【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光刻工艺，尤其涉及一种测量光刻工艺参数的方法。
技术介绍
1、光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上(通常是衬底的目标部分)的机器。光刻设备可用于制造集成电路(ic)。在这种情况下，图案形成装置(也称为掩模或掩模版)可用于生成要在ic的单个层上形成的电路图案。该图案可转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。图案的转印通常是通过成像到衬底上提供的辐射敏感材料层(抗蚀剂)上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中，期望经常对所创建的结构进行测量，例如，用于工艺控制和验证。已知用于进行此类测量的各种工具，包括通常用于测量关键尺寸(cd)的扫描电子显微镜，以及用于测量套刻(器件中两个层的对准的准确度的量度)的专用工具。套刻可以用两层之间的错位的程度来描述，例如提及测量的1nm套刻可以描述两个层错位1nm的情况。
2、最近，已开发出各种形式的散射仪用于光刻领域。这些设备将辐射的射束导向目标并测量散射辐射的一个或多个特性(例如，单个反射角度处的强度与波长的关系；一个或多个波长处的强度与反射角度的关系；或偏振与反射角度的关系)，以获得“光谱”，从中可以确定目标的感兴趣特性。对感兴趣的特性的确定可以通过各种技术来执行：例如，通过迭代方法(如严格耦合波分析或有限元方法)重建目标；库搜索；以及主成分分析。
3、由常规散射仪使用的目标相对较大，例如，40μm x 40μm的光栅，而测量射束产生的斑点小于光栅(即，光栅未充满)。这简化了目标的数学重建，
4、一种已知的方法称为a+/a-回归法，该方法从量测图像(诸如使用暗场方法获得的图像)中确定套刻，同时对非套刻不对称性进行一些校正。该方法包括使用至少具有两种不同波长的辐射测量具有两个不同偏置子目标的偏置目标，并针对每个波长绘制来自其中一个子目标的强度不对称性与来自另一个子目标的强度不对称性的关系。通过每个数据点进行回归会得到一条具有指示套刻的斜率的线。
5、这种方法存在许多固有缺点。特别地，用于测量的波长选择仅限于在a+/a-空间中产生足够远的数据点以进行回归的波长，例如，至少两个数据点位于此类图的对立象限中。这种限制可能对套刻推断不利，因为其他组合可能本质上更稳定。
6、期望能够使用现有a+/a-回归方法中无法使用的波长对来测量套刻。备选地或者另外地，期望一种消除套刻推断中的干扰因素的方法。
技术实现思路
1、本专利技术在第一方面提供了一种确定来自衬底上的目标的感兴趣参数的值的方法，该方法包括：获取包括至少两个或多个感兴趣的单波长参数值的量测数据，每个感兴趣的单波长参数值是使用相应的不同的测量波长获得的；并且从所述感兴趣的单波长参数值的加权组合确定感兴趣参数的所述值，该加权组合通过堆叠灵敏度得出的权重进行加权。
2、本专利技术在第二方面提供了一种选择两个或多个测量波长以测量衬底上目标的感兴趣参数的方法，该方法包括：获取描述目标相对于波长的堆叠灵敏度的摆动曲线数据；并且至少基于堆叠灵敏度相对于波长的导数来选择所述两个或多个测量波长。
3、本专利技术在其他方面提供了一种处理设备、一种量测装置和一种计算机程序，其可操作以执行第一方面和/或第二方面的方法。
4、在本专利技术的另一方面中，提供了一种计算机程序，其包括程序指令，该程序指令可操作以在合适的装置上运行时执行第一方面的方法。
5、下面将结合附图详细描述本专利技术的其他特征和优点以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。需要注意的是，本专利技术不限于本文所述的特定实施例。本文仅出于说明目的而提供此类实施例。基于本文所包含的教导，附加的实施例对于(多个)相关领域的技术人员将是显而易见的。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种确定来自衬底上的目标的感兴趣参数的值的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感兴趣参数是套刻。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中每个感兴趣的单波长参数值的所述权重包括与用于获得所述感兴趣的单波长参数值的所述测量波长相对应的堆叠灵敏度的幅度与所有的所述测量波长的堆叠灵敏度的幅度之和的比率。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述组合抑制由于所述目标和/或用于测量所述目标的工具中的缺陷对所述感兴趣参数造成的干扰贡献所导致的测量误差的幅度和/或平均值。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述组合抑制由于所述目标和/或用于测量所述目标的工具中的缺陷对所述感兴趣参数造成的干扰贡献所导致的测量误差跨衬底的变化。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述不同的测量波长包括一对或多对波长；并且其中相对于与每对的第一波长相对应的波长的堆叠灵敏度的一阶导数具有与相对于与每对的第二波长相对应的波长的堆叠灵敏度的二阶导数相似的幅度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所
8.根据权利要求6所述的方法，其中对于所述一对或多对波长中的至少一对波长，所述一阶导数和所述二阶导数是相同符号的。
9.根据权利要求6、7或8所述的方法，其中对于所述一对或多对波长中的至少一对波长，所述第一波长与所述第二波长之间的差小于100nm。
10.根据权利要求6、7或8所述的方法，其中对于所述一对或多对波长中的至少一对波长，所述第一波长与所述第二波长之间的差小于50nm。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述不同的测量波长全部与所述目标的相同符号的堆叠灵敏度相对应。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括使用每个所述不同的测量波长来测量所述目标以获得所述量测数据。
13.一种处理装置，包括处理器，并且被配置为执行前述权利要求中任一项所述的方法。
14.一种量测装置，包括根据权利要求13所述的处理器。
15.一种计算机程序，包括程序指令，当在合适的装置上运行时，所述程序指令能够操作以执行根据权利要求1至12中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种确定来自衬底上的目标的感兴趣参数的值的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感兴趣参数是套刻。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中每个感兴趣的单波长参数值的所述权重包括与用于获得所述感兴趣的单波长参数值的所述测量波长相对应的堆叠灵敏度的幅度与所有的所述测量波长的堆叠灵敏度的幅度之和的比率。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述组合抑制由于所述目标和/或用于测量所述目标的工具中的缺陷对所述感兴趣参数造成的干扰贡献所导致的测量误差的幅度和/或平均值。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述组合抑制由于所述目标和/或用于测量所述目标的工具中的缺陷对所述感兴趣参数造成的干扰贡献所导致的测量误差跨衬底的变化。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述不同的测量波长包括一对或多对波长；并且其中相对于与每对的第一波长相对应的波长的堆叠灵敏度的一阶导数具有与相对于与每对的第二波长相对应的波长的堆叠灵敏度的二阶导数相似的幅度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一阶导数和所述二阶导数...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·E·A·库伦，郑舒婷，H·A·J·克莱默，K·J·L·王，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。