【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铜带的加工，具体而言，涉及一种异型铜带及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子、电器行业的快速发展，电子部件的小型化，高性能化，对高性能铜合金的异型铜带的需求也越来越多。由于厚板的导电性和散热性以及薄板的可加工性，异型铜带已陆续被用于大电功率ic的引线框架以及大电流端子上。
2、同时，随着大规模集成电路和超大规模集成电路生产线的不断扩大，以及国际上高端电子设备制造商对集成电路引线框架性能质量要求的不断提高，引线框架用铜带的需求量也越来越大。作为半导体分立器件和集成电路封装的核心材料之一，国际上沿用的引线框架材料有铜合金和镍铁合金两类材料，铜合金引线框架材料因其优良的高传导性、又兼其适应的加工性、电度钎焊性、耐应力腐蚀开裂性、必要的强度与树脂封装的密着性等特点，倍受青睐。
3、然而，目前引线框架用异型铜带主要采用的半连续铸造→铸锭加热→热轧→铣面→冷轧工艺生产的铜带存在着锻压开裂、异型带硬度偏低等问题，导致下游客户生产成本率低、生产企业客户投诉多等问题，也成为制约我国精密铜带行业及集成电路产业发展的瓶颈。基于此，本专利技术提供了一个短流程的、解决锻压开裂等问题的制备方法。该方法具有生产周期短、工艺简单、生产效率高、质量稳定的特点。
技术实现思路
1、为克服以上现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种异型铜带及其制备方法，以解决现有技术中锻压开裂、异型带硬度偏低的问题。
2、本专利技术第一方面提供一种异型铜带，按照质量百分比计，所述异型铜带由
3、本专利技术第二方面提供一种异型铜带的制备方法，所述制备方法具体包括如下步骤：
4、s1、将锌片、电解铜进行熔炼处理，待完全熔化后，依次加入烘烤好的铁片、铜磷中间合金，经过保温处理得到中间熔体；
5、s2、将步骤s1制得的中间熔体转炉到保温炉，待成分合格后，通过施加电磁辅助方式开展水平连续铸造，铸造结束后得到水平连铸带坯；
6、s3、将步骤s2制得的水平连铸带坯依次进行均匀化退火处理、双面铣处理和6道次冷轧变形处理后，置于钟罩炉内进行退火处理，退火处理结束后依次经过脱脂、酸洗和清洗后进行分切处理，得到定尺平带坯；
7、s4、将步骤s3制得的定尺平带坯在锻压机上进行锻压处理后得到异型带毛坯，将异型带毛坯置于连续式退火炉内进行退火处理后进行清刷，得到异型带坯；
8、s5、将步骤s4制得的异型带坯依次经过精轧轧制、冲压处理和分切处理后得到异型铜带。
9、进一步地，所述步骤s1中，熔炼处理在水平连铸熔炼炉中进行，且熔炼的温度为1230-1260℃；保温温度为1200-1220℃。
10、进一步地，所述步骤s2中，水平连续铸造的温度为1180-1200℃，且所述水平连续铸造采用拉-停-退拉铸工艺，铸造速度为14-16mm/min；施加的电磁辅助参数如下：频率为20-30hz、电流为15-25a、电磁搅拌器冷却水温为40-45℃。
11、进一步地，所述步骤s3中，均匀化退火处理的参数如下：温度为720-750℃，保温时间为6-8h；钟罩炉内的退火处理参数如下：温度为530-560℃，保温时间为4-6h。
12、进一步地，所述步骤s3中，6道次冷轧变形处理中，每道次的变形量依次为：25％→33％→29％→28％→23％→21％。
13、进一步地，所述步骤s3制得的定尺平带坯的参数如下：维氏硬度为58-63hv，导电率≥85％iacs，延伸率≥36％。
14、进一步地，所述步骤s4中，锻压处理的锻压速度为8-10m/min，连续式退火炉内的退火处理温度为700-750℃。
15、进一步地，所述步骤s5中，精轧轧制的压下量为0.02-0.03mm。
16、进一步地，所述步骤s5中，异型铜带的维氏硬度为100-115hv。
17、与现有技术相比，本专利技术具有如下优点：
18、本专利技术采用优化合金成分配比，以及水平连续铸造和电磁辅助铸造相结合的方式，制备出成分组织均匀的水平连铸带坯，工艺流程缩短，在后续的加工过程中可以获得相对适中的硬度水平，能满足锻压过程中的加工硬化要求，又能避免锻打过程中开裂问题，也满足后续异型材成品的硬度要求，并通过协同优化锻打工艺，确保了异型铜材获得高导电率、适当硬度的要求。
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1.一种异型铜带，其特征在于，按照质量百分比计，所述异型铜带由如下成分组成：Fe：0.05-0.1％、P：0.02-0.032％、Zn：0.01-0.04％、余量为Cu，且所述异型铜带中，Fe与P的质量比为：2.8-3.5。
2.一种如权利要求1所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括如下步骤：
3.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，熔炼处理在水平连铸熔炼炉中进行，且熔炼的温度为1230-1260℃；保温温度为1200-1220℃。
4.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，水平连续铸造的温度为1180-1200℃，且所述水平连续铸造采用拉-停-退拉铸工艺，铸造速度为14-16mm/min；施加的电磁辅助参数如下：频率为20-30Hz、电流为15-25A、电磁搅拌器冷却水温为40-45℃。
5.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，均匀化退火处理的参数如下：温度为720-750℃，保温时间为6-8h；钟罩炉内的退火处理参数如下：
6.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，6道次冷轧变形处理中，每道次的变形量依次为：
7.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S3制得的定尺平带坯的参数如下：维氏硬度为58-63HV，导电率≥
8.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，锻压处理的锻压速度为8-10m/min，连续式退火炉内的退火处理温度为700-750℃。
9.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，精轧轧制的压下量为0.02-0.03mm。
10.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，异型铜带的维氏硬度为100-115HV。
...【技术特征摘要】
1.一种异型铜带，其特征在于，按照质量百分比计，所述异型铜带由如下成分组成：fe：0.05-0.1％、p：0.02-0.032％、zn：0.01-0.04％、余量为cu，且所述异型铜带中，fe与p的质量比为：2.8-3.5。
2.一种如权利要求1所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括如下步骤：
3.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，熔炼处理在水平连铸熔炼炉中进行，且熔炼的温度为1230-1260℃；保温温度为1200-1220℃。
4.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，水平连续铸造的温度为1180-1200℃，且所述水平连续铸造采用拉-停-退拉铸工艺，铸造速度为14-16mm/min；施加的电磁辅助参数如下：频率为20-30hz、电流为15-25a、电磁搅拌器冷却水温为40-45℃。
5.如权利要求2所述的异型铜带的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵智勇，陈忠平，向朝建，潘菲，
申请(专利权)人：中铜华中铜业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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