【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及双面散热铜基载板，具体为一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法。
技术介绍
1、如今在陶瓷金属化领域，颇为常见的当属各类覆铜陶瓷产品，如dbc、amb、dpc、tpc等，上述产品虽然生产工艺存在差异，但一般都是在陶瓷表面实现单面或双面金属化，即在陶瓷上覆铜。鉴于车载无线充电行业的特殊需求，需要在铜的上下表面分别贴敷高导热瓷片，进而达到快速散热的目的。但是翘曲模式和双面覆铜产品存在较大差异，因此现有烧结方法已经不再适用；但是铜片被夹在两个瓷片中间，会极大影响蚀刻工序进行，也就是说铜片一旦烧结完成，将无法被精确蚀刻；此外，该类产品往往没有特殊定位标记，需要一种全新的定位方法来进行后续选化镀层的位置锁定。考虑到上述诸多难点，此类产品难度极大，至今没有一家生产厂家可以大规模生产，急需一种新工艺解决目前业内的问题。
2、综上所述，制备一种选化镀金双面散热铜基片载板具有重要意义。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，包括以下操作步骤：
3、s1：原材料准备：准备aln陶瓷和铜片；
4、s2：铜片预氧化：将铜片进行预氧化处理，得到预氧化铜片；
5、s3：aln陶瓷蒸镀：将若干s1中得到的预氧化铜片横向放置于网带上，氧化面朝上，将待蒸镀的aln陶瓷竖向放置其表面，蒸镀；得到含铜aln陶瓷；
7、s5：铜瓷一次烧结：将s4中得到的铜瓷进行一次烧结，得到铜瓷a；
8、s6：图形转移和分片：将s5中得到的铜瓷a依次进行图形转移、产品切割分片、瓷片切割分片，得到瓷片；
9、s7：将s6中得到的瓷片进行二次烧结，得到铜基载板；
10、s8：将s7中得到的铜基载板，进行选化镀金，得到选化镀金双面散热铜基载板。
11、较为优化的，所述s1中，预氧化处理的工艺参数为：600～800ppm氧含量下退火处理，退火温区包括1～11温区，分别为：温度1区为500～520℃、温度2区为680～700℃、温度3区为780～800℃、温度4区为790～810℃、温度5区为760～800℃、温度6区为760～800℃、温度7区为760～800℃、温度8区为760～800℃、温度9区为700～740℃、温度10区为640～680℃、温度11区为620～660℃。
12、较为优化的，所述s3中，预氧化铜片放置前使用预弯机进行正反预弯；aln陶瓷竖向放置在预氧化铜片表面时，预氧化铜片前后重叠4.5～5.5mm。
13、较为优化的，所述s3中，蒸镀的工艺参数为：设定100ml流量计为5％的氧流量，带速为8inch/min；蒸镀包括1～8个温区，分别为：温度1区为720～740℃、温度2区为820～840℃、温度3区为905～925℃、温度4区为940～960℃、温度5区为930～970℃、温度6区为930～970℃、温度7区为930～970℃、温度8区为880～920℃。
14、较为优化的，所述s2中，含铜aln陶瓷的氧化温度为1000～1100℃，氧化时间为4～6小时。
15、较为优化的，所述s1中，aln陶瓷的规格为138×190mm2，铜片的规格为132×184mm2。
16、较为优化的，所述s5中，一次烧结的工艺参数为：一次烧结包括1～10个温区，分别为：温度1区为770～790℃、温度2区为900～910℃、温度3区为1020～1030℃、温度4区为1090～1100℃、温度5区为1090～1100℃、温度6区为1090～1100℃、温度7区为1086～1094℃、温度8区为1086～1094℃、温度9区为1030～1040℃、温度10区为995～1005℃。
17、较为优化的，所述s7中，二次烧结的工艺参数为：二次烧结包括1～10个温区，分别为：温度1区为775～785℃、温度2区为900～910℃、温度3区为1020～1030℃、温度4区为1092～1100℃、温度5区为1092～1100℃、温度6区为1090～1097℃、温度7区为1088～1094℃、温度9区为1030～1040℃、温度10区为995～1005℃。
18、较为优化的，所述s6中，图形转移包括贴膜、曝光、显影、蚀刻、退膜。
19、较为优化的，所述蚀刻的工艺参数为：蚀刻的温度为50±3℃，上下喷压分别为2.7±0.3kg/cm2和2.2±0.4kg/cm2；所述蚀刻所用的溶液为1.9±0.2n的盐酸。
20、较为优化的，所述s8中，所述选化镀金的工艺参数为：ph值为4.4～4.8、温度为83～87℃、时间为120～640秒、压力为0.2～0.6kg/cm2；所述选化镀金过程中使用镀金液，镀金液包含以下组分：160～240ml/la剂、金浓度为0.8～1.2g/l、镍离子浓度为≤900mg/l、铜离子浓度为≤5mg/l、铁离子浓度为≤1mg/l。
21、较为优化的，所述a剂的原料包括以下组分：19.5～20wt％的羧酸盐、4～4.2wt％氨基羧酸盐、74～78wt％的水。
22、较为优化的，与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果是：(1)介绍了aln陶瓷的蒸镀和氧化的方法；(2)本专利技术先在母版状态下烧结第一面陶瓷，再在小枚状态下烧结第二面陶瓷的特殊烧结方法；(3)本专利技术在不改变曝光机原有结构的前提下，采用特定菲林，在菲林上下设置两条定位线，产品上下边通过和两个定位线重合，来进行精确定位，实现了小尺寸产品的特定区域选化镀金。
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1.一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：包括以下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S1中，预氧化处理的工艺参数为：600～800PPM氧含量下退火处理，退火温区包括1～11温区，分别为：温度1区为500～520℃、温度2区为680～700℃、温度3区为780～800℃、温度4区为790～810℃、温度5区为760～800℃、温度6区为760～800℃、温度7区为760～800℃、温度8区为760～800℃、温度9区为700～740℃、温度10区为640～680℃、温度11区为620～660℃。
3.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S3中，预氧化铜片放置前使用预弯机进行正反预弯；AlN陶瓷竖向放置在预氧化铜片表面时，预氧化铜片前后重叠4.5～5.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S3中，蒸镀的工艺参数为：设定100mL流量计为5％的氧流量，带速为8inch/min；蒸镀包括1
5.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S2中，含铜AlN陶瓷的氧化温度为1000～1100℃，氧化时间为4～6小时。
6.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S1中，AlN陶瓷的规格为138×190mm2，铜片的规格为132×184mm2。
7.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S5中，一次烧结的工艺参数为：一次烧结包括1～10个温区，分别为：温度1区为770～790℃、温度2区为900～910℃、温度3区为1020～1030℃、温度4区为1090～1100℃、温度5区为1090～1100℃、温度6区为1090～1100℃、温度7区为1086～1094℃、温度8区为1086～1094℃、温度9区为1030～1040℃、温度10区为995～1005℃。
8.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S7中，二次烧结的工艺参数为：二次烧结包括1～10个温区，分别为：温度1区为775～785℃、温度2区为900～910℃、温度3区为1020～1030℃、温度4区为1092～1100℃、温度5区为1092～1100℃、温度6区为1090～1097℃、温度7区为1088～1094℃、温度9区为1030～1040℃、温度10区为995～1005℃。
9.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S6中，图形转移包括贴膜、曝光、显影、刻蚀、退膜；所述蚀刻的工艺参数为：蚀刻的温度为50±3℃，上下喷压分别为2.7±0.3kg/cm2和2.2±0.4kg/cm2；所述蚀刻所用的溶液为1.9±0.2N的盐酸。
10.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述S8中，选化镀金的工艺参数为：pH值为4.4～4.8、温度为83～87℃、时间为120～640秒、压力为0.2～0.6kg/cm2；所述选化镀金过程中使用镀金液，镀金液包含以下组分：160～240ml/LA剂、金浓度为0.8～1.2g/L、镍离子浓度为≤900mg/L、铜离子浓度为≤5mg/L、铁离子浓度为≤1mg/L。
...【技术特征摘要】
1.一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：包括以下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述s1中，预氧化处理的工艺参数为：600～800ppm氧含量下退火处理，退火温区包括1～11温区，分别为：温度1区为500～520℃、温度2区为680～700℃、温度3区为780～800℃、温度4区为790～810℃、温度5区为760～800℃、温度6区为760～800℃、温度7区为760～800℃、温度8区为760～800℃、温度9区为700～740℃、温度10区为640～680℃、温度11区为620～660℃。
3.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述s3中，预氧化铜片放置前使用预弯机进行正反预弯；aln陶瓷竖向放置在预氧化铜片表面时，预氧化铜片前后重叠4.5～5.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述s3中，蒸镀的工艺参数为：设定100ml流量计为5％的氧流量，带速为8inch/min；蒸镀包括1～8个温区，分别为：温度1区为720～740℃、温度2区为820～840℃、温度3区为905～925℃、温度4区为940～960℃、温度5区为930～970℃、温度6区为930～970℃、温度7区为930～970℃、温度8区为880～920℃。
5.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述s2中，含铜aln陶瓷的氧化温度为1000～1100℃，氧化时间为4～6小时。
6.根据权利要求1所述的一种选化镀金双面散热铜基载板的制作方法，其特征在于：所述s1中，aln陶瓷的规格为138×190mm2，铜片的规格为132×184mm2。
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炎，孙斌，蔡俊，李辛未，曹海洋，苗家高，师传茗，
申请(专利权)人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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