【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域，并且更具体地涉及用于自下而上外延的选择性底部种子层形成。
技术介绍
1、半导体器件被用于各种电子应用，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上顺序沉积材料的绝缘或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
2、半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸减小，出现了应当解决的其他问题。
技术实现思路
1、根据本公开的第一方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：蚀刻栅极堆叠旁的半导体区域以形成凹部；在所述凹部的底部形成电介质层；在所述凹部的底部选择性地形成第一半导体层，其中，所述第一半导体层的底表面与所述电介质层的顶表面形成界面，并且所述界面延伸至所述凹部的相反侧，并且其中，选择性地形成所述第一半导体层包括在第一工艺条件下执行的第一沉积工艺；以及在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中，外延生长所述第二半导体层是使用第二工艺条件下的第二沉积工艺来执行的，并且其中，所述第二工艺条件不同于所述第一工艺条件。
2、根据本公开的第二方面，提供了一种半导体器件，包括：第一半导体区域；第一栅极堆叠，位于所述第一半导体区域之上；电介质层，位于所述第一栅极堆叠和所述第一半导体区域旁；非晶半导体层，位于所述电介质层之上
3、根据本公开的第三方面，提供了一种半导体器件，包括：多个纳米结构，所述多个纳米结构中的上部纳米结构与所述多个纳米结构中的下部纳米结构交叠；栅极堆叠，包括多个部分，每个部分位于所述多个纳米结构中的下部纳米结构和相应的上部纳米结构之间；多对内部间隔件，每对内部间隔件位于所述栅极堆叠的所述多个部分中的相应部分的相反侧；源极/漏极区域，包括：非晶半导体层；以及结晶半导体层，位于所述非晶半导体层之上并与所述非晶半导体层接触；以及电介质层，位于所述非晶半导体层下方并与所述非晶半导体层接触。
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1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述第一半导体层包括第一沉积-蚀刻循环，该第一沉积-蚀刻循环包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，选择性形成所述第一半导体层还包括在所述第一沉积-蚀刻循环之后的第二沉积-蚀刻循环。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述回蚀工艺是通过将所述顶部部分、所述侧壁部分和所述底部部分全部暴露于蚀刻化学品来执行的。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二沉积工艺是连续工艺，并且所述连续工艺被执行直到所述凹部被基本上完全填满为止。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沉积工艺是在施加偏置功率的情况下执行的定向沉积工艺。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二沉积工艺在未施加偏置功率的情况下执行。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沉积工艺使用等离子体增强化学气相沉积来执行，并且所述第二沉积工艺使用化学气相沉积来执行。
9.一种半导体器件，包括：
10.一种半导
...【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述第一半导体层包括第一沉积-蚀刻循环，该第一沉积-蚀刻循环包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，选择性形成所述第一半导体层还包括在所述第一沉积-蚀刻循环之后的第二沉积-蚀刻循环。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述回蚀工艺是通过将所述顶部部分、所述侧壁部分和所述底部部分全部暴露于蚀刻化学品来执行的。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二沉积工...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧宇正，张廷祥，柯忠廷，廖书翎，林颂恩，黄泰钧，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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