【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体单晶硅拉晶的，具体涉及一种增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法。
技术介绍
1、在元件制程中，氧析出物可以吸附一些不需要的金属杂质（例如：ni、fe、na、ag等快速扩散金属），但是氧析出物只能出现在远离硅片表面的区域，因为如果它出现在元件区域内，则会产生漏电流。因此为控制氧析出物的形成，一般利用氧在高温下的过饱和扩散，使其在硅片表面的浓度低于饱和浓度，产生一层没有氧析出物的dz洁净区，以发挥隔绝漏电和吸附杂质的作用。
2、现有技术中，如申请号为202211455602.7的中国专利技术公开了一种调节抛光硅片洁净区的方法，具体第一步：采用ar进行炉管退火，形成bmd的消融，以及降温过程中形成均匀的bmd核心；第二步：采用快速热处理方法处理，采用h2/ar或者o2/ar，以及n2中的两组分或者三组分气体进行比例调节，经过1100℃～1300℃快速热处理60s，降温速率10～70℃ /s,形成空位和氧复合体；第三步：采用抛光工艺，去除快速热处理造成的粗糙表面或氧化层；第四步：经过低温对抛光硅片进行bmd烧结工艺进行烧结，随后利用lst或者腐蚀法测得bmd密度；上述现有技术中实现具有稳定洁净区宽度的退火硅片，同时具备消除cop效果，bmd密度e7～e10ea/cm3，dz深度达到30～150μm，本专利技术提供一种新的方法，能够增大掺硼单晶硅的dz洁净区。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法。
2、本专利技术
3、一种增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法，包括以下步骤：
4、s1：等径预定距离后，提高拉速，以使晶棒在预定拉速下拉制，得到待滚磨晶棒；
5、s2：将待滚磨晶棒进行滚磨、分段、切片，得到硅片；
6、s3：将硅片进行热处理，得到热处理后硅片。
7、优选地，所述s1中，所述预定拉速为：0.825mm/min-1.075mm/min。
8、优选地，所述s1中，所述等径预定为等径100mm-200mm。
9、优选地，所述s1中，炉压为5kpa-5kpa，惰性气体流量为40slm-80slm。
10、优选地，所述s1中，晶棒转速为10rpm-20rpm，坩埚的转速为0.8rpm-2.5rpm。
11、优选地，所述s3对硅片进行热处理时，采用预定温度曲线对硅片进行处理。
12、优选地，所述预定温度的温度范围为300℃-1000℃。
13、优选地，所述s3中，所述热处理中采用气体为氮气或氢气与干燥氧气的混合气。
14、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
15、本专利技术提供的一种增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法，通过等径预定距离后，提高拉速，以使晶棒在预定拉速下拉制，增大温度梯度，使得得到的待滚磨晶棒中小尺寸的氧沉淀点位增多，将待滚磨晶棒进行滚磨、分段、切片，得到硅片；对含有诸多小尺寸氧沉淀的硅片进行热处理，氧和空位在高温下的扩散，其在硅晶表面的浓度低于饱和度，小尺寸的氧沉淀在高温下的溶解，使得热处理后硅片的dz洁净区的深度增加，dz洁净区深度达到60μm以上。
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1.一种增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于：所述S1中，所述预定拉速为：0.825mm/min-1.075mm/min。
3.如权利要求1或2所述的增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于：所述S1中，所述等径预定为等径100mm-200mm。
4.如权利要求1所述的增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于：所述S1中，炉压为5Kpa-5Kpa，惰性气体流量为40slm-80slm。
5.如权利要求1所述的增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于：所述S1中，晶棒转速为10rpm-20rpm，坩埚的转速为0.8rpm-2.5rpm。
6.如权利要求1所述的增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于：所述S3对硅片进行热处理时，采用预定温度曲线对硅片进行处理。
7.如权利要求6所述的增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于：所述预定温度的温度范围为300℃-1000℃。
8.如权利要求6所述的增大掺硼单
...【技术特征摘要】
1.一种增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法，其特征在于：所述s1中，所述预定拉速为：0.825mm/min-1.075mm/min。
3.如权利要求1或2所述的增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法，其特征在于：所述s1中，所述等径预定为等径100mm-200mm。
4.如权利要求1所述的增大掺硼单晶硅dz洁净区的方法，其特征在于：所述s1中，炉压为5kpa-5kpa，惰性气体流量为40slm-80slm。
5.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：马吟霜，芮阳，王黎光，伊冉，李小红，魏兴彤，王忠保，李俊丽，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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