【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及显示装置的制造方法及显示装置。
技术介绍
1、近年来，使用有机发光二极管(oled)作为显示元件的显示装置已经被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层和覆盖有机层的上电极。
2、在制造上述那样的显示装置的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种能够抑制可靠性降低的显示装置的制造方法及显示装置。
2、一实施方式的显示装置的制造方法是下述显示装置的制造方法，该显示装置具备像素在第1方向及第2方向上以矩阵状排列的显示区域，上述像素包括第1子像素、第2子像素及第3子像素，上述第2子像素及上述第3子像素分别与上述第1子像素在上述第1方向上排列，上述第2子像素及上述第3子像素在与上述第1方向交叉的上述第2方向上排列。上述显示装置的制造方法中，在上述显示区域形成包括构成上述第1子像素的第1下电极的多个下电极，形成具有包括与上述第1下电极重叠的第1像素开口的多个像素开口的肋，在上述显示区域形成包括配置于上述肋之上的下部、和具有从上述下部的侧面突出的端部的上部的隔壁，形成第1层叠膜，该第1层叠膜包括穿过上述多个像素开口而与上述多个下电极接触的第1有机层、和覆盖上述第1有机层的第1上电极，形成覆盖上述第1层叠膜的第1密封层，对在上述第2方向上排列的多个第1子像素的各自独立地形成抗蚀剂，将上述抗蚀剂作为掩模，除去上述第1密封层及上述第1层叠膜。
3、根据一个实施方式的显示装置具备像素在第1方
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1.显示装置的制造方法，所述显示装置具备像素在第1方向及第2方向上以矩阵状排列的显示区域，所述像素包括第1子像素、第2子像素及第3子像素，所述第2子像素及所述第3子像素分别与所述第1子像素在所述第1方向上排列，所述第2子像素及所述第3子像素在与所述第1方向交叉的所述第2方向上排列，所述制造方法中，
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1层叠膜被所述隔壁截断成覆盖所述肋及所述多个下电极的第1部分、和隔壁上的第2部分，
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1密封层及所述第1层叠膜的除去包括在覆盖所述第2部分的第1密封层与所述隔壁所包括的所述上部的上表面之间形成间隙。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述隔壁被以在所述第1子像素、所述第2子像素及所述第3子像素中分别具有开口的方式形成，
5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其中，所述抗蚀剂被以使得与所述第1子像素周围的隔壁在俯视观察下的重叠宽度在任意部分处均相等的方式形成。
6.显示装置，其具备像素在第1方向及第2方向上
7.如权利要求6所述的显示装置，其进一步具备覆盖所述密封层的树脂层，
8.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述层叠膜及所述密封层在所述第2方向上排列的2个第1子像素之间的隔壁上没有被配置。
9.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述密封层的一部分的沿所述第1方向的距离与沿所述第2方向的距离在所述第1子像素、所述第2子像素及所述第3子像素的周围的任意部分处均相等。
10.显示装置，其具备像素在第1方向及第2方向上以矩阵状排列的显示区域，所述像素包括第1子像素、第2子像素及第3子像素，所述第2子像素及所述第3子像素分别与所述第1子像素在所述第1方向上排列，所述第2子像素及所述第3子像素在与所述第1方向交叉的所述第2方向上排列，其中，所述显示装置具备：
...【技术特征摘要】
1.显示装置的制造方法，所述显示装置具备像素在第1方向及第2方向上以矩阵状排列的显示区域，所述像素包括第1子像素、第2子像素及第3子像素，所述第2子像素及所述第3子像素分别与所述第1子像素在所述第1方向上排列，所述第2子像素及所述第3子像素在与所述第1方向交叉的所述第2方向上排列，所述制造方法中，
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1层叠膜被所述隔壁截断成覆盖所述肋及所述多个下电极的第1部分、和隔壁上的第2部分，
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1密封层及所述第1层叠膜的除去包括在覆盖所述第2部分的第1密封层与所述隔壁所包括的所述上部的上表面之间形成间隙。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述隔壁被以在所述第1子像素、所述第2子像素及所述第3子像素中分别具有开口的方式形成，
5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其中，所述抗蚀剂被以使得与所述第1子像素周围的隔壁在俯视观察下的重叠宽度在任意部分处均相等的方式形成。
6.显示装置，其具备像...
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