【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及变容器、半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业经历了快速增长。ic材料和设计的技术进步产生了多代ic，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在ic发展过程中，功能密度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大了而几何尺寸(即，使用制造工艺可以做出的最小的元件(或线))减小了。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这种按比例缩小工艺也增大了加工和制造ic的复杂度。
2、mos(金属氧化物半导体)变容器是具有作为所施加的电压的函数而变化的电容的半导体器件。变容器通常用作压控振荡器(vco)、参数放大器、移相器、锁相环(pll)和其他可调谐电路等电路中的调谐元件。例如，通过改变施加到变容器的电压，可以调整相关联的vco的操作频率。可调谐性、线性度和品质因数是mos变容器的重要特性。仍然需要对变容器的调谐比进行改进。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：掺杂区域，位于衬底中并包括第一类型掺杂剂；多个纳米结构，直接设置在掺杂区域上方；栅极结构，包围在多个纳米结构中的每个纳米结构周围；第一外延部件和第二外延部件，耦合至多个纳米结构，其中，第一外延部件和第二外延部件中的每一个包括第一类型掺杂剂；第一绝缘部件，设置在第一外延部件和掺杂区域之间；以及第二绝缘部件，设置在第二外延部件和掺杂区域之间。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种变容器，包括
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括提供工件，工件包括：衬底，包括具有第一掺杂极性的阱区域，交替沟道层和牺牲层的垂直堆叠件，位于阱区域上方且与阱区域直接接触，和伪栅极堆叠件，与垂直堆叠件相交。该方法还包括：对未被伪栅极堆叠件覆盖的垂直堆叠件的部分开槽以形成源极/漏极沟槽，源极/漏极沟槽暴露阱区域；形成介电层以填充源极/漏极沟槽的下部；在介电层上形成源极/漏极部件以填充源极/漏极沟槽的上部，源极/漏极部件包括第一掺杂极性；选择性地去除伪栅极堆叠件以形成栅极沟槽；选择性地去除垂直堆叠件的牺牲层以形成栅极开口；以及在栅极沟槽和栅极开口中形成栅极结构。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘部件与所述内部间隔件部件的最底部内部间隔件部件直接接触。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘部件的顶表面位于所述内部间隔件部件的最底部内部间隔件部件的顶表面上方。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂区域包括P型阱，所述第一外延部件和所述第二外延部件包括P型掺杂硅，并且所述栅极结构包括P型功函数层。
7.一种变容器，包括：
8.根据权利要求7所述的变容器，还包括：
9.根据权利要求7所述的变容器，还包括：
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘部件与所述内部间隔件部件的最底部内部间隔件部件直接接触。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘部件的顶表面位于所述内部间隔件部件的最底部内部间...
【专利技术属性】
技术研发人员：李明轩，苏子昂，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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