System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:43222712 阅读:4 留言:0更新日期:2024-11-05 17:14
半导体装置具备第一引线、第二引线、第三引线、搭载于上述第三引线的半导体元件、第一金属丝、以及第二金属丝。上述第一引线包括第一焊盘部和温度测定用的第一端子部。上述第二引线包括第二焊盘部和温度测定用的第二端子部。上述半导体元件具有元件主面、以及配置在上述元件主面的第一电极。上述第一金属丝以及上述第二金属丝由热电能相互不同的金属构成。上述第一金属丝与上述第一电极和上述第一焊盘部连接。上述第二金属丝与上述第一电极和上述第二焊盘部连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置


技术介绍

1、具备半导体元件的半导体装置提出了各种结构。在专利文献1中公开了现有的半导体装置的一例。该文献中公开的半导体装置具备半导体元件、多个引线以及封固树脂。半导体元件支撑于引线(芯片焊盘)。封固树脂覆盖各引线的一部分和半导体元件。各引线具有端子部。在专利文献1所记载的半导体装置中,半导体元件是开关元件,具备安装用的三根端子部。

2、在上述专利文献1所示的半导体装置等中,故障的有无、寿命、信赖性与动作时的温度密接关联,因此要求知道半导体元件的温度。在半导体装置为模块品的情况下,有时也在内部配置二极管传感器、热敏电阻等的温度传感器,但在半导体装置为分立部件的情况下,安装面积有制约,难以确保配置温度传感器的空间。

3、另外,专利文献2所公开的半导体装置具备形成于晶体管的焊盘的附近的功率晶体管形成区域内的温度检测元件。由于温度检测元件形成于功率晶体管形成区域内,因此能够高精度地检测半导体元件的温度。然而,通过形成温度检测元件,导致有源区域中用于目的的用途的区域减少。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本特开2019-121745号公报

7、专利文献2:日本特开2019-212930号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本公开的一个课题是提供一种与以往相比实施了改良的半导体装置。尤其是,本公开鉴于上述的事情,一个课题是提供一种能够不占用空间地测定半导体元件的温度的半导体装置。另外,本公开的一个课题是提供一种将半导体元件的有源区域全部用于目的的用途,并且能够高精度地检测半导体元件的温度的半导体装置。

3、用于解决课题的方案

4、由本公开的第一方案提供的半导体装置具备:第一引线、第二引线及第三引线,该第三引线包括具有朝向厚度方向的一方侧的第一面的基部;半导体元件,其搭载于上述第一面;多个金属丝,其各自的一端与上述半导体元件连接;以及封固树脂,其覆盖上述半导体元件、上述第一引线、上述第二引线及上述第三引线的各一部分以及上述多个金属丝,上述第一引线包括第一焊盘部、以及与上述第一焊盘部连接的温度测定用的第一端子部,上述第二引线包括第二焊盘部、以及与上述第二焊盘部连接的温度测定用的第二端子部,上述第三引线包括与上述基部连接的第三端子部,上述半导体元件具有朝向上述厚度方向的一方侧的元件主面、以及配置在上述元件主面的第一电极,上述多个金属丝包括由热电能相互不同的金属构成的第一金属丝以及第二金属丝,上述第一金属丝与上述第一电极和上述第一焊盘部连接,上述第二金属丝与上述第一电极和上述第二焊盘部连接。

5、由本公开的第二方案提供的半导体装置具备:半导体元件;封固部件,其覆盖上述半导体元件,而且具有在厚度方向上相互朝向相反侧的封固主面及封固背面;以及第一导通路径及第二导通路径,其与上述半导体元件连接,上述第一导通路径具有包含第一金属的部分,上述第二导通路径具有包含热电能与上述第一金属不同的第二金属的部分。

6、专利技术效果

7、根据上述第一方案的结构,在半导体装置中,能够不占用大的空间地测定半导体元件的温度。另外,根据上述第二方案的结构,能够将半导体元件的有源区域全部用于目的的用途,并且能够高精度地检测半导体元件的温度。

8、本公开的其它特征以及优点通过参照附图在以下进行的详细的说明将变得更加清楚。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求3至5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,

10.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,

11.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,

13.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,

14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求3至5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:梅上大胜富士和则
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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