【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种发光二极管结构及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管（led）具有使用寿命长、能耗低、高解析度等优点，被广泛应用于各个领域。微发光二极体（micro light emitting diode，micro led），一般指使用尺寸为1~60μm的led发光单元组成显示阵列的技术，micro led显示面板一般会包括多个led像素点，即发光单元，目前micro led都是通过离子束刻蚀（ion beam etching，ibe）实现像素隔离，但每个像素单元发出的光比较散乱且光利用率较低；对光线进行汇聚和准直效果不佳。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种发光二极管结构及其制备方法，可以提升光利用率和准直性。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种发光二极管结构，包括：
3、发光单元层，发光单元层位于基板的一侧；发光单元层包括间隔设置的多个发光单元；每一发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层位于第一半导体层远离基板的一侧；
4、第二半导体层包括第一子区和第二子区，第二子区位于第一子区远离基板的一侧，第二子区还包括中心区和边缘区，边缘区环绕中心区，边缘区包括第一光子晶体结构，第一光子晶体结构和发光层一一对应设置；和/或，多个第二光子晶体结构，第二光子晶体结构位于发光单元层远离基板的一侧，第二光子晶体结构和发光单元一一对应设置，第二光子晶体结构在基板上的垂直投影覆盖发光单元在基板上的垂直投
5、可选的，发光二极管结构还包括：
6、多个微透镜，微透镜位于第二光子晶体结构远离基板的一侧；微透镜的材料的折射率大于第二光子晶体结构的材料的折射率；
7、每一发光单元对应至少一个微透镜；微透镜在基板上的垂直投影覆盖第二光子晶体结构在基板上的垂直投影。
8、可选的，第一光子晶体结构和第二光子晶体结构包括间隔设置的多个纳米柱；纳米柱的形状包括圆柱、圆台和圆锥中的至少一种；
9、多个纳米柱的排列方式包括矩阵排布、交错排布和三角排布中的一种。
10、可选的，相邻的纳米柱之间的距离为200nm -700nm；
11、沿基板指向发光单元层的方向，纳米柱的高度为150nm-1000nm；
12、纳米柱的侧壁与纳米柱的第一表面的角度为60°-90°，纳米柱的第一表面为纳米柱邻近基板一侧的表面。
13、可选的，发光二极管结构还包括：
14、透明导电层、多个键合层和多个第一绝缘层；
15、键合层位于发光单元邻近基板的一侧，每一键合层对应一个发光单元；发光单元覆盖部分键合层；
16、第一绝缘层位于发光单元远离基板的一侧，第一绝缘层包括通孔；每一第一绝缘层覆盖发光单元的侧壁、键合层的侧壁以及未被发光单元覆盖的键合层；第二半导体层包括第一光子晶体结构时，通孔由第一绝缘层远离基板的表面贯穿至第二子区的中心区；第二半导体层不包括第一光子晶体结构时，通孔由第一绝缘层远离基板的表面贯穿至第二半导体层；
17、透明导电层位于第一绝缘层远离基板的一侧；透明导电层通过通孔与第二半导体层接触；透明导电层覆盖通孔、第一绝缘层和未被第一绝缘层覆盖的基板。
18、可选的，发光二极管结构还包括：
19、第二绝缘层和多个隔离层；
20、隔离层位于透明导电层远离基板的一侧，隔离层覆盖部分透明导电层，相邻的发光单元之间设置一个隔离层；
21、第二绝缘层位于隔离层远离基板的一侧，第二绝缘层覆盖多个隔离层和未被隔离层覆盖的透明导电层。
22、根据本专利技术的另一方面，提供了一种发光二极管结构的制备方法，包括：
23、形成基板；
24、在基板的一侧形成发光单元层；发光单元层包括间隔设置的多个发光单元；每一发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层位于第一半导体层远离基板的一侧；
25、在发光单元层远离基板的一侧形成多个第二光子晶体结构；第二光子晶体结构和发光单元一一对应设置，第二光子晶体结构在基板上的垂直投影覆盖发光单元在基板上的垂直投影。
26、根据本专利技术的另一方面，提供了一种发光二极管结构的制备方法，包括：
27、形成基板；
28、在基板的一侧形成发光单元层；发光单元层包括间隔设置的多个发光单元；每一发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层位于第一半导体层远离基板的一侧；第二半导体层包括第一子区和第二子区，第二子区位于第一子区远离基板的一侧，第二子区还包括中心区和边缘区，边缘区环绕中心区，边缘区包括第一光子晶体结构，第一光子晶体结构和发光层一一对应设置。
29、根据本专利技术的另一方面，提供了一种发光二极管结构的制备方法，包括：
30、形成基板；
31、在基板的一侧形成发光单元层；发光单元层包括间隔设置的多个发光单元；每一发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层位于第一半导体层远离基板的一侧；第二半导体层包括第一子区和第二子区，第二子区位于第一子区远离基板的一侧，第二子区还包括中心区和边缘区，边缘区环绕中心区，边缘区包括第一光子晶体结构，第一光子晶体结构和发光层一一对应设置；
32、在发光单元层远离基板的一侧形成多个第二光子晶体结构；第二光子晶体结构和发光单元一一对应设置，第二光子晶体结构在基板上的垂直投影覆盖发光单元在基板上的垂直投影。
33、可选的，在发光单元层远离基板的一侧形成多个第二光子晶体结构之后，还包括：
34、在第二光子晶体结构远离基板的一侧形成多个微透镜；微透镜的材料的折射率大于第二光子晶体结构的材料的折射率；
35、每一发光单元对应至少一个微透镜；微透镜在基板上的垂直投影覆盖第二光子晶体结构在基板上的垂直投影。
36、本专利技术实施例技术方案提供的发光二极管结构包括：发光单元层，发光单元层位于基板的一侧；发光单元层包括间隔设置的多个发光单元；每一发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层位于第一半导体层远离基板的一侧；第二半导体层包括第一子区和第二子区，第二子区位于第一子区远离基板的一侧，第二子区还包括中心区和边缘区，边缘区环绕中心区，边缘区包括第一光子晶体结构，第一光子晶体结构和发光层一一对应设置；和/或，多个第二光子晶体结构，第二光子晶体结构位于发光单元层远离基板的一侧，第二光子晶体结构和发光单元一一对应设置，第二光子晶体结构在基板上的垂直投影覆盖发光单元在基板上的垂直投影；第一光子晶体结构和第二光子晶体结构用于抑制发光单元发出的光侧向传播，可以使得发光单元发出的光仅沿着出光面的方向进行传播，提高光利用率和准直性。
37、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
7.一种发光二极管结构的制备方法，其特征在于，包括：
8.一种发光二极管结构的制备方法，其特征在于，包括：
9.一种发光二极管结构的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述发光单元层远离所述基板的一侧形成多个第二光子晶体结构之后，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐归元，孔玮，李军帅，谢海忠，杨军，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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