【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、存储装置及电子设备。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本专利技术的一个方式的的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器)、输入输出装置(例如，触摸面板)、它们的驱动方法或它们的制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置及存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置及电子设备等有时包括半导体装置。
技术介绍
1、近年来，已在开发如lsi(large scale integration：大规模集成电路)、cpu(centralprocessingunit：中央处理器)、存储器(存储装置)等半导体装置。将这些半导体装置用于计算机、便携式信息终端等各种电子设备。此外，已在根据执行运算处理时的暂时存储、数据的长期存储等用途开发各种存储方式的存储器。作为典型存储方式的存储器，例如可以举出dram(dynamic randomaccess memory：动态随机存取存储器)、sram(staticrandomaccessmemory：静态随机存取存储器)以及闪存。
2、此外，随着使用数据量的增大，需要具有更大存储容量的半导体装置。专利文献1及非专利文献1公开通过层
3、[先行技术文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]国际专利申请公开第2021/053473号
6、[非专利文献]
7、[非专利文献1]m.oota et al，“3d-stacked caac-in-ga-zn oxide fets withgate length of72nm”，iedm tech.dig.，2019，pp.50-53
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种工作速度快的半导体装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有良好的电特性的半导体装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种通态电流(on-state current)大的半导体装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的半导体装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置。
3、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种工序数少的半导体装置的制造方法。
4、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种存储容量大的存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的存储装置等。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的存储装置。
5、注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
6、解决技术问题的手段
7、本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：金属氧化物；金属氧化物上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；在第一导电体与第二导电体之间且在金属氧化物上的第三绝缘体；第三绝缘体上的第三导电体；在第三导电体上且与第三导电体电连接的第四导电体；第四导电体上的第四绝缘体；设置在形成于第四绝缘体中的第一开口的内部的第五绝缘体；以及具有隔着第五绝缘体与第四导电体重叠的区域的第五导电体。第三绝缘体及第三导电体设置在形成于第一绝缘体及第二绝缘体中的第二开口的内部。金属氧化物具有与第一导电体重叠且在第一方向上延伸的第一区域。在第一区域中，金属氧化物的端部与第一导电体的端部对齐。第一方向平行于第五导电体延伸的方向。
8、在上述半导体装置中，优选的是，还包括：第六导电体；第六绝缘体；以及第七导电体，其中金属氧化物具有与第六导电体重叠的区域，形成于第一绝缘体及第二绝缘体中的第三开口具有与第六导电体重叠的区域，第六绝缘体在第三开口的内部与第一绝缘体及第二绝缘体的各侧面接触，第七导电体以隔着第六绝缘体嵌入第三开口的内部的方式设置，并且第七导电体具有与第六导电体的顶面的一部分接触的区域及与第六导电体的侧面的一部分接触的区域。
9、在上述半导体装置中，优选的是，还包括：第七绝缘体；以及第八绝缘体，其中第七绝缘体位于第一导电体与第一绝缘体之间，并且第八绝缘体位于第二导电体与第一绝缘体之间。
10、在上述半导体装置中，优选的是，第一导电体及第二导电体都具有叠层结构，叠层结构包括第一导电层及第一导电层上的第二导电层，并且第一导电层具有其氮浓度比第二导电层高的区域。
11、本专利技术的另一个方式是一种半导体装置，包括：第一晶体管；第一晶体管上的电容器、第二晶体管及第四绝缘体。第一晶体管包括：第一金属氧化物；第一金属氧化物上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；在第一导电体与第二导电体之间且在第一金属氧化物上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体。电容器包括：第四导电体；第四导电体上的第五绝缘体；以及具有隔着第五绝缘体与第四导电体重叠的区域的第五导电体。第四导电体与第三导电体电连接。第二晶体管包括：第八导电体；以及在第八导电体上且具有与第八导电体重叠的区域的第二金属氧化物。第五绝缘体及第五导电体设置在形成于第四绝缘体中的第一开口的内部。第八导电体设置在形成于第四绝缘体中的第二开口的内部。第五导电体的顶面与第八导电体的顶面对齐。
12、在上述半导体装置中，优选的是，第一金属氧化物具有与第一导电体重叠且在第一方向上延伸的第一区域，在第一区域中，第一金属氧化物的端部与第一导电体的端部对齐，并且第一方向平行于第五导电体延伸的方向。
13、在上述半导体装置中，优选的是，还包括：第六导电体；第六绝缘体；以及第七导电体，其中第一金属氧化物具有与第六导电体重叠的区域，形成于第一绝缘体及第二绝缘体中的第三开口具有与第六导电体重叠的区域，第六绝缘体在第三开口的内部与第一绝缘体及第二绝缘体的各侧面接触，第七导电体以隔着第六绝缘体嵌入第三开口的内部的方式设置，并且第七导电体具有与第六导电体的顶面的一部分接触的区域及与第六导电体的侧面的一部分接触的区域。
14、在上述半导体装置中，优选的是，还包括：第七绝缘体；以及第八绝缘体，其中第七绝缘体位于第一导电体与第一绝缘体之间，并且第八绝缘体本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.一种半导体装置，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
7.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：
8.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：
9.根据权利要求5所述的半导体装置，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.一种半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：泽井宽美，方堂凉太，冈本佑树，津田一树，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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