【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
1、例如专利文献1公开了作为具有绝缘栅极型晶体管的半导体装置的一例的平面栅极型半导体装置。该半导体装置包含：具有主面的半导体层、形成于主面之上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层之上的栅极电极、以及在半导体层的表层部隔着栅极绝缘层与栅极电极对置的沟道。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2015-70193号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、本公开的一实施方式提供一种半导体装置，能够兼顾优异的导通电阻和优异的有源钳位容限(耐受量)。
3、用于解决课题的手段
4、本公开的一实施方式的半导体装置，包含：半导体芯片，其具有第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面；绝缘栅极型的第一晶体管，其形成于所述半导体芯片，并在沿着所述第一主面的水平方向上形成第一沟道；绝缘栅极型的第二晶体管，其形成于所述半导体芯片，并在所述水平方向上形成第二沟道；以及控制布线，其以与所述第一晶体管和所述第二晶体管电连接的方式形成于所述半导体芯片之上，并传递控制信号，其中，所述控制信号在通常动作时将所述第一晶体管和所述第二晶体管控制为导通状态，在有源钳位动作时将所述第一晶体管控制为截止状态并且将所述第二晶体管控制为导通状态。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求3～6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求11～15中任一项所述的半导体装置，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求3～6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤象二郎，冈本佳太，高桥俊太郎，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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