【技术实现步骤摘要】
本公开涉及体声波谐振器。
技术介绍
1、随着近来移动通信设备以及化学和生物设备的快速发展，对这些设备中使用的小型和轻量的滤波器、振荡器、谐振元件和声谐振质量传感器的需求日益增加。
2、声谐振器(诸如体声波(baw)滤波器)可以用作小型和轻量的滤波器、振荡器、谐振元件和声谐振质量传感器，并且与介质滤波器、金属腔滤波器、波导和设备相比具有小尺寸和优异的性能，因此它们广泛地用于需要高性能(诸如宽通带)的现代移动设备的通信模块。
3、体声波滤波器包括多个体声波谐振器，但是体声波谐振器由于在谐振频率处产生的侧向波的影响而经受谐振能量的泄漏。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍对构思的选择，而在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
2、在一个一般方面，体声波谐振器包括：有效区域，在该有效区域中，设置在基板上的第一电极、沿着高度方向设置在第一电极上的压电层、以及沿着高度方向设置在压电层上的第二电极在高度方向上彼此重叠；外围区域，在该外围区域中，第一电极或第二电极从有效区域向外延伸，使得第一电极和第二电极在外围区域中在高度方向上彼此不重叠；以及辅助层，设置在外围区域中，其中，有效区域的第一截止频率基本上等于外围区域的第二截止频率。
3、体声波谐振器还可以包括设置在基板和第一电极之间的腔，并且该腔在高度方向上与有效区域重叠
4、体声波谐振器还可以包括设置在有效区域和外围区域之间的边界区域，其中，所延伸的第一电极的一端或所延伸的第二电极的一端和辅助层的一端可以在边界区域中在高度方向上彼此重叠。
5、所延伸的第一电极的所述一端在边界区域中的厚度或所延伸的第二电极的所述一端在边界区域中的厚度可以小于第一电极的一端在有效区域中的厚度或第二电极的一端在有效区域中的厚度，并且辅助层的一端在边界区域中的厚度可以小于辅助层在外围区域中的厚度。
6、压电层在高度方向上的表面高度可以在边界区域中变化。
7、体声波谐振器还可以包括设置在有效区域和边界区域之间的沟槽区域，其中，第二电极在沟槽区域中的厚度可以小于第二电极在有效区域中的厚度。
8、辅助层可以包括延伸到沟槽区域中的延伸部分，并且辅助层的延伸部分可以在高度方向上在沟槽区域中与第二电极重叠。
9、辅助层的延伸部分的厚度可以小于辅助层的其余部分的厚度。
10、辅助层可以在外围区域中与第一电极或第二电极重叠，并且压电层在高度方向上插置在辅助层与第一电极或第二电极之间。
11、辅助层可以设置在有效区域中的第一电极或第二电极的侧表面上。
12、辅助层可以包括绝缘材料。
13、辅助层可以包括压电层的材料中的至少一些。
14、辅助层的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.6至约0.8。
15、第一电极和第二电极的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.4至约0.6。
16、辅助层的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.5至约0.7。
17、第一电极和第二电极的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.2至约0.4。
18、压电层可以包括氮化铝，第一电极和第二电极包括钼，以及辅助层可以包括二氧化硅。
19、辅助层可以设置在外围区域中的第一电极或第二电极与压电层之间。
20、辅助层可以在外围区域中与第一电极或第二电极接触。
21、辅助层可以包括绝缘层或导电层。
22、辅助层的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.2至约0.4。
23、第一电极和第二电极的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.4至约0.6。
24、辅助层的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.1至约0.3。
25、第一电极和第二电极的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.2至约0.4。
26、压电层可以包括氮化铝，第一电极和第二电极包括钼，以及辅助层可以包括二氧化硅。
27、辅助层可以在高度方向上与压电层重叠，并且外围区域中的第一电极或第二电极插置在辅助层与压电层之间。
28、辅助层可以在外围区域中与第一电极或第二电极接触。
29、辅助层可以包括绝缘材料或导电材料。
30、辅助层的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.7至约0.9。
31、第一电极和第二电极的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.4至约0.6。
32、辅助层的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.6至约0.8。
33、第一电极和第二电极的厚度与压电层的厚度的比率可以为从约0.2至约0.4。
34、压电层可以包括氮化铝，第一电极和第二电极包括钼，以及辅助层可以包括二氧化硅。
35、体声波谐振器还可以包括设置在基板内并且与有效区域重叠的声反射器层。
36、第二截止频率与第一截止频率的比率可以为从约0.9至约1.1。
37、外围区域可以包括第一外围区域和第二外围区域，在第一外围区域中，第一电极从有效区域向外延伸并且在高度方向上不与第二电极重叠，在第二外围区域中，第二电极从有效区域向外延伸并且在高度方向上不与第一电极重叠，以及辅助层可以包括第一辅助层和第二辅助层，第一辅助层设置在第一外围区域中并且在高度方向上与所延伸的第一电极重叠，第二辅助层设置在第二外围区域中并且在高度方向上与所延伸的第二电极重叠。
38、第一辅助层可以设置在压电层和第一电极之间，并且第二辅助层可以在高度方向上与第二电极重叠，且压电层插置在第二辅助层与第二电极之间。
39、在另一个一般方面，体声波谐振器包括：有效区域，在该有效区域中，第一电极、沿着高度方向设置在第一电极上的压电层、以及沿着高度方向设置在压电层上的第二电极在高度方向上彼此重叠；以及外围区域，设置在有效区域的周边，其中，压电层、辅助层、以及第一电极的从有效区域向外延伸的延伸部分或第二电极的从有效区域向外延伸的延伸部分在高度方向上彼此重叠，其中，有效区域的第一截止频率基本上等于外围区域的第二截止频率。
40、体声波谐振器还可以包括在高度方向上与有效区域重叠的腔，其中，第二截止频率与第一截止频率的比率可以为从约0.9至约1.1。
41、体声波谐振器还可以包括在高度方向上与有效区域重叠的声反射器层，其中，第二截止频率与第一截止频率的比率可以为从约0.9至约1.1。
42、在另一个一般方面，体声波谐振器包括：有效区域，在该有效区域中，设置在基板上的第一电极、沿着高度方向设置在第一电极上的压电层、以及沿着高度方向设置在压电层上的第二电极在高度方向上彼此重叠；第一外围区域，在该本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括设置在所述基板和所述第一电极之间的腔，并且所述腔在所述高度方向上与所述有效区域重叠。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括设置在所述有效区域和所述外围区域之间的边界区域，
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所延伸的第一电极的所述一端在所述边界区域中的厚度或所延伸的第二电极的所述一端在所述边界区域中的厚度小于所述第一电极的一端在所述有效区域中的厚度或所述第二电极的一端在所述有效区域中的厚度，以及
5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述压电层在所述高度方向上的表面高度在所述边界区域中变化。
6.根据权利要求3所述的体声波谐振器，还包括沟槽区域，所述沟槽区域设置在所述有效区域和所述边界区域之间，
7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层包括延伸到所述沟槽区域中的延伸部分，以及
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层的所述延伸部分的厚度小于所述辅助层的其余部分的厚度。
...【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括设置在所述基板和所述第一电极之间的腔，并且所述腔在所述高度方向上与所述有效区域重叠。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括设置在所述有效区域和所述外围区域之间的边界区域，
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所延伸的第一电极的所述一端在所述边界区域中的厚度或所延伸的第二电极的所述一端在所述边界区域中的厚度小于所述第一电极的一端在所述有效区域中的厚度或所述第二电极的一端在所述有效区域中的厚度，以及
5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述压电层在所述高度方向上的表面高度在所述边界区域中变化。
6.根据权利要求3所述的体声波谐振器，还包括沟槽区域，所述沟槽区域设置在所述有效区域和所述边界区域之间，
7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层包括延伸到所述沟槽区域中的延伸部分，以及
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层的所述延伸部分的厚度小于所述辅助层的其余部分的厚度。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层在所述外围区域中与所述第一电极或所述第二电极重叠，并且所述压电层在所述高度方向上插置在所述辅助层与所述第一电极或所述第二电极之间。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层设置在所述有效区域中的所述第一电极或所述第二电极的侧表面上。
11.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层包括绝缘材料。
12.根据权利要求11所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层包括所述压电层的材料中的至少一些。
13.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层的厚度与所述压电层的厚度的比率为从0.6至0.8。
14.根据权利要求13所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极的厚度与所述压电层的厚度的比率为从0.4至0.6。
15.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层的厚度与所述压电层的厚度的比率为从0.5至0.7。
16.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极的厚度与所述压电层的厚度的比率为从0.2至0.4。
17.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包括氮化铝，所述第一电极和所述第二电极包括钼，并且所述辅助层包括二氧化硅。
18.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层设置在所述外围区域中的所述第一电极或所述第二电极与所述压电层之间。
19.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层在所述外围区域中与所述第一电极或所述第二电极接触。
20.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层包括绝缘层或导电层。
21.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中，所述辅助层的厚度与所述压电层的厚度的比率为从0.2至0.4。
22.根据权利要求21所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极的厚度与所述压电层的厚度的比率为从0.4至0.6。
23.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中，所述辅...
【专利技术属性】
技术研发人员：金锺云，金贞儿，柳廷勳，韩源，孙尚郁，李泰京，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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