【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
1、随着对半导体器件的高性能、高速和多功能性的需求增加，半导体器件可能需要越来越集成。在这方面，可能需要实现具有精细宽度或精细分隔距离的图案。另外，为了改进集成度，已经努力开发具有后侧电力输送网络(bspdn)结构的半导体器件，在bspdn结构中，电力轨设置在晶片的后表面上。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供了一种具有改进的集成度和/或电特性的半导体器件。
2、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域沿第一方向延伸，所述第一有源区域包括彼此间隔开第一间隔的多个第一有源图案，所述第二有源区域包括彼此间隔开第二间隔的多个第二有源图案，所述第二间隔与所述第一间隔不同；器件隔离层，在衬底上，器件隔离层围绕第一有源区域和第二有源区域；栅极结构，在所述衬底上，所述栅极结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述第一有源区域上的第一源/漏区和在所述第二有源区域上的第二源/漏区，分别地，所述第一源/漏区和所述第二源/漏区在所述栅极结构的相对侧上；层间绝缘层，在所述器件隔离层上，所述层间绝缘层覆盖所述栅极结构、所述第一源/漏区和所述第二源/漏区；第一接触结构和第二接触结构，穿过所述层间绝缘层，所述第一接触结构和所述第二接触结构分别连接到所述第一源/漏区和所述第二源/漏区；第一导电贯通结构和第二导电贯通结构，分别电连接到所述第一接触结构和所述第二接触结构，所述第一
3、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，具有第一区域和第二区域，该第一区域具有第一图案密度，该第二区域具有第二图案密度；第一元件，在衬底上位于第一区域中；第一导电贯通结构，穿过所述衬底，所述第一导电贯通结构电连接到所述第一元件；第二元件，在衬底上位于第二区域中；第二导电贯通结构，穿过所述衬底，所述第二导电贯通结构电连接到所述第二元件；接触结构，连接到所述第一区域中的每个第一元件或所述第二区域中的每个第二元件中的至少一个；电力输送结构，从所述衬底的后表面朝向所述衬底的前表面延伸，所述电力输送结构与所述第一导电贯通结构的底表面和所述第二导电贯通结构的底表面接触；前侧互连结构，在所述衬底的前表面上电连接到所述第一元件或所述第二元件中的至少一个，所述前侧互连结构包括与所述接触结构的上表面接触的前侧互连图案；以及后侧互连结构，包括与衬底的后表面相邻的后侧互连图案，衬底的后表面与衬底的前表面相对。第一导电贯通结构的上端的高度与第二导电贯通结构的上端的高度不同，并且第一导电贯通结构或第二导电贯通结构中的至少一个从衬底的前表面朝向衬底的后表面延伸，并且与接触结构间隔开。
4、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域，所述第一有源区域、所述第二有源区域和所述第三有源区域沿第一方向延伸，所述第一有源区域包括彼此间隔开第一间隔的多个第一有源图案，所述第二有源区域包括彼此间隔开第二间隔的多个第二有源图案，所述第二间隔与所述第一间隔不同，所述第三有源区域包括彼此间隔开第三间隔的多个第三有源图案，所述第三间隔小于所述第二间隔；器件隔离层，在所述衬底上围绕所述第一有源区域、所述第二有源区域和所述第三有源区域；栅极结构，沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述第一有源区域上的第一源/漏区、在所述第二有源区域上的第二源/漏区和在所述第三有源区域上的第三源/漏区，分别地，所述第一源/漏区、所述第二源/漏区和所述第三源/漏区在所述栅极结构的相对侧上；层间绝缘层，在所述器件隔离层上，所述层间绝缘层覆盖所述栅极结构、所述第一源/漏区、所述第二源/漏区和所述第三源/漏区；第一接触结构和第二接触结构，穿过所述层间绝缘层，所述第一接触结构和所述第二接触结构分别连接到所述第一源/漏区和所述第二源/漏区；第一导电贯通结构和第二导电贯通结构，分别电连接到所述第一接触结构和所述第二接触结构，所述第一导电贯通结构和所述第二导电贯通结构穿过所述衬底和所述层间绝缘层；第三导电贯通结构，从所述衬底的后表面朝向所述衬底的前表面延伸，所述第三导电贯通结构连接到所述第三源/漏区并且在所述第三源/漏区的下方；以及电力输送结构，从所述衬底的后表面朝向所述衬底的前表面延伸，所述电力输送结构分别与所述第一导电贯通结构的底表面、所述第二导电贯通结构的底表面以及所述第三导电贯通结构的底表面接触。第二导电贯通结构的上端的高度可以高于第一导电贯通结构的上端的高度。第一导电贯通结构的上端的高度可以高于第三导电贯通结构的上端的高度。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二图案密度高于所述第一图案密度。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，
16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，
17.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，
18
19.根据权利要求18所述的半导体器件，还包括：
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
11.一种半导体器件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴珍煐，申宪宗，姜在玄，宋永秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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