【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种晶圆测试平台。
技术介绍
1、随着新一代半导体材料的广泛使用，一些8英寸晶圆的产线在生产的早期阶段会使用6英寸的晶圆进行工艺调整和测试，以降低试错的成本。在工艺成熟之后，技术人员又会切换为8英寸的晶圆进行量产。然而，现有的测试平台无法同时兼容这两种尺寸的晶圆，因此在切换的过程中浪费了大量的时间成本。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种晶圆测试平台，通过将平台所有部件设置为可兼容两种尺寸晶圆的模式，以便于实现6英寸晶圆与8英寸晶圆的切换。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种晶圆测试平台，通过将平台所有部件设置为可兼容两种尺寸晶圆的模式，以便于实现6英寸晶圆与8英寸晶圆的切换。
3、具体来说，根据本技术的第一方面提供的上述晶圆测试平台包括设备前端模块、负载锁存腔及测试腔，所述设备前端模块用于从前端系统获取待测试的晶圆，并将完成测试的晶圆返回所述前端系统。所述负载锁存腔位于所述设备前端模块及后端的测试腔之间，用于将所述待测试的晶圆从所述设备前端模块传输到所述测试腔，并将所述完成测试的晶圆从所述
4、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述负载锁存腔包括多个所述支架。每一所述支架的边缘限位部对准其上的8英寸晶圆的一部分边缘。每一所述支架的至少一个支撑点支撑其上的6英寸晶圆的底面边缘区域或支撑其上的8英寸晶圆的底面内侧区域。
5、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述负载锁存腔包括两个所述支架。每一所述支架包括两个所述支撑点。
6、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述负载锁存腔中还包括抽气机构，用于实现所述前端系统的大气环境与所述测试腔的真空环境之间的切换。
7、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述负载锁存腔中还包括温度控制模块，用于加热所述待测试的晶圆，和/或冷却所述完成测试的晶圆。
8、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述设备前端模块配置有大气机械手，以从所述前端系统获取所述待测试的晶圆，并将所述完成测试的晶圆返回所述前端系统。
9、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述大气机械手具有至少一个指部。每一所述指部具有两层凹陷结构。下层的第一凹陷结构具有6英寸的第一直径，以容纳6英寸晶圆。而上层的第二凹陷结构具有8英寸的第二直径，以容纳8英寸晶圆。
10、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述第一凹陷结构的边缘设有向下倾斜的第一斜坡，以引导所述6英寸晶圆实现自动落位，和/或所述第二凹陷结构的边缘设有向下倾斜的第二斜坡，以引导所述8英寸晶圆实现自动落位。
11、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述设备前端模块中配置有至少一层冷却缓冲结构，用于先冷却所述完成测试的晶圆，再经由所述大气机械手将冷却的晶圆返回所述前端系统。
12、进一步地，在本技术的一些实施例中，每层所述冷却缓冲结构包括两级台阶。下级的第一台阶远离上级的第二台阶的第一端部具有小于6英寸的第三直径，而其靠近所述第二台阶的第二端部具有大于6英寸而小于8英寸的第四直径，以支撑并冷却所述6英寸晶圆。所述第二台阶远离所述第一台阶的第三端部具有大于8英寸的第五直径，而其靠近所述第一台阶的第四端部具有大于6英寸而小于8英寸的第六直径，以支撑并冷却所述8英寸晶圆。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆测试平台，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔包括多个所述支架，其中，每一所述支架的边缘限位部对准其上的8英寸晶圆的一部分边缘，每一所述支架的至少一个支撑点支撑其上的6英寸晶圆的底面边缘区域，或支撑其上的8英寸晶圆的底面内侧区域。
3.如权利要求2所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔包括两个所述支架，其中，每一所述支架包括两个所述支撑点。
4.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔中还包括抽气机构，用于实现所述前端系统的大气环境与所述测试腔的真空环境之间的切换。
5.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔中还包括温度控制模块，用于加热所述待测试的晶圆，和/或冷却所述完成测试的晶圆。
6.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述设备前端模块配置有大气机械手，以从所述前端系统获取所述待测试的晶圆，并将所述完成测试的晶圆返回所述前端系统。
7.如权利要求6所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述大气机械手
8.如权利要求7所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述第一凹陷结构的边缘设有向下倾斜的第一斜坡，以引导所述6英寸晶圆实现自动落位，和/或
9.如权利要求6所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述设备前端模块中配置有至少一层冷却缓冲结构，用于先冷却所述完成测试的晶圆，再经由所述大气机械手将冷却的晶圆返回所述前端系统。
10.如权利要求9所述的晶圆测试平台，其特征在于，每层所述冷却缓冲结构包括两级台阶，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试平台，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔包括多个所述支架，其中，每一所述支架的边缘限位部对准其上的8英寸晶圆的一部分边缘，每一所述支架的至少一个支撑点支撑其上的6英寸晶圆的底面边缘区域，或支撑其上的8英寸晶圆的底面内侧区域。
3.如权利要求2所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔包括两个所述支架，其中，每一所述支架包括两个所述支撑点。
4.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔中还包括抽气机构，用于实现所述前端系统的大气环境与所述测试腔的真空环境之间的切换。
5.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于，所述负载锁存腔中还包括温度控制模块，用于加热所述待测试的晶圆，和/或冷却所述完成测试的晶圆。
6.如权利要求1所述的晶圆测试平台，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘禄，沙俊汀，于成辉，李宇，周磊，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。