【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池。
技术介绍
1、太阳能电池是利用太阳能的一种装置，通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能。上述太阳能电池一般包括半导体基底和金属栅线，上述半导体基底一般为硅片。
2、由于硅片的厚度较薄，因此导致硅片的机械性能变差，致使硅片在生产过程中容易出现裂片、碎片的情况。进一步研究发现，硅片的四个角处最容易发生裂片、碎片。为了减少出现上述情况，目前通常将硅片的四个角设计成倒角。
3、但是，即使将硅片的四个角设计成倒角，依旧存在硅片在生产过程中容易出现裂片、碎片的情况，影响太阳能电池的质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池，用于进一步减少硅片在生产过程中出现裂片、碎片的情况，以提高太阳能电池的质量。
2、为了实现上述目的，本申请提供了一种太阳能电池。上述太阳能电池包括：半导体基底。半导体基底具有相对的第一面和第二面，以及位于第一面和第二面之间的侧面。侧面包括第一侧表面和第二侧表面，并连接形成夹角，夹角大于90°。第二侧表面为抛光面；和/或，第二侧表面上形成侧向棱柱型结构，侧向棱柱型结构倾斜延伸方向与第二侧表面的长度方向一致，第二侧表面的长度方向垂直于第一面至第二面的方向。
3、与现有技术相比，本专利技术提供的太阳能电池中，由于第二侧表面与第一侧表面之间的夹角大于90°，此时，半导体基底中相邻的第一侧表面与第二侧表面之间的夹角不再是直角。进一步地，第二侧表面为抛光面，
4、综上所述，本专利技术提供的太阳能电池避免了半导体基底倒角处应力过度集中，提高了半导体基底倒角处的抗应力强度，从而降低半导体基底的碎片率。基于此，进一步减少了半导体基底在生产过程中出现裂片、碎片的情况，提高了太阳能电池的质量。应注意，上述第二侧表面所在位置可以理解为现有技术中倒角所在位置。
5、在一种实现方式中，当第二侧表面上形成侧向棱柱型结构时，第二侧表面包括第一纹理结构区域和第二纹理结构区域。沿第二侧表面的长度方向，第二纹理结构区域靠近第一侧表面，第一纹理结构区域沿第二侧表面的长度方向排在第二纹理结构区域远离第一侧表面的一侧。
6、在一种实现方式中，沿第二侧表面的长度方向，第二纹理结构区域中包括侧向棱柱型结构，第二纹理结构区域中的侧向棱柱型结构的平均棱长小于20μm。应当理解，第二纹理结构区域与第一侧表面形成交接，因为第二纹理结构区域中形成了沿第二侧表面长度方向的侧向棱柱结构，这种侧向棱柱结构降低了在交界处的应力集中效应。如果没有侧向棱柱结构的存在，此交界处会形成整齐棱角结构，整齐的棱角如果没有应力支持或释放，会容易发生崩边，此处因为有侧向棱柱结构的连接，侧向棱柱的长棱减缓了交界处的集中应力，降低了崩边的风险。
7、在一种实现方式中，沿第二侧表面的长度方向，第一纹理结构区域中包括侧向棱柱型结构，第一纹理结构区域中的侧向棱柱型结构的平均棱长大于20μm。
8、在一种实现方式中，位于第二纹理结构区域内，沿第二纹理结构区域到第一纹理结构区域延伸的方向，侧向棱柱型结构的平均棱长逐渐增大。
9、采用上述技术方案的情况下，在侧向棱柱结构的长棱减缓应力集中效应的同时，为了进一步舒缓释放侧向棱柱结构的应力，逐渐增加侧向棱柱的平均棱长更有助于分解应力，避免崩边。
10、在一种实现方式中，位于第一纹理结构区域的侧向棱柱型结构的平均棱长大于位于第二纹理结构区域的侧向棱柱型结构的平均棱长。
11、在一种实现方式中，第一侧表面上形成有第三纹理结构区域，第三纹理结构区域包括金字塔型结构；其中，
12、位于第二纹理结构区域内，沿第二侧表面的长度方向，侧向棱柱型结构的平均棱长大于位于第三纹理结构区域的金字塔型结构的平均塔高。和或，侧向棱柱型结构的高度小于位于第三纹理结构区域的金字塔型结构的平均塔高。
13、采用上述技术方案的情况下，一方面，由于金字塔型结构的比表面积大、且具有陷光作用。因此当半导体基底的第一侧表面的第三纹理结构区域为金字塔型结构时，可以使得更多的光线经第一侧表面的第三纹理结构区域折射至半导体基底内，使得太阳能电池具有较高的光电转换效率。另一方面，侧向棱柱型结构的平均棱长大于位于第三纹理结构区域的金字塔型结构的平均塔高，由于侧向棱柱结构的平均棱长更长，利于应力的释放，并且侧向棱柱结构位于第二侧表面，此处属于倒角位置，长棱更利于光线的反射，通过在倒角位置反射给附近其它非倒角区域，增加太阳能电池的光电转换效率。此外，由于侧向棱柱型结构的高度小于位于第三纹理结构区域的金字塔型结构的平均塔高，有利于提高第二侧表面的钝化效果，第二侧表面绕度的本征非晶硅膜层沉积的更加均匀。
14、在一种实现方式中，侧向棱柱型结构的平均宽度大于或等于1μm且小于或等于5μm。
15、在一种实现方式中，第二侧表面的长度与第一面的周长的比值大于或等于0.5％且小于或等于10％。
16、采用上述技术方案的情况下，由于第二侧表面的长度与第一面的周长的比值大于或等于0.5％，此时可以确保半导体基底上具有的倒角可以起到减小机械应力的作用。进一步地，由于第二侧表面的长度与第一面的周长的比值小于或等于10％，此时可以确保半导体基底具有的第一面和第二面的面积，防止因第一面和第二面的面积过小导致后期形成在第一面和第二面上的膜层尺寸过小，从而确保最终形成的太阳能电池的质量。
17、在一种实现方式中，第一面和/或第二面包括第四纹理结构区域，第四纹理结构区域包括金字塔型结构；侧向棱柱型结构的高度小于位于第四纹理结构区域的金字塔型结构的平均塔高。
18、采用上述技术方案，相比于第一面和/或第二面，有利于提高侧面的钝化效果，侧面绕度的本征非晶硅膜层沉积的更加均匀。
19、在一种实现方式中，位于第三纹理结构区域的金字塔型结构或位于第四纹理结构区域的金字塔型结构的平均塔高大于或等于0.7μm且小于或等于4μm。
20、采用上述技术方案的情况下，可以减少或避免因金字塔型结构的平均塔高较小导致金字塔型结构的陷光效果不明显的情况发生，从而确保较多的光线经金字塔型结构折射至半导体基底内，进而确保太阳能电池具有较高的光电转换效率。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，当所述第二侧表面上形成侧向棱柱型结构时，所述第二侧表面包括第一纹理结构区域和第二纹理结构区域；沿所述第二侧表面的长度方向，所述第二纹理结构区域靠近所述第一侧表面，所述第一纹理结构区域沿所述第二侧表面的长度方向排在所述第二纹理结构区域远离所述第一侧表面的一侧。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第二侧表面的长度方向，所述第二纹理结构区域中包括所述侧向棱柱型结构，所述第二纹理结构区域中的所述侧向棱柱型结构的平均棱长小于20μm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第二侧表面的长度方向，所述第一纹理结构区域中包括所述侧向棱柱型结构，所述第一纹理结构区域中的所述侧向棱柱型结构的平均棱长大于20μm。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，位于所述第二纹理结构区域内，沿所述第二纹理结构区域到所述第一纹理结构区域延伸的方向，所述侧向棱柱型结构的平均棱长逐渐增大；和/或；
6.根据权利要求2所述的太
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述侧向棱柱型结构的平均宽度大于或等于1μm且小于或等于5μm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二侧表面的长度与所述第一面的周长的比值大于或等于0.5％且小于或等于10％。
9.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一面和/或所述第二面包括第四纹理结构区域，所述第四纹理结构区域包括金字塔型结构；
10.根据权利要求6或9所述的太阳能电池，其特征在于，位于所述第三纹理结构区域的所述金字塔型结构或位于所述第四纹理结构区域的所述金字塔型结构的平均塔高大于或等于0.7μm且小于或等于4μm。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，当所述第二侧表面上形成侧向棱柱型结构时，所述第二侧表面包括第一纹理结构区域和第二纹理结构区域；沿所述第二侧表面的长度方向，所述第二纹理结构区域靠近所述第一侧表面，所述第一纹理结构区域沿所述第二侧表面的长度方向排在所述第二纹理结构区域远离所述第一侧表面的一侧。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第二侧表面的长度方向，所述第二纹理结构区域中包括所述侧向棱柱型结构，所述第二纹理结构区域中的所述侧向棱柱型结构的平均棱长小于20μm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第二侧表面的长度方向，所述第一纹理结构区域中包括所述侧向棱柱型结构，所述第一纹理结构区域中的所述侧向棱柱型结构的平均棱长大于20μm。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，位于所述第二纹理结构区域内，沿所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷实，冯磊，魏艳敏，曲铭浩，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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