部和所述冷却部的数量均设有多个，多个所述加热部和多个所述冷却部交替相邻布置。
4.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部和所述冷却部由所述上端面于所述温控表面上沿预定路径延伸至所述下端面，其中，所述预定路径包括以下至少任一种：直线路径、斜线路径、折线路径、曲线路径。
5.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部具有与所述温控表面平行的加热平面。
6.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部内置有加热单元。
7.根据权利要求1-6任一项所述的温控元件，其特征在于，所述基体为筒体，所述筒体的内表面为所述温控表面；或者，
8.一种液态源箱，其特征在于，包括液态源罐、排风部件和温控元件，所述温控元件为权利要求1-7任一项所述的温控元件，所述温控元件设于所述液态源罐的外
9.根据权利要求8所述的液态源箱，其特征在于，所述温控元件贴覆在所述液态源罐的顶部、底部和侧壁中的至少任一者。
10.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括如权利要求8-9任一项所述的液态源箱。
...【技术特征摘要】
1.一种温控元件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部相对所述温控表面凸起，所述冷却部相对所述温控表面凹陷。
3.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部和所述冷却部的数量均设有多个，多个所述加热部和多个所述冷却部交替相邻布置。
4.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部和所述冷却部由所述上端面于所述温控表面上沿预定路径延伸至所述下端面，其中，所述预定路径包括以下至少任一种：直线路径、斜线路径、折线路径、曲线路径。
5.根据权利要求1所述的温控元件，其特征在于，所述加热部具有与所述温控表面平行的加热平面。
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓玉，赵吉蛟，朱家宽，野沢俊久，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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