【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的制造装置。
技术介绍
1、随着半导体技术的快速发展，半导体器件的集成度也越来越高。目前，半导体器件通常基于晶圆进行制备。用于加工晶圆的设备通常具有缓存区和制造腔室。在实际的制备过程中，晶圆通常先被传送至机台的缓冲区暂存，再从缓冲区被依次转运至制造腔室中进行制造工序。在制造腔室中，晶圆通常需要经过多道刻蚀工序，并在刻蚀完成后再被转运至缓冲区等待取出。这一整套制造流程虽然较为常用，但实际上仍然存在良率偏低的问题，有待进一步的优化。
技术实现思路
1、基于此，针对上述
技术介绍
中的问题，为了尽可能提高半导体器件的良品率，有必要提供一种半导体器件的制造方法。
2、根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：
3、将经过加工的晶圆转移至缓冲腔室中，并将所述晶圆置于所述缓冲腔室中的晶圆装载区上；
4、采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面，并监测所述晶圆装载区的污染物含量；
5、在所述晶圆装载区的污染物含量低于第一预设值后，将所述晶圆从所述缓冲腔室中取出。
6、在本公开的一些实施例中，采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面包括进行一次吹扫处理或多次吹扫处理，监测所述晶圆装载区的污染物含量在每次所述吹扫处理之后进行，若监测到的所述污染物含量在所述第一预设值以上，则再进行一次所述吹扫处理，直至监测到的所述污染物含量低于所述第一预设值，停止所述吹扫处理以及将所述晶圆
7、在本公开的一些实施例中，在每次所述吹扫处理的过程中，控制所述清洗气体的流量为10l/min～100l/min。
8、在本公开的一些实施例中，控制每次所述吹扫处理的时间为3s～10s。
9、在本公开的一些实施例中，喷出所述清洗气体的清洗喷嘴可移动，在采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面的步骤中，监测所述晶圆的位置，并依据所述晶圆的位置控制所述清洗喷嘴移动至对应的所述晶圆装载区的侧上方，使所述清洗气体从所述晶圆的侧上方朝向所述晶圆吹扫。
10、在本公开的一些实施例中，在监测所述晶圆装载区的污染物含量的步骤中，监测的区域位于所述晶圆远离所述清洗气管的一侧。
11、在本公开的一些实施例中，在采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面的步骤中，还包括：于所述晶圆装载区的底部对所述缓冲腔室进行抽气处理。
12、在本公开的一些实施例中，还包括：当监测到所述污染物含量高于第二预设值时，停止对于所述晶圆的后续转移并进行示警处理，所述第二预设值高于所述第一预设值。
13、进一步地，本公开还提供了一种半导体制造装置，其包括用于加工晶圆的加工腔室和与所述加工腔室相连接的缓冲腔室；
14、所述缓冲腔室中设置有缓存载具、污染物传感器和清洗气管，所述缓存载具上设置有供所述晶圆放置的晶圆装载区，所述污染物传感器用于监测所述晶圆表面的污染物含量，所述清洗气管的进气口连接于清洗气源，所述清洗气管的出气口朝向所述缓存载具上的晶圆装载区。
15、在本公开的一些实施例中，还包括驱动件和导向件，所述清洗气管设置于所述导向件上，所述驱动件用于驱动所述清洗气管沿所述导向件移动，所述导向件的引导方向与所述缓存载具的顶端至底端的方向相平行。
16、在本公开的一些实施例中，所述清洗气管具有喷气部，所述出气口设置于所述喷气部上，所述喷气部位于所述晶圆装载区的侧上方，且所述喷气部向下倾斜朝向所述晶圆装载区。
17、本公开的专利技术人经过研究发现，晶圆在加工过程中通常会用到氢氟酸、氨水和异丙醇等挥发性的化学处理液，在加工之后晶圆表面附着有微量的处理液组分。另外由于加工腔室与缓冲腔室相连接，在将晶圆从加工腔室转运至缓冲腔室的过程中，也会使得微量的处理液组分扩散至缓冲腔室中并附着于晶圆表面。这些附着于晶圆表面的处理液组分实际上是污染物，并且会导致晶圆表面产生缺陷，进而导致半导体器件的良率偏低的问题。
18、本公开提供了一种半导体器件的制备方法。该半导体器件的制备方法包括在缓冲腔室中直接用清洗气体吹扫晶圆，并原位监测晶圆表面污染物含量的方式，能够有效地降低缓冲区中的晶圆表面附着的污染物含量，进而减少由于附着的污染物导致的晶圆表面缺陷，提高半导体器件的良率。
19、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面包括进行一次吹扫处理或多次吹扫处理，监测所述晶圆装载区的污染物含量在每次所述吹扫处理之后进行，若监测到的所述较低污染物含量在所述第一预设值以上，则再进行一次所述吹扫处理，直至监测到的所述污染物含量低于所述第一预设值，停止所述吹扫处理以及将所述晶圆从所述缓冲腔室中取出。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在每次所述吹扫处理的过程中，控制所述清洗气体的流量为10L/min～100L/min；和/或，
4.根据权利要求1～3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，喷出所述清洗气体的清洗喷嘴可移动，在采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面的步骤中，监测所述晶圆的位置，并依据所述晶圆的位置控制所述清洗喷嘴移动至对应的所述晶圆装载区的侧上方，使所述清洗气体从所述晶圆的侧上方朝向所述晶圆吹扫。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在监测所述晶圆装载区的污染物含
6.根据权利要求1～3及5任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面的步骤中，还包括：于所述晶圆装载区的底部对所述缓冲腔室进行抽气处理。
7.根据权利要求1～3及5任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：当监测到所述污染物含量高于第二预设值时，停止对于所述晶圆的后续转移并进行示警处理，所述第二预设值高于所述第一预设值。
8.一种半导体制造装置，其特征在于，包括用于加工晶圆的加工腔室和与所述加工腔室相连接的缓冲腔室；
9.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其特征在于，还包括驱动件和导向件，所述清洗气管设置于所述导向件上，所述驱动件用于驱动所述清洗气管沿所述导向件移动，所述导向件的引导方向与所述缓存载具的顶端至底端的方向相平行。
10.根据权利要求8～9任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，所述清洗气管具有清洗喷嘴，所述出气口设置于所述清洗喷嘴上，所述清洗喷嘴位于所述晶圆装载区的侧上方，且所述清洗喷嘴向下倾斜朝向所述晶圆装载区。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面包括进行一次吹扫处理或多次吹扫处理，监测所述晶圆装载区的污染物含量在每次所述吹扫处理之后进行，若监测到的所述较低污染物含量在所述第一预设值以上，则再进行一次所述吹扫处理，直至监测到的所述污染物含量低于所述第一预设值，停止所述吹扫处理以及将所述晶圆从所述缓冲腔室中取出。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在每次所述吹扫处理的过程中，控制所述清洗气体的流量为10l/min～100l/min；和/或，
4.根据权利要求1～3任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，喷出所述清洗气体的清洗喷嘴可移动，在采用清洗气体吹扫所述晶圆的表面的步骤中，监测所述晶圆的位置，并依据所述晶圆的位置控制所述清洗喷嘴移动至对应的所述晶圆装载区的侧上方，使所述清洗气体从所述晶圆的侧上方朝向所述晶圆吹扫。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在监测所述晶圆装载区的污染物含量的步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：王重恩，李欣越，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。