【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数码相机、和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或者介电层、导电层、和半导体材料层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件，来制造半导体器件。
2、半导体行业通过不断减小最小特征尺寸，来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多的组件集成至给定的区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了需要解决的其他问题。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：形成第一半导体沟道区域和第二半导体沟道区域，其中，所述第二半导体沟道区域与所述第一半导体沟道区域重叠；在所述第一半导体沟道区域上形成第一栅极电介质；在所述第二半导体沟道区域上形成第二栅极电介质；将偶极掺杂剂引入到所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质的第一个栅极电介质中至较高原子百分比，其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质的第二个栅极电介质具有较低原子百分比的所述偶极掺杂剂；以及在所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质两者上形成栅电极，其中，所述栅电极和所述第一栅极电介质形成第一晶体管的部分，并且所述栅电极和所述第二栅极电介质形成第二晶体管的部分。
2、本申请的另外一些实施例还提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：
3、下晶体管，所述下晶体管包括：
4、第一
5、位于所述第一沟道区域上的第一栅极电介质，其中，所述第一栅极电介质具有第一原子百分比的偶极掺杂剂；和
6、位于所述第一栅极电介质上的第一栅电极；以及
7、上晶体管，其中，所述下晶体管和所述上晶体管的第一晶体管是n型晶体管，并且其中，所述下晶体管和所述上晶体管的第二晶体管是p型晶体管，并且其中，所述上晶体管包括：
8、与所述第一沟道区域重叠的第二沟道区域；
9、位于所述第二沟道区域上的第二栅极电介质，其中，所述第二栅极电介质具有第二原子百分比的所述偶极掺杂剂，并且其中，所述第二原子百分比与所述第一原子百分比不同；和
10、位于所述第二栅极电介质上的第二栅电极，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极是相同连续栅电极的部分。
11、本申请的又有一些实施例又提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：
12、下晶体管，所述下晶体管包括：
13、第一沟道区域；
14、位于所述第一沟道区域上的第一栅极电介质，其中，所述第一栅极电介质包括高k介电材料；和
15、连接至所述第一沟道区域的第一源极/漏极区域；以及
16、上晶体管，所述上晶体管包括：
17、与所述第一沟道区域重叠的第二沟道区域；
18、位于所述第二沟道区域上的第二栅极电介质，其中，所述第二栅极电介质包括所述高k介电材料和偶极掺杂剂，其中，所述第一栅极电介质中的所述偶极掺杂剂的第一原子百分比低于所述第二栅极电介质中的所述偶极掺杂剂的第二原子百分比；和
19、连接至所述第二沟道区域的第二源极/漏极区域，其中，所述第二源极/漏极区域与所述第一源极/漏极区域重叠，并且其中，所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域具有相反的导电类型。
20、本申请实施还涉及无体积偶极子(volume-lessdipole)引入具有公共栅极的cfet中。
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1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述引入所述偶极掺杂剂包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质时，原位地执行所述引入所述偶极掺杂剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一个栅极电介质沉积为具有所述较低原子百分比的所述偶极掺杂剂，并且所述方法还包括用具有所述较高原子百分比的所述偶极掺杂剂的另一栅极电介质替换所述第二栅极电介质。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一个栅极电介质沉积为具有所述较高原子百分比的所述偶极掺杂剂时，并且所述方法还包括用具有所述较低原子百分比的所述偶极掺杂剂的另一栅极电介质替换所述第二栅极电介质。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅电极包括p型金属，并且其中，所述偶极掺杂剂是n型偶极掺杂剂。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅电极包括n型金属，并且其中，所述偶极掺杂剂是p型偶极掺杂剂。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一晶体管是n型晶体管，并
9.一种半导体结构，包括：
10.一种半导体结构，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述引入所述偶极掺杂剂包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质时，原位地执行所述引入所述偶极掺杂剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一个栅极电介质沉积为具有所述较低原子百分比的所述偶极掺杂剂，并且所述方法还包括用具有所述较高原子百分比的所述偶极掺杂剂的另一栅极电介质替换所述第二栅极电介质。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一个栅极电介质沉积为具有所述较高...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱彦睿，赖德洋，李安，吴俊毅，陈书涵，李达元，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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