【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子装备，具体涉及一种基于推挽式电路的sic-mosfet串扰振荡抑制电路及方法。
技术介绍
1、基于对电力电子装备高频与小型化设计的追求，sic-mosfet因其耐高压与高频开关特性，逐渐取代传统的si基功率器件。然而，不断提升开关速度会产生一些负面影响，其中最重要的是高频环境下寄生参数使器件误导通，运行可靠性下降。
2、在变换器中，功率器件稳定可靠导通与关断是实现高性能能量变换的重要保证。然而，由于在设计与制造驱动器过程中，不可避免引入了驱动回路寄生电感，进而产生阻尼振荡，这种振荡极易导致sic-mosfet误导通，进而使桥臂直通短路，极大地降低器件的运行可靠性。因此，抑制串扰振荡对于保证sic-mosfet等栅极功率器件可靠运行起着重要的作用。当前功率器件的串扰振荡抑制方法大致可以分为优化布局以减小寄生电感、减小功率器件开关速度以削减振荡激励、增加米勒钳位电路快速泄放振荡激励电流、增加有源支路分阶段动态修正栅极驱动电阻与驱动电压。
3、其中，通过优化布局以减小寄生电感的方法需要多次迭代设计，并且无法简单地在已经成型的驱动电路上进行附加；减缓器件开关速度会导致更高的开关损耗，失去sic-mosfet的高速开关优势；传统米勒钳位电路仅适用于0v关断条件的功率器件，但如今的功率器件多数为负压关断；有源支路需要额外的控制信号、比较器与供电线路，这可能增加驱动电路的复杂度。
4、目前最新研究集中于开发不影响器件开关速度且适用于负压关断器件的简单的串扰振荡抑制电路。
>技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种基于推挽式电路的sic-mosfet串扰振荡抑制电路，用以至少解决现有技术中sic-mosfet栅极驱动电压串扰振荡难以有效抑制的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种基于推挽式电路的sic-mosfet串扰振荡抑制电路，用于sic-mosfet的驱动电路，其中，sic-mosfet包括和，的栅源极之间设置有栅源间电容，驱动电路包括隔离供电模块和驱动芯片，隔离供电模块和驱动芯片相连，驱动芯片与sic-mosfet相连，驱动芯片的导通输出端和关断输出端分别对应经过导通电阻和关断电阻连接于驱动芯片的总输出端，驱动电路寄生电感的两端分别连接于和的栅极，所提抑制电路包括：推挽式电路、状态开关管、电容和电感；
4、推挽式电路包括开关管和，其中的源极经过点连接于隔离供电模块的负压输出端，的栅极和的栅极均经过点连接于，的源极经过点连接于0v网络，的漏极和的漏极均经过点连接于状态开关管的栅极；
5、的源极连接于点，的漏极连接于的栅极；
6、电容的两极分别连接于0v网络和点，电感的两端分别连接于点和点。
7、优选的，隔离供电模块与驱动芯片之间设有稳压电路；
8、稳压电路包括电容、、和以及集总寄生电感和；
9、其中设置于隔离供电模块正压输出端的电压值与0v网络之间，设置于隔离供电模块负压输出端 的电压值与0v网络之间；的两端分别连接于和驱动芯片的输入端，的两端分别连接于和驱动芯片的输入端；设置于与0v网络之间，设置于与0v网络之间。
10、优选的，的源极和的漏极相连，的漏极与栅极之间连接有结电容，的漏极和源极之间连接有，的漏极和的源极分别连接于直流电压的正负极。
11、一种基于推挽式电路的sic-mosfet串扰振荡抑制方法，包括以下内容：
12、的预充电：
13、隔离供电模块的负压输出端向预充电，点电压提前到达，在进入关断保持状态后，预充电完成的与并联将不会影响的栅极电压的稳定，在充电通道中串联的限制了充电电流在安全范围；
14、与分离：
15、当开始导通时，驱动芯片通过向灌电流以提升至隔离供电模块正压输出端的电压值，由于寄生电感对电流的抑制作用，无法突变，而点的先一步快速上升，关断，导通，点电位变为，开始关断，则在上升前使与快速分离，对的开通过程不产生影响；
16、与并联：
17、当开始关断时，驱动芯片通过关断电阻从抽取电流，将跌落至，点的快速下降，开通，关断，点电位变为0v，导通，与并联，并联时刻，已完成关断动作。
18、经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开提供了一种基于推挽式电路的sic-mosfet串扰振荡抑制电路及方法，具有以下有益效果：
19、1）本专利技术仅使用三个mosfet：、、，一个电感、一个电容，不需额外控制信号与供电通道，拓扑结构简单；
20、2）可以在不影响sic-mosfet的开关速度的情况下，有效抑制串扰振荡，并避免桥臂直通；
21、3）仅需在原始驱动电路的基础上直接设置本专利技术所公开的抑制电路，不需要重新修正驱动器的设计与布局，应用简单；
22、4）本专利技术所公开的该抑制电路不需要针对每种情况进行定制设计，也适用于负关断电压的器件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路，用于SiC-MOSFET的驱动电路，其中，包括SiC-MOSFET和SiC-MOSFET，的栅源极之间设置有栅源间电容，驱动电路包括隔离供电模块和驱动芯片，隔离供电模块和驱动芯片相连，驱动芯片与SiC-MOSFET相连，驱动芯片的导通输出端和关断输出端分别对应经过导通电阻和关断电阻连接于驱动芯片的总输出端，驱动电路寄生电感的两端分别连接于和的栅极，其特征在于，包括：推挽式电路、状态开关管、电容和电感；
2.根据权利要求1所述的一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路，其特征在于，隔离供电模块与驱动芯片之间设有稳压电路；
3.根据权利要求1所述的一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路，其特征在于，的源极和的漏极相连，的漏极与栅极之间连接有结电容，的漏极和源极之间连接有，的漏极和的源极分别连接于直流电压的正负极。
4.一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制方法，基于权利要求1-3所述的任意一项一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡
...【技术特征摘要】
1.一种基于推挽式电路的sic-mosfet串扰振荡抑制电路，用于sic-mosfet的驱动电路，其中，包括sic-mosfet和sic-mosfet，的栅源极之间设置有栅源间电容，驱动电路包括隔离供电模块和驱动芯片，隔离供电模块和驱动芯片相连，驱动芯片与sic-mosfet相连，驱动芯片的导通输出端和关断输出端分别对应经过导通电阻和关断电阻连接于驱动芯片的总输出端，驱动电路寄生电感的两端分别连接于和的栅极，其特征在于，包括：推挽式电路、状态开关管、电容和电感；
2.根据权利要求1所述的一种基于推挽...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭英舟，赵崇宇，王泉洁，曹一明，王开春，帅智康，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：
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